第三章_门电路PPT课件

1、单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版文本样式第二级第三级第四级第五级*1补充：半导体二极管半导体基础知识导 体：自然界中很容易导电的物质，例如金属。绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电，如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。21. 本征半导体GeSi本征半导体的导电机理纯净的半导体。如：硅和锗1）最外层四个价电子。2）共价键结构+4+4+4+4共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子3 共价键中的两个

2、电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。+4+4+4+443）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。+4+4+4+44）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。+4+4+4+4空穴束缚电子自由电子5可见因热激发而出现的自

3、由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。6在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。+4+4+4+45）自由电子和空穴的运动形成电流7本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。温度越高载流子的浓度越高本征半导体的导电能力越强。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。归纳82. 杂质半导体杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。在本征半导体中掺入某些微量杂质。1）N型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。多数载流子（多子）：电子。取决于掺

4、杂浓度；少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。9+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子102）P型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：电子。取决于温度。+4+4+3+4空穴硼原子11归纳3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。12杂质半导体的示意表示法P型半导体+N

5、型半导体13一、 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 因浓度差 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 PN结及其单向导电性多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡14P型半导体N型半导体+扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动15扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。漂移运动P型半导体N型半导体+扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。16漂移运动P型半导体N型半导体+扩散运动内电场EPN结

6、处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。17+空间电荷区N型区P型区 PN结18 1） PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。19 2. PN结加反向电压时的导电情况 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用下形成的

7、漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。 在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。 20空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中内电场阻碍多子（ P中的 空穴、N中的电子） 的扩散运动。 P中的电子和N中的空穴（都是少子） 数量有限，因此由它们形成的漂移电流 很小。空间电荷区中内电场推动少子（ P中的 电子、N中的空穴） 的漂移运动。归纳21二、PN结的单向导电性 PN结加正向电压（正向偏置）： P区接电源的正极、N区接电源的负极。 PN结加反向电压（反向偏置）： P区接电源的负

8、极、N区接电源的正极。 PN结呈现低电阻，处于导通状态。 PN结呈现高电阻，处于截止状态。三、PN结的电容效应1. 势垒电容 PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。2. 扩散电容 PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！23半导体二极管的基本结构一、 基本结构PN结 + 管壳和引线PN阳极阴极符号：D分类：点接触型面接触型平面型24二极管的伏安特性

9、及主要参数UI死区电压 硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降: 硅管0.60.8V,锗管0.20.3V。反向击穿电压UBR正向特性：EDI反向特性：EDI反U死区电压，导通；UII反很小，与温度有关；U击穿电压，击穿导通；I 一、伏安特性25二、 主要参数1.最大整流电流 IOM2.最大反向工作电压URM二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。二极管正常工作时允许承受的最大反向工作电压。手册上给出的最高反向工作电压URM一般是UBR的一半。3. 最大反向电流 IRM指二极管加反向工作峰值电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影

10、响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。262.二极管的应用电路如图示：已知E=5V， ui=10sint VRDEuiuO解：此类电路的分析方法：当D的阳极电位高于阴极电位时，D导通，将D作为一短路线；当D的阳极电位低于阴极电位时，D截止，将D作为一断开的开关；将二极管看成理想二极管ui tuO t10V5V5V削波例1求： uO的波形27电路如图示：已知 VA=3VVB=0V 求：VF=？解：此类电路的分析方法：将二极管看成理想二极管。当几个二极管共阳极或共阴极连接时，承受正向电压高的二极管先导通。DB通， VF=0VRDAADBB+12VF箝位隔离例

11、228本章介绍数字电路的基本逻辑单元-门电路主要内容二极管三极管的开关特性TTL和CMOS门电路的原理及输入输出特性第三章门电路3.1 概述3.2 半导体二极管门电路3.5 TTL门电路3.3 COMS门电路29门：具有开关作用。门电路：具有控制信号通过或不通过能力的电路。器件的开关作用开关特性体现开关作用静态特性转换过程动态特性理想开关特性Z0 短路、相当开关闭合Z 断路、相当开关断开门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。30门电路分立元件门电路集成门电路双极型集成门（DTL、TTL）CMOS集成门集成逻辑门中广泛使用的开关器件是： 晶体管 场效应管 研究它们的开关特性313.1概述在数字电路

