二节霍尔传感器ppt课件

1、第8 章 磁电式传感器第二节第二节 霍尔传感器霍尔传感器第一节第一节 磁电感应式传感器磁电感应式传感器 第八章第八章 磁电式传感器磁电式传感器 第三节第三节 磁敏传感器磁敏传感器第8 章 磁电式传感器一、一、 磁电感应式传感器任务原理磁电感应式传感器任务原理 BlvdtdxBldtde式中: B稳恒均匀磁场的磁感应强度；l导体有效长度；v导体相对磁场的运动速度。 第一节第一节 磁电感应式传感器磁电感应式传感器 导体在稳恒均匀磁场中运动N匝线圈处于变化的磁场中dtdNe两种磁电式传感器构造：变磁通式和恒磁通式。第8 章 磁电式传感器开磁路变磁通式：这种传感器构造简单，但输出信号较小，且因高速轴上

2、加装齿轮较危险而不宜丈量高转速的场所。 第8 章 磁电式传感器闭磁路变磁通式：感应电势的频率与被测转速成正比。 第8 章 磁电式传感器恒定磁通动圈式磁电传感器恒定磁通动铁式磁电传感器第8 章 磁电式传感器二、二、 磁电感应式传感器根本特性磁电感应式传感器根本特性fofoRRlNvBRREI式中： Rf丈量电路输入电阻； R线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为 fooIRRlNBvISER传感器IoRf第8 章 磁电式传感器而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为 ffofooRRlWvRBRIU相对误差为 RdRldlBdBSdSIIffooURRlWRBvUS第8 章 磁电式传感器三、磁电感应式

3、传感器的丈量电路三、磁电感应式传感器的丈量电路 磁 电 式传 感 器量 程 选 择前 置 放 大 积 分 电 路微 分 电 路主 放 大 器显 示或记 录SW第8 章 磁电式传感器四、磁电感应式传感器的运用四、磁电感应式传感器的运用动圈式振动速度传感器动圈式振动速度传感器 1、芯轴、芯轴2、外壳、外壳3、弹簧片、弹簧片4、铝支架、铝支架5、永久磁铁、永久磁铁6、线圈、线圈7、阻尼环、阻尼环8、引线、引线第8 章 磁电式传感器 一、霍尔效应和霍尔元件的任务原理一、霍尔效应和霍尔元件的任务原理 在半导体薄片中通以电流在半导体薄片中通以电流I,I,在与薄片垂直方向加磁在与薄片垂直方向加磁场场B B，

4、那么在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控，那么在半导体薄片的另外两端，产生一个大小与控制电流制电流I I和和B B乘积成正比的电动势，这种景象称为霍尔效乘积成正比的电动势，这种景象称为霍尔效应。应。 1 1、霍尔效应、霍尔效应第二节第二节 霍尔传感器霍尔传感器第8 章 磁电式传感器2 2、霍尔元件的任务原理、霍尔元件的任务原理bUeeEFHHEBebUeHBeFLBbUHnedIBUHenbddtdQIpedIBUH第8 章 磁电式传感器3 3、霍尔系数及灵敏度、霍尔系数及灵敏度neRH1peRH1N N型霍尔系数型霍尔系数P P型霍尔系数型霍尔系数dIBRUHH霍尔系数由半导体资料性质决

5、议，且决议霍尔电势的强弱。霍尔系数由半导体资料性质决议，且决议霍尔电势的强弱。霍尔元件灵敏度霍尔元件灵敏度KHKH：单位磁感应强度和单位控制：单位磁感应强度和单位控制电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。电流作用时，所能输出的霍尔电势的大小。设 KH=RH / d UH KH I B第8 章 磁电式传感器讨论：为什么只能用半导体资料作霍尔元件。讨论：为什么只能用半导体资料作霍尔元件。 霍尔常数等于霍尔片资料的电阻率与电子迁移率霍尔常数等于霍尔片资料的电阻率与电子迁移率的乘积。的乘积。 假设要霍尔效应强，那么希望有较大的霍尔假设要霍尔效应强，那么希望有较大的霍尔系数系数RH，因此要求霍尔片资料有

6、较大的电阻率和载，因此要求霍尔片资料有较大的电阻率和载流子迁移率。流子迁移率。 普通金属资料载流子迁移率很高，但电普通金属资料载流子迁移率很高，但电阻率很小；而绝缘资料电阻率极高，但载流子迁移率阻率很小；而绝缘资料电阻率极高，但载流子迁移率极低，故只需半导体资料才适于制造霍尔片。极低，故只需半导体资料才适于制造霍尔片。 dIBUHen1ep1N N型资料电阻率型资料电阻率P P型资料电阻率型资料电阻率第8 章 磁电式传感器霍尔器件符号BHABCDABCDACD第8 章 磁电式传感器 二、霍尔元件的主要技术参数二、霍尔元件的主要技术参数1、额定功耗P0: 霍尔元件在环境温度T=250C时，允许经

