下册第1章半导体分立器件及其基本电路

1、下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 多极放大电路多极放大电路下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 Si Si Si Si价电子价电子本征激发：本征激发：空穴空穴自由电子自由电子下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页

2、l半导体有两种导电粒子（载流子）：半导体有两种导电粒子（载流子）：自由电子、空穴自由电子、空穴下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一个失去一个电子变为电子变为正离子正离子下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目

3、录 章目录章目录返回返回上一页上一页PN 结：结：P型半导体和型半导体和N型半导体交界面的特殊薄层型半导体交界面的特殊薄层 外电场外电场IFPN+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+少子在外电场少子在外电场作用下定向移作用下定向移动，形成很小动，形成很小的反向电流。的反向电流。IR下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页阴极

4、引线阴极引线阳极引线阳极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型阴极阴极阳极阳极( d ) 符号符号D下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下

5、一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页定性分析：定性分析：判断二极管的工作状态判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是若二极管是理想理想的，的，下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例例1：D6V12V3k BAUAB+解：解：下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例例2:mA43122D IBD16V12V3k AD2UAB+解：解：下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页V sin18itu t 解：解：下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页UZIZIZM UZ IZ_+UIO下一页下一

6、页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ZZ ZIUr下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页EC下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页EEBRBRC下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO下一页下一页总目录

7、总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII CEOBCBOBC)(1 IIIII BC CEO III ，有有忽忽略略下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨

8、论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路ECICEBmA AVUCEUBERBIBV+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页常常数数 CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页IB=020 A40 A60 A80 A100 A常常数数 B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页

9、上一页O 。 。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 BCII_ BCII 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ICBO A+EC AICEOIB=0+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区ICUCEO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页53704051BC.II 400400605132BC .II 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页

10、上一页（1）V1=3.5V， V2=2.9V， V3=12V。例例2： 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。，判断管子的类型、材料及三个极。NPN型硅管，型硅管，1、2、3依次为依次为B、E、C（2）V1=3V， V2=2.8V， V3=12V。（3）V1=6V， V2=11.4V， V3=12V。（4）V1=6V， V2=11.8V， V3=12V。NPN型鍺管，型鍺管，1、2、3依次为依次为B、E、CPNP型硅管，型硅管，1、2、3依次为依次为C、B、EPNP型鍺管，型鍺管，1、2、3依次为依次

11、为C、B、E下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例例3：测得电路中三极管各极对地的电位值：测得电路中三极管各极对地的电位值如下表所示，判断各管的工作状态及类型。如下表所示，判断各管的工作状态及类型。管号管号VB（V）VC（V）VE（V）T1-0.3-50T22.732.32T31-60T1：UBE = -0.3V，放大状态，放大状态，PNP型型T2： UCE = 0.3V，饱和状态，饱和状态，NPN型型T3： UCE = -6V， 截止状态，截止状态，PNP型型下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上

12、一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiEECRSesRBEBRCC1C2T+RL+ui+uo+uBEuCEi

13、CiBiE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页UBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui = 0)时时:uBE = UBEuCE = UCE uo = 0+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页ICUCEOIBUBEO结论：结论：QIBUBEQUCEIC下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页UBEIB无输入信号无输入信号(ui = 0)时时:？ uCE = UCC iC RC uBE = UBE+ uiuCE = UCE+ uo u

14、o 0IC+UCCRBRCC1C2T+ui+uo+uBEuCEiCiBiEuBEtOiBtOiCtOuCEtOuitOUCEuotO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+集电极电流集电极电流直流分量直流分量交流分量交流分量动态分析动态分析iCtOiCtICOiCticO静态分析静态分析下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uitOuotO下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页直流通路直流通路( IB 、 IC 、 UC

15、E )对直流信号电容对直流信号电容 C 可看作开路（即将电容断开）可看作开路（即将电容断开）断开断开断开断开+UCCRBRCT+UBEUCEICIBIE+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页RBRCuiuORLRSes+ XC 0，C 可看作短可看作短路。忽略电源的内阻，路。忽略电源的内阻，电源的端电压恒定，电源的端电压恒定，直流电源对交流可看直流电源对交流可看作短路。作短路。短路短路短路短路对地短路对地短路+UCCRSesRBRCC1C2T+RLui+uo+uBEuCEiCiBiE下一页下一页总目

16、录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页放大电路无信号输入（放大电路无信号输入（ui = 0）时的工作状态。）时的工作状态。估算法、图解法。估算法、图解法。各极电压、电流的直流分量。各极电压、电流的直流分量。放大电路的直流通路。放大电路的直流通路。 (1)静态工作点静态工作点Q：IB、IC、UCE 。静态分析：静态分析：确定放大电路的静态值。确定放大电路的静态值。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页BBECCB RUUI 所以所以BCCBRUI 根据电流放大作用根据电流放大作用CEOBC III BB II 当当UBE 0 时，时，P P型衬底中的电子受到电场力的吸型衬