12、中，用高、低电平分别表示逻辑代数中的1、0获得高、低电平的基本方法：当S打开时，vO为高电平当S闭合时，vO为低电平S用二极管或三极管或场效应管来实现控制管子工作在截止和导通状态，它们就可起到图中S的作用VCCvOvIS输出信号输入信号32若以高电平表示1，低电平表示0，则称正逻辑若以高电平表示0，低电平表示1，则称负逻辑10正逻辑01负逻辑本书采用正逻辑高电平下限低电平上限333.2半导体二极管的门电路3.2.1 半导体二极管的开关特性VCCRDvO+-v+-1. 二极管开关电路当vI=VIL时，D导通，vO=0V=VOL设VIL=0V，VIH=VCC，D为理想二极管当vI=VIH时，D截止

13、，vO=VCC=VOH用vI的高低电平控制二极管的开关状态，在输出端得到高、低电平输出信号34二极管的开关特性 正向导通时UD(ON)0.7V（硅） 0.3V（锗）RD几 几十相当于开关闭合 EDuiU(BR)0UonIS203535理想二极管近似分析中最常用理想开关导通时 UD0截止时IS0导通时UDUon截止时IS0导通时i与u成线性关系应根据不同情况选择不同的等效电路！二极管的等效模型36反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大（约几百k）相当于开关断开EDuiU(BR)0UonIS20为了保证可靠截止，通常二极管两端加负压。37 当外加电压突然由正向变为反向时，存储电荷反向电场的作用下，

14、形成较大的反向电流。经过ts后，存储电荷显著减少，反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。 当外加电压由反向突然变为正向时，要等到PN结内部建立起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成，因而正向电流的建立稍微滞后一点。反向恢复时间（几纳秒内）2. 动态特性：383.2.2 二极管与门VCC=5VR=3KD1ABYD2设：VIL=0V，VIH=3V，二极管正向导通压降为0.7V分析可得：若定义1表示高电平，0表示低电平，则得真值表：&ABY结论：该电路实现了与的关系，为与门39工作波形(又一种表示逻辑功能的方法）逻辑表达式FA B40VCC=5VR=3KD1A1B1Y1D2VCC=5VR=3K

15、D1A2B2Y2D2一般不用它直接驱动负载电路413.2.2 二极管或门分析可得：若定义1表示高电平，0表示低电平，则得真值表：设：VIL=0V，VIH=3V，二极管正向导通压降为0.7VRD1ABYD2结论：该电路实现了或的关系，为或门1ABY42工作波形逻辑表达式FA+ B43MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得到了十分迅速的发展。3.3 CMOS 门电路44CMOS MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为

16、CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。45PN+SGDN+以P型半导体作衬底形成两个PN结SiO2保护层引出两个电极引出两个电极引出栅极Al从衬底引出电极两边扩散两个高浓度的N区N沟道增强型MOSFET的结构增强型MOS管46PN+SGDN+SiO2保护层Al故又称为MOS管管子组成：a. 金属（Metal)b. 氧化物(Oxide)c.半导体(Semiconductor)472. 工作原理 电路连接图PN+SGDN+48(1) uGS =0 ,uDS0源极和漏极之间始终有一个PN结反偏，iD=0PN+SGN+iD=0D+SDB 不论D、S间有无电

17、压，均无法导通，不能导电。49PN+SGN+iD=0D+2uGS 0 ,uDS =0产生垂直向下的电场50PN+SGN+iD=0D+电场排斥空穴形成耗尽层吸引电子51PN+SGN+iD=0D+形成导电沟道当uGS =UGS(th)时出现反型层可以通过改变vGS的大小来控制iD的大小。52PN+SGN+iD=0D+UGS(th)开启电压N沟道增强型MOS管，简称NMOSN沟道53二、MOS管的输入、输出特性 对于共源极接法的电路，栅极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为零。输出特性曲线（漏极特性曲线）54夹断区（截止区） 用途：做无触点的、断开状态的电子开关。条件：整个沟道都夹断 特点

