太阳能电池的工作原理

1、会计学1太阳能电池的工作原理太阳能电池的工作原理硅太阳电池硅太阳电池化合物太阳电池化合物太阳电池v 硅太阳电池硅太阳电池 * *以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。 单晶硅（单晶硅（Single crystaline-Si）太阳电池。）太阳电池。 多晶硅（多晶硅（Polycrystaline-Si）太阳电池。）太阳电池。 非晶硅非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。太阳电池。 微晶硅（微晶硅（c-Si）太阳电池。）太阳电池。 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)电池。电池。 双面太阳电池。双

2、面太阳电池。3-1 太阳电池的分类太阳电池的分类按基体材料分按基体材料分v 化合物太阳电池化合物太阳电池 * * *以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物太阳电池。太阳电池。 单晶化合物太阳电池。单晶化合物太阳电池。 多晶化合物太阳电池。多晶化合物太阳电池。 有机半导体太阳电池。有机半导体太阳电池。 染料敏化太阳电池。染料敏化太阳电池。按电池结构分按电池结构分1. 同质结太阳电池同质结太阳电池pn结是同一种半导体材料的同质结构成的太阳电池。2. 异质结太阳电池异质结太阳电池由禁带宽度不同的半导体材料形成的异质结构成的太阳电池。3. 肖特基结太阳电池

3、肖特基结太阳电池利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池称肖特基结太阳电池。4. 复合结太阳电池复合结太阳电池由两个或多个pn结形成的太阳电池称为复合结太阳电池。按用途分按用途分1. 空间太阳电池空间太阳电池指在人造卫星、宇宙飞船等航天器上应用的太阳电池。制作精细，价格较高。2. 地面太阳电池地面太阳电池指用于地面阳光发电系统的太阳电池。具有较高的功率价格比。3. 光敏传感器光敏传感器光照强度不同，电流大小也不一样。P型和型和N型半导体型半导体3.2.1通常应用的太阳电池是一种将光能直接通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造转换成电能的半导体器件，其基本

4、构造是由半导体的是由半导体的P-N结组成。结组成。v 半导体半导体 (semiconductor) (semiconductor) * * 定义：形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。定义：形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。 电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。 电导率在电导率在10-4104/（.cm）之间。）之间。原子示意图晶体的共价键结构v N N型半导体型半导体 * * n型半导体型半导体：硅晶硅晶体中掺入少量体中掺入少量五五价元素磷价元素磷或砷原或砷原子。磷或砷原子子。磷或砷原子称为施主。这种称为施主。这种杂质半导体主要

5、杂质半导体主要靠施主能级激发靠施主能级激发到导带中去的电到导带中去的电子来导电，称为子来导电，称为电子型半导体或电子型半导体或n型半导体。型半导体。额外电子P对于对于n型半导体，电子浓度远大于空穴浓度，电型半导体，电子浓度远大于空穴浓度，电子为多数载流子称为多子，空穴称为少子。子为多数载流子称为多子，空穴称为少子。 p型半导体型半导体：硅晶体中掺入硅晶体中掺入少量少量三价硼三价硼原原子。硼原子称子。硼原子称为受主。这种为受主。这种杂质半导体的杂质半导体的导电机构主要导电机构主要取决于满带空取决于满带空穴运动，故称穴运动，故称空穴半导体或空穴半导体或p型半导体。型半导体。v P P型半导体型半导

6、体 * *空穴空穴B对于对于p型半导体，电子浓度远小于空穴浓度，空型半导体，电子浓度远小于空穴浓度，空穴为多数载流子称为多子，电子称为少子。穴为多数载流子称为多子，电子称为少子。P-N 结结 (P-N junction)3.2.2热平衡时：扩散流=漂移流PN 结中无净电流。内光电效应内光电效应3.2.3当半导体的表面受到太阳光照射时，如果其中有些光子的能量大于或等于半导体的禁带宽度，就能使电子挣脱原子核的束缚，在半导体中产生大量的电子-空穴对，这种现象称为内光电效应内光电效应。实现条件：hv Eg 或hC/Eg太阳电池基本工作原理太阳电池基本工作原理3.2.4 吸收光子，产生电子空穴对。 电子

7、空穴对被内建电场分离，在PN结两端产生电势。 将PN结用导线连接，形成电流。 在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换。晶体硅太阳电池的结构晶体硅太阳电池的结构3.2.5上电极（上电极（-）抗反射层抗反射层背面接触背面接触基本晶体硅太阳电池的结构基本晶体硅太阳电池的结构有机太阳电池的结构有机太阳电池的结构3.2.63-3 太阳电池的电学特性太阳电池的电学特性标准测试条件标准测试条件3.3.1国际上统一规定地面太阳电池的标准测试条件是：光强：1000W/m2光谱分布：AM1.5电池温度：25AM0 (1367 W/m2)AM1.5 (963 W/m2)太阳电池等效电路太阳电池等效电路3.