17、底中的电子受到电场力的吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；N型导电沟道型导电沟道下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页EGP型硅衬底型硅衬底N+N+GSD+UGSED+N型导电沟道型导电沟道当当UGS UGS(th(th）后，场效后，场效应管才形成导电沟道开始应管才形成导电沟道开始导通。导通。若漏若漏源之间加上源之间加上一定的电压一定的电压UDS，则有漏，则有漏极电流极电流ID产生。在一定的产生。在一定的UDS下下漏极电流漏极电流ID的大小与的大小与栅源电压栅源电压UGS有关（有关（U UGSGS越越大，沟道越宽）。所以，大，沟

18、道越宽）。所以，场效应管是一种电压控制场效应管是一种电压控制电流的器件。电流的器件。 在一定的漏在一定的漏源电压源电压UDS下，使管子由不导通变下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(thth）。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页有导电沟道有导电沟道无导电无导电沟道沟道UDSUGS/ID/mAUDS/Vo oUGS= 1VUGS= 2VUGS= 3VUGS= 4V下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页N型衬底型衬底P+P+GSD符号：符号：结构结构SiO2绝缘层绝缘层加电压才形成加电压才形成 P型导

19、电沟道型导电沟道 增强型场效应管只有当增强型场效应管只有当时才形成导时才形成导电沟道。电沟道。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页夹断电压夹断电压 耗尽型的耗尽型的MOS管管UGS= 0时就有导电沟道，加反时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off)转移特性曲线转移特性曲线0ID/mA UGS /V-1-2-34812161 2U DSUGS=0UGS0漏极特性曲线漏极特性曲线0ID/mA16 201248121648IDSS下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页GSD符号：符号：SiO2绝缘层中绝缘层中掺

20、有正离子掺有正离子予埋了予埋了N型型 导电沟道导电沟道下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，时，若漏若漏源之间加上一定的电压源之间加上一定的电压UDS，也，也会有漏极电流会有漏极电流 ID 产生。产生。 当当UGS达到一定达到一定负值时，负值时，N型导电沟道消失，型导电沟道消失，ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的这时的UGS称为夹断电压，用称为夹断电压，用UGS(off(off）表示。表示。 下一页下一页总目录总目录 章目

21、录章目录返回返回上一页上一页符号：符号：GSD予埋了予埋了P P型型 导电沟道导电沟道SiO2绝缘层中绝缘层中掺有负离子掺有负离子下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页GSDGSDN沟道沟道GSDGSDP沟道沟道下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页DSGSm UDUIg 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页20020 mA/V51m g421010 1471010 对应电极对应电极 BEC GSD下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录

22、总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2GS(OFF)GSDSSD)1 (UUII 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2GSD)41 ( 8 UI下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页SDDDG2G1G2GSRIURRRU 2GS(OFF)GSDSSD)1 (UUII 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页)/(LDmioRRgUUAu gsiUU )/(LDdoRRIU RG1RDRG2RG+RL+SDGTOUiUdI)/( LDgsmRRUg )/(G2G1GiRRRr DORr 输入电阻输入电阻下一页下一页总目录总目录 章

23、目录章目录返回返回上一页上一页3.源极输出器源极输出器+UDD RSC2C1RG1RG2RG+RLuiuo+RG1RSRG2RG+RL+SDGTOUiUSI+gsU交流通路交流通路1)/(1)/(LSmLSmio RRgRRgUUAuogsiUUU )(LSSR/RIUo )( LSgsmR/RUg 电压放大倍数电压放大倍数)/(LSgsmgsRRUgU 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页CDDSDSGS uiuRU DS1V1.5VUGS=0.5V0ID/mA16 2012481216482V2.5V下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页Ui Uo

24、 | UGS| RDS Au Uo +UCC 放大器放大器 整流滤整流滤 波电路波电路uoui下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页性能性能: :正常充电时间正常充电时间7 7小时左右小时左右; ;充充电电流为恒定电电流为恒定值；充电电流值；充电电流大小由电池额定容量确定。大小由电池额定容量确定。LED电电池池R3u2TrDR2SDZ+ +R5R4R1C+T下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 LED发光二极发光二极管承受正向电管承受正向电压导通发光压导通发光, , 发光强度与通发光强度与通过的电流大小过的电流大小有关。有关。LED与与R5串联后，串联

25、后，接于接于R4 两端，两端，R4两端电压两端电压的大小，反映充电电流的的大小，反映充电电流的大小，大小，LED发光的亮、暗发光的亮、暗指示指示S的位置的位置, , R5是是LED的限流电阻的限流电阻, ,使通过使通过LED的电流限制在一定数值。的电流限制在一定数值。LED电电池池R3u2TrDR2SDZ+ +R5R4R1C+T下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页两级之间通过耦合电容两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接与下级输入电阻连接RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2R

26、L+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流由于电容有隔直作用，所以每级放大电路的直流通路互不相通，通路互不相通，。RB1RC1C1C2RB2CE1RE1+RS+RC2C3CE2RE2RL+UCC+oU1OUiUSEB1R B2R T1T2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页第一级第一级第二级第二级212ioi1oiouuuAAUUUUUUA 2ir1bI2bI1cI2cIrbeRB2RC1EBC+ +- -+ +- -+ +- -RSiUiI1oU1b1ISE