18、：55可变电阻区特点:(1)当vGS 为定值时，iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，且其阻值受 vGS 控制。 （2）管压降vDS 很小。用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件：源端与漏端沟道都不夹断 56恒流区：(又称饱和区或放大区）特点:(1)受控性： 输入电压vGS控制输出电流(2)恒流性：输出电流iD 基本上不受输出电压vDS的影响。条件:(1)源端沟道未夹断 (2)漏端沟道预夹断 用途:可做放大器和恒流源。57三、MOS管的基本开关电路 当vI=vGSVGS(th)且vI继续升高时，MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小，D-S间

19、相当于闭合的开关,vO0。59场效应管开关电路VDDRDGiD+vIvO+SD当vI=VIL时，场效应管截止，iD0，相当于开关断开，vOVCC；当vI=VIH时，场效应管导通，uDS0，相当于开关闭合， vO0 ；当vI VGS(th) 时，场效应管工作在恒流区；当vI增加到一定程度时，场效应管工作在 变阻区。uDSiDUGS1=UGS(th)OUGS1UGS2UGS3可变电阻区夹断区恒流区60关于场效应管符号的说明：N沟道增强型MOS管，衬底箭头向里。漏、衬底和源、分开，表示零栅压时沟道不通。表示衬底在内部没有与源极连接。N沟道耗尽型MOS管。漏、衬底和源不断开表示零栅压时沟道已经连通。G

20、SD如果是P沟道，箭头则向外。P 沟道增强型613.3.2 CMOS反相器工作原理 PMOS管NMOS管CMOS电路VDDT1T2vIvO一、电路结构 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。62VDDTPTNvIvOvI=0截止 vo=“”导 通63vI=1VDDT1T2vIvO导通 vo=“”截止 静态下，无论vI是高电平还是低电平，T1、T2总有一个截止，因此CMOS反相器的静态功耗极小。643.3.2 CMOS与非门AT1T2VDDYT3T4BT1、T2构成反相器；T3、T4构成反相器 将T1、T3并联，T2、T4串联只要A、B中有一个

21、为低电平，则T2、T4 有一个截止，T1、T3有一个导通，输出高电平。只有A、B均为高电平，则T2、T4均导通，T1、T3均截止，输出低电平。工作原理：65T1、T2构成反相器；T3、T4构成反相器 将T1、T3串联，T2、T4并联只要A、B中有一个为高电平，则T2、T4有一个导通，T1、T3有一个截止，输出低电平。只有A、B均为低电平，则T2、T4均截止， T1、T3均导通，输出高电平。利用与非门、或非门和反相器又可组成与门、或门、与或非门等工作原理：AT3VDDYT1BT2T43.3.3 CMOS或非门663. 带缓冲级的CMOS门电路67 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及电

22、压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的转折区也变得更陡。68CMOS三态输出的门电路当EN=1时，T1、T2截止，输出为高阻态；当EN=0时，T1、T2导通，输出Y=A电路结构与符号AVDDT1ENYT1T2T2控制端低电平有效YAEN69CMOS电路的优点：静态功耗小，每个门的功耗低至 1 W ， 仅为 TTL 的 1/1000 。2. 允许电源电压范围宽。 VDD相对的范围达 318V。输入阻抗高，输入电流小，对信号无衰减作用。4. 扇出系数大（ N 50 ），驱动能力强。 抗干扰能力强： CMOS电路的噪声容限为 40% UDD 。 集成度高，工作频率范围宽。7. 温度稳定性好

23、， 可达-40+85 ，接近于 TTL 中 54 军 品系列（ -55+125 ）。8. 内部有较完善的保护电路。701. 焊接时，电烙铁外壳应接地。2.存储和运输CMOS电路，最好采用金属屏蔽层做包装材料。3. 器件插入或拔出插座时，所有电压均需除去。4. 多余的输入端不能悬空。输入端悬空极易产生感应较高的静电电压，造成器件的永久损坏。对多余的输入端，可以按功能要求接电源或接地，或者与其它输入端并联使用。5. 注意与 TTL 电路连接时的匹配问题。CMOS电路使用注意事项输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路，给使用者带来很大方便。但是，这种保护还是有限的。由于CMOS电路的