7、过霍尔元件的电流和电压的乘积。2、 输入电阻和输出电阻 Ri：鼓励电极间的电阻值。 Ro：霍尔元件电极间的电阻。3、不等位电势U0：在额定控制电流I下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势。 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； 半导体资料不均匀呵斥了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀； 鼓励电极接触不良呵斥鼓励电流不均匀分布等。 第8 章 磁电式传感器4、霍尔电势温度系数：在一定磁感应强度和鼓励电流下，温度每变化1时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数。5、内阻温度系数：霍尔元件在无磁场及任务温度范围内，温度每变化1时，输入电阻与输出电阻变化的百分率。6、 额定鼓励电流和最大允许鼓

8、励电流：当霍尔元件本身温升10时所流过的鼓励电流称为额定鼓励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的鼓励电流称为最大允许鼓励电流。因霍尔电势随鼓励电流添加而线性添加，所以运用中希望选用尽能够大的鼓励电流，因此需求知道元件的最大允许鼓励电流。改善霍尔元件的散热条件，可以使鼓励电流添加。 第8 章 磁电式传感器7、寄生直流电势 ：在外加磁场为零、霍尔元件用交流鼓励时，霍尔电极输出除了交流不平衡电势外，还有不断流电势，称为寄生直流电势。 其产生的缘由有： 鼓励电极与霍尔电极接触不良， 构成非欧姆接触， 呵斥整流效果； 两个霍尔电极大小不对称，那么两个电极点的热容不同， 散热形状不同而构成极间温差电势

9、。 寄生直流电势普通在1mV以下，它是影响霍尔片温漂的缘由之一。 第8 章 磁电式传感器常常用用国国产产霍霍尔尔元元件件的的技技术术参参数数 第8 章 磁电式传感器 三、霍尔元件丈量电路和输出电路三、霍尔元件丈量电路和输出电路UHRLBIEIHR1 1、根本丈量电路、根本丈量电路图中控制电流I由电源E供应,R为调理电阻,保证器件内所需控制电流I。霍尔输出端接负载RL,RL可是普通电阻或放大器的输入电阻、或表头内阻等。磁场B垂直经过霍尔器件,在磁场与控制电流作用下，由负载上获得电压。实践运用时实践运用时, ,器件输入信号可以是器件输入信号可以是I I或或B B，或者，或者IB,IB,而输出而输出

10、可以正比于可以正比于I I或或B, B, 或者正比于其乘积或者正比于其乘积IBIB。第8 章 磁电式传感器2 2、霍尔电势输出电路、霍尔电势输出电路1 1 开关运用开关运用+15VH-15VR3R1R2R4第8 章 磁电式传感器霍尔开关集成传感器内部构造框图23输出+稳压VCC1霍耳元件放大BT整形地H第8 章 磁电式传感器2 2线性运用线性运用+15VH-15VR3R1R2R4Rf第8 章 磁电式传感器集成线性传感器的电路构造框图23输出+稳压VCC1霍耳元件放大地H第8 章 磁电式传感器 四、霍尔元件的丈量误差补偿方法四、霍尔元件的丈量误差补偿方法1 1、零位误差及补偿方法、零位误差及补偿

11、方法零位误差：霍尔元件在加控制电流但不加外磁场零位误差：霍尔元件在加控制电流但不加外磁场时出现的霍尔电势。主要为不等位电势。时出现的霍尔电势。主要为不等位电势。ACBID第8 章 磁电式传感器Cr1r3r2r4DAB分析不等位电势时，可以把霍尔元件等效为一个电桥， 用分析电桥平衡来补偿不等位电势。第8 章 磁电式传感器RPRPRPRPR( a )( b )( c )( d )RPRPRPRPR(a )(b )(c )(d )RPRPRPRPR(a )(b )(c )(d )RPRPRPRPR( a )( b )( c )( d )第8 章 磁电式传感器2 2、温度误差及补偿方法、温度误差及补偿

12、方法aRH与温度的关系与温度的关系T/0246/710-3cmLnAs20015010050LnSbT/RH/cm2/A-1250200150100504080120160200LnSbLnAs0b与温度的关系与温度的关系第8 章 磁电式传感器1 1、利用输出回路并联电阻进展补偿、利用输出回路并联电阻进展补偿第8 章 磁电式传感器根本电路根本电路等效电路等效电路2 2、利用输入回路串联电阻进展补偿、利用输入回路串联电阻进展补偿第8 章 磁电式传感器实践补偿电路实践补偿电路第8 章 磁电式传感器1、丈量磁场的大小和方向电位差计电位差计mAESNR霍耳磁敏传感器测磁原理表示图霍耳磁敏传感器测磁原理