8、3.2太阳能电池的太阳能电池的理想状态理想状态等效电路等效电路 理想的太阳电理想的太阳电池等效电路：只池等效电路：只有有ISC和和Id) 1(0AkTqUDeIIIph太阳能电池的太阳能电池的实际状态实际状态等效电路等效电路 实际太阳电池等效电路：并联一实际太阳电池等效电路：并联一个旁路电流支路等效电路个旁路电流支路等效电路Iph太阳电池的主要技术参数太阳电池的主要技术参数3.3.3 输出功率输出功率:流进负载的电流为流进负载的电流为I，负载端电压为，负载端电压为U1. 伏安特性曲线伏安特性曲线Isc: 短路电流短路电流Voc:开路电压开路电压2. 最大功率点最大功率点输出功率输出功率:流进负

9、载的电流为流进负载的电流为I，负载端电压为，负载端电压为UPm= ImUm：最大输出功率最大输出功率M点点：太阳能电池的最佳工作点或最大功率点：太阳能电池的最佳工作点或最大功率点Im：最佳工作电流：最佳工作电流Um：最佳工作电压：最佳工作电压Rm:最佳负载电阻最佳负载电阻3. 开路电压开路电压(Open-circuit voltage)在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在开路情况下的端电压，亦即伏安特性曲线与横坐标的交点所对应的电压，通常用UOC来表示。4. 短路电流短路电流(Short-circuit current)在一定温度和辐照度条件下，太阳电池在端电压为零时的输出电流，亦即伏安特性曲

10、线与纵坐标的交点所对应的电流，通常用Isc来表示。当U=0时，Isc=Iph。太阳电池的短路电流Isc与太阳电池的面积大小有关，面积越大，Isc越大。5. 填充因子填充因子(Fill Factor)填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数，定义为太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积之比，通常用FF或CF表示。FF=B/A6. 太阳电池的转换效率太阳电池的转换效率太阳电池接受光照的最大功率与入射到该电池的全部辐射功率的百分比称为太阳电池的转换效率。即：=UmIm/AtPin式中：Um、Im-最大输出功率点的电压、电流；At -包括栅线面积在内的太阳电池总面积；Pin -单位面积入射光

11、的功率。【例3-1】某一面积为100cm2的太阳电池，测得其最大功率为1.5W，则该电池的转换效率是多少？解：解：太阳电池转换效率 =UmIm/AtPin =1.5/（10010-4）1000 =15%7. 电流温度系数电流温度系数0(1)scIIT 当温度变化时，太阳电池的输出电流会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池短路电流的变化值称为电流温度系数，通常用表示：当温度变化时，太阳电池的输出电压会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池开路电压的变化值称为电压温度系数，通常用表示：0(1)ocUUT 8. 电压温度系数电压温度系数电流温度系数：0.1%电压

12、温度系数：-0.4%（-2.3mV/)曲线125曲线235 129. 功率温度系数功率温度系数当温度变化时，太阳电池的输出功率会产生变化，在规定的试验条件下，温度每变化1oC，太阳电池输出功率的变化值称为功率温度系数，通常用表示。max00200(1)(1)1 ()scocPI UI UTTI UTT 忽略平方项，得：max001 ()(1)PPTPT 10. 太阳辐照度的影响太阳辐照度的影响硅太阳电池硅太阳电池化合物太阳电池化合物太阳电池v 硅太阳电池硅太阳电池 * *以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。以硅为基体材料的太阳电池称为硅太阳电池。 单晶硅（单晶硅（Single crysta

13、line-Si）太阳电池。）太阳电池。 多晶硅（多晶硅（Polycrystaline-Si）太阳电池。）太阳电池。 非晶硅非晶硅（Amorphous-Si）太阳电池。太阳电池。 微晶硅（微晶硅（c-Si）太阳电池。）太阳电池。 HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin-layer)电池。电池。 双面太阳电池。双面太阳电池。3-1 太阳电池的分类太阳电池的分类按基体材料分按基体材料分v 化合物太阳电池化合物太阳电池 * * *以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物以化合物半导体材料制成的太阳电池称为化合物太阳电池。太阳电池。 单晶化合物太阳电池。单晶化合物

14、太阳电池。 多晶化合物太阳电池。多晶化合物太阳电池。 有机半导体太阳电池。有机半导体太阳电池。 染料敏化太阳电池。染料敏化太阳电池。P型和型和N型半导体型半导体3.2.1通常应用的太阳电池是一种将光能直接通常应用的太阳电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，其基本构造转换成电能的半导体器件，其基本构造是由半导体的是由半导体的P-N结组成。结组成。v 半导体半导体 (semiconductor) (semiconductor) * * 定义：形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。定义：形成材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。 电阻率在某个温度范围内随温度升高而增加。电阻率在某个温度范围内随温度升高而