24、输入阻抗高，极易产生感应较高的静电电压，从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层，造成器件的永久损坏。为避免静电损坏，应注意以下几点：71TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管，所以称晶体管晶体管逻辑门电路，简称TTL电路。3.5 TTL门电路72一、 晶体管的结构及类型NPN集电区发射区基区发射极集电极基极ecb发射结集电结1. 基区很薄2. 发射区掺杂浓度基区掺杂浓度3. 集电区尺寸发射区尺寸，集电区掺杂浓度0， UCE UBE 发射结正偏，集电结反偏IC = IB 电流放大作用UBE0， UCE UBE IC = IB 发射结正偏，集电结正偏无电流放大作用放大区截止区饱和区77四

25、、双极型三极管的开关等效电路 开关等效电路(1) 截止状态 条件：发射结反偏特点：电流约为0 78(2)饱和状态条件：发射结正偏，集电结正偏特点：UBES=0.7V，UCES=0.3V/硅79五、三极管的开关时间快慢从截止到饱和导通所需的时间称为开启时间 ton从饱和导通到截止所需时间称为关闭时间toff输出vO落后于输入vIvIiCvOttttontoff发射区变窄、基区建立电荷所需要的时间。清除三级管内存电荷所需要的时间。80六、 三极管反相器实际应用中，接R2和VEE，使T可靠截止。-VEER2A为低电平（0），T截止，Y为高电平（1）A为高电平（1），T导通，Y为低电平（0） 实现了非

26、门的关系 又称反相器。(vI)A(vO)VCCR1RcYAY 加入VEE的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时，也能使三极管基极为负电位，从而使三极管 可靠截止，输出为高电平。811. 体积大、工作不可靠。2. 需要不同电源。3. 各种门的输入、输出电平不匹配。分立元件门电路的缺点4. 带负载能力差。 与分立元件电路相比，集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点，而且输入、输出电平匹配，所以早已广泛采用。根据电路内部的结构，可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路等。82输入级倒相级输出级称为推拉式电路或图腾柱输出电路一、TTL反相器的电路结构和工作原理831.输入为低电平（0.2

27、V）时三个PN结导通需2.1V0.9V不足以让T2、T5导通T2、T5截止841.输入为低电平（0.2V）时vovo=5vR2vbe4vD23.4V 输出高电平852.输入为高电平（3.4V）时电位被嵌在2.1V全导通 vB1=VIH+VON=4.1V发射结反偏1V截止T2、T5饱和导通862.输入为高电平（3.4V）时vo =VCE50.3V 输出低电平87 可见，无论输入如何，T4和T5总是一管导通而另一管截止。 这种推拉式工作方式，带负载能力很强。88VCCR14kR26kR4140R31kD1D2AYT1T2T4T5(vI)(vO)B1C2E2二、电压传输特性（输入电压与输出电压的关系

28、曲线）vI0.7V，vB11.4V，T2、T5截止，T4导通vO=VOH=3.4VABvO / V00.51.01.51.02.03.04.0vI / V截止区0.789VCCR14kR26kR4140R31kD1D2AYT1T2T4T5(vI)(vO)B1C2E2二、电压传输特性（输入电压与输出电压的关系曲线）ABvO / V00.51.01.51.02.03.04.0vI / V截止区0.7vI1.3V，1.4vB11.4，vB12.1V，T2、T5饱和导通，vO=VOL=0.2VE饱和区92门槛电压VTH：当输入电压高于此值时，输出变为低电平。 VTH 1.4VVCCR14kR26kR4