13、表示图 五、霍尔传感器运用五、霍尔传感器运用第8 章 磁电式传感器2、 霍尔式微位移传感器霍 尔 元 件S NN Sxxx霍 尔 元 件NSx霍 尔 元 件NSNSxxx(a)(b)(c)UH量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种构造的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 第8 章 磁电式传感器霍 尔 元 件SN N Sxxx霍 尔 元 件NSx霍 尔 元 件NSNSxxx( a )( b )( c )霍 尔 元 件SN NSxxx霍 尔 元 件NSx霍 尔 元 件NSNSxxx( a )( b )( c )第8 章 磁电式传感器3、 霍尔式转速传感器12

14、43(a)1243(b)12431234(c)(d)NSNSNSNSNSNSNS1输 入 轴 ；2转 盘 ；3小 磁 铁 ；4霍 尔 传 感 器1243(a)1243(b)12431234(c)(d)NSNSNSNSNSNSNS1输 入 轴 ；2转 盘 ；3小 磁 铁 ；4霍 尔 传 感 器1243(a)1243(b)12431234(c)(d)NSNSNSNSNSNSNS1输入轴；2转盘；3小磁铁；4霍尔传感器1243(a)1243(b)12431234(c)(d)NSNSNSNSNSNSNS1输入轴；2转盘；3小磁铁；4霍尔传感器1243(a )124 3(b )12431234(c )(

15、d )NSNSNSNSNSNSNS1输入轴；2转盘；3小磁铁；4霍尔传感器第8 章 磁电式传感器4、 霍尔计数安装钢 球绝 缘 板NS磁 铁霍 尔 开 关 传 感 器(a )AA741 12 VSL3051SR110 k22 C1R31 kR4470 kR5470 kVcc计数器V2N5812R211 k(b )第8 章 磁电式传感器钢 球绝 缘 板NS磁 铁霍 尔 开 关 传 感 器(a )AA741 12 VSL3051SR110 k22 C1R31 kR4470 kR5470 kVcc计数器V2N5812R211 k(b )第8 章 磁电式传感器5、汽车霍尔点火器第8 章 磁电式传感器第

16、三节第三节 磁敏传感器磁敏传感器 一、磁敏电阻器一、磁敏电阻器磁阻效应: 假设给通以电流的金属或半导体资料的薄片加以与电流垂直或平行的外磁场，那么其电阻值就添加。称此种景象为磁致电阻变化效应，简称为磁阻效应。22000273. 0BB为磁感应强度；为磁感应强度；B资料在磁感应强度为时的电阻率；资料在磁感应强度为时的电阻率；0 资料在磁感应强度为资料在磁感应强度为0时的电阻率；时的电阻率；载流子的迁移率。载流子的迁移率。220273. 01BB第8 章 磁电式传感器 二、磁敏二极管二、磁敏二极管1、构造PNIr 区+-简写为SMD。磁敏二极管的P型和N型电极由高阻资料制成，在P、N之间有一个较长

17、的本征区I，本征区I的一面磨成光滑的复合外表为I区，另一面打毛，设置成高复合区为r区，其目的是由于电子-空穴对易于在粗糙外表符合尔消逝。当通以正向电流后就会在P、I、N结之间构成电流。磁敏二极管是PIN型。第8 章 磁电式传感器I IPN2、任务原理H=0电子电子空穴空穴复合区复合区1当磁敏二极管未遭到外界磁场作用时，外加正偏压，那么有大量的空穴从P区经过I区进入N区，同时也有大量的电子注入P区。构成电流。只需少量电子和空穴在I区复合。第8 章 磁电式传感器2当磁敏二极管遭到外界磁场H+作用时电子、空穴遭到洛仑兹力作用而向r区偏移，由于r区的电子、空穴复合率比光滑面I区快，因此构成的电流因复合

18、速度而减小。H+I IPN第8 章 磁电式传感器3当磁敏二极管遭到外界磁场H-作用时电子、空穴遭到洛仑兹力作用而向I区偏移，由于电子、空穴复合率明显变小，那么电流变大。H -I IPN第8 章 磁电式传感器结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正结论：随着磁场大小和方向的变化，可产生正负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用负输出电压的变化、特别是在较弱的磁场作用下，可获得较大输出电压。假设下，可获得较大输出电压。假设r区和区和r区之外区之外的复合才干之差越大，那么磁敏二极管的灵敏的复合才干之差越大，那么磁敏二极管的灵敏度就越高。度就越高。 磁敏二极管反向偏置时，那么在磁敏二极管反向偏置时，那么在 r区仅流区仅流过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因此过很微小的电流，显得几乎与磁场无关。因此二极管两端电压不会因遭到磁场作用而有任何二极管两端电压不会因遭到磁场作用而有任何改动。改动。 第8 章 磁电式传感器 三、磁敏三极管三、磁敏三极管1、构造bcerN