29、140R31kD1D2AYT1T2T4T5(vI)(vO)B1C2E2二、电压传输特性（输入电压与输出电压的关系曲线）ABvO / V00.51.01.51.02.03.04.0vI / VCDEVTH93二、主要参数1）输出高电平UOH、输出低电平UOL UOH2.4V UOL 0.4V 便认为合格。 典型值UOH=3.6V UOL=0.3V94uO(V)ui(V)123UOHUOL(3.6V)(0.3V)2）输入高电平UIHUIH 输入低电平UILUIL 典型值UIH=3.6V UIL=0.3V UonUoff 开门电平Uon= UIH（min）关门电平Uoff = UIL（max） 典型

30、值Uon=1.8V Uoff =0.8V 953）阈值电压UTuiUT时，认为ui是高电平。UT=1.4Vu0(V)ui(V)123UOHUOL阈值UT=1.4VT4输出管由截止转为导通(输出高电平转为低电平)时所对应的输入电压964）抗干扰能力（输入噪声容限）uO(V)ui(V)123UOHUOL(3.6V)(0.3V)UIHUILUonUoff低电平噪声容限： UNL= Uoff- UILUNL高电平噪声容限： UNH= UIH - UonUNH用来说明门电路抗干扰能力97一、输入特性（输入端的伏安特性）1.vI=VIL=0.2V时1VIL=0.2VIIL=?负号表示输入电流流出门.R14

31、kD1T10.2VIILVCCbe2be5输入端等效电路3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性982.vI=VIH=3.4V时1VIHI=3.4VIIH=?R14kD1T13.4VIIHVCCbe2be5VB1=2.1VT1处于倒置放大状态一般情况下，IIH40A正号表示输入电流流进门.99一.输入特性:输入短路电流IIS(IIL)高电平输入电流IIH100二.输出特性TTL反相器高电平输出特性由于受到功耗的限制手册上给出的高电平输出电流的最大值要比5mA小得多。74系列IOH(max)=0.4mARLVCCR4130VOHT4D2R21.6kiL输出高电平时，T4导通，T5截止,电

32、流流出门（拉电流）RL | iL | vR4 VOH101二.输出特性IOL(max)RLiL T 5 饱和程度 vCE5 VOL 输出低电平时，T4截止，T5饱和VCCR3VOLT5iLRL电流流进门（灌电流）VOL=0.2V时，iL=16mAiL /mA1015 52.01.0VOL /V0.216102前后级之间电流的联系？103前级输出为 高电平时前级（驱动门）后级（负载门）前级流出电流IOH（拉电流）1发射结反偏,输入电流IIH很小(几十A)104前级输出为 低电平时前级（驱动门）后级（负载门）0流入前级的电流IOL (灌电流)输入低电平时的输入电流IIL，大约为1mA。105扇出系

33、数驱动同类门的个数。灌电流工作时：拉电流工作时：扇出系数NO取NOL、 NOH中较小的一个。扇出系数衡量门电路的带负载能力。IILIOLIIHIOH106三、输入端负载特性实际使用时，输入端往往需接电阻RP =0.9K时，vI =0.8V； RP =1.9K时，vI =1.4V，输出变为低电平；vI增加到1.4V后，不再增加。通过电阻接地R14kRPT1vIVCCbe2be51vIRP1071. 悬空的输入端相当于接高电平。2. 为了防止干扰，一般应将悬空的输入端接高电平。说明1083.5.5 其他类型的TTL门电路 一. 其他逻辑功能的门电路输入端改成多发射极三极管1.与非门109 TTL集

34、成门电路的封装： 双列直插式 如：TTL门电路芯片（四2输入与非门，型号74LS00 )地GND外 形管脚 电源VCC（+5V）11074LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。111两方框中电路相同A为高电平时，T2、T5同时导通，T4截止，输出Y为低电平。B为高电平时，T2、T5同时导通，T4截止，输出Y为低电平。A、B都为低电平时，T2、T2同时截止，T5截止，T4导通，输出Y为高电平。2.或非门112或非门与或非门1133.与或非门1144.异或门若A、B同时为高电平，T6、T9导通，T8截止，输出低电平；A、B同时为低电平，T4、T5同时截止，使T7、T9导通，T8截止，输出也为低电平。A、B不同时，T1正向饱和导通，T6截止；T4、T5中必