27、rbeRC2RLEBC+ +- -oU2b2IB1R B2R RB12i1C1L/ rRR 1be1L1io11rRUUAu be2L222io2rRUUAu 1iirr 2oorr L2CL2/ RRR 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 如图所示的两级电压放大电路，如图所示的两级电压放大电路，已知已知1= 2 =50, T1和和T2均为均为3DG8D。 RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页解解:

28、: (1) 两级放大电路的静态值可分别计算。两级放大电路的静态值可分别计算。A8 . 9mA2750)(110000.624) (1E1B1BECCB1 RRUUImA 49. 0mA 0098. 050)(1)1 (B1E1 II V77. 10V2749. 024E1E1CCCE RIUU RB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页V26. 843V438224B2B2B1CCB2 RRRUVmA 96. 0mA5 . 751

29、. 06 . 026. 8E2E2BE2B2C2 RRUUIRB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解: :下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页A 2 . 19mA5096. 02C2B2 IIV71. 6)V5 . 751. 010(96. 024)(E2E2C2C2CCCE2 RRRIUURB1C1C2RE1+RC2C3CE+24V+oUiUB1R B2R T1T2E2R E1R 1M 27k 82k 43k 7.5k 510 10k 解解: :下一页下一页

30、总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻由微变等效电路可知，放大电路的输入电阻 ri 等等于第一级的输入电阻于第一级的输入电阻ri1。第一级是射极输出器，它。第一级是射极输出器，它的输入电阻的输入电阻ri1与负载有关，而射极输出器的负载即与负载有关，而射极输出器的负载即是第二级输入电阻是第二级输入电阻 ri2。2ir1iirr 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1

31、B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER (2) 计算计算 r i和和 r 0 k58. 196. 0265120026)1 (200Ebe2 Ir k )(E2be2B2B1141/2 RrRRri k 22. 9k14271427/i2E1L1 rRR2ir下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 k 349 02650)(120026) (1200rE11be1 .I k 320)1 (/L1be1B1i1i RrRrr 2oorr k10C2o2o Rrr2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1

32、cIRE11oU+_+_+_2ER 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(3)(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数 994 022 950)(1322 9)501 ()1 ()1 (L111beL111u.RrRA 2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页(3)(3)求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数求各级电压的放大倍数及总电压放大倍数2bI2cIrbe2RC2oUrbe1iURB1B1R 2

33、BR 1bI2bI1bI1cIRE11oU+_+_+_2ER 1851. 050)(179. 11050)1 (2E2be22C2 RrRAu 总电压放大倍数总电压放大倍数9 . 1718)(994. 021 uuuAAA下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页将前级的输出端直接接后级的输入端。将前级的输出端直接接后级的输入端。可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。可用来放大缓慢变化的信号或直流量变化的信号。+UCCuoRC2T2uiRC1R1T1R2+RE2由于不采用电容，具有良好的低频特性。适合于集成由于不采用电容，具有良好的低频特性。适合于集成化的要求，在化的要求

34、，在集成运放集成运放的内部，级间都是直接耦合。的内部，级间都是直接耦合。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页指输入信号电压为零时，输出电压发生指输入信号电压为零时，输出电压发生 缓慢地、无规则地变化的现象。缓慢地、无规则地变化的现象。uotO晶体管参数随温度变化、电源电压晶体管参数随温度变化、电源电压 波动、电路元件参数的变化。波动、电路元件参数的变化。1. 前后级静态工作点相互影响前后级静态工作点相互影响下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。 严重时，可能淹没有

35、效信号电压，无法分辨是有效信严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是有效信号电压还是漂移电压。号电压还是漂移电压。 抑制零点漂移是制作高质量直接耦合放大电路的一抑制零点漂移是制作高质量直接耦合放大电路的一个重要的问题。个重要的问题。 差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对电路结构对称，在理想的情况下，两管的特性及对应电阻元件的参数值都相等。应电阻元件的参数值都相等。 +UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2两个输入、

36、两个输入、两个输出两个输出两管两管静态工静态工作点相同作点相同下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uo= VC1 VC2 = 0uo= (VC1 + VC1 ) (VC2 + VC2 ) = 0静态时，静态时，ui1 = ui2 = 0当温度升高时当温度升高时ICVC （两管变化量相等）（两管变化量相等）+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+UCCuoRCRB2T1RB1RCRB2RB1+ui1ui2+T2+共模信号共模信号 需要抑制需要抑制下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返

37、回上一页上一页+UCCuoui1RCRB2T1RB1RCui2RB2RB1+T2+差模信号差模信号 是有用信号是有用信号下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页例例1: ui1 = 10 mV, ui2 = 6 mV ui2 = 8 mV 2 mV 例例2: ui1 =20 mV, ui2 = 16 mV 可分解成可分解成: : ui1 = 18 mV + 2 mV ui2 = 18 mV 2 mV 可分解成可分解成: : ui1 = 8 mV + 2 mV 这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制这种输入常作为比较放大来应用，在自动控制系统中是常见的。系统中是常见的。 下一

38、页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页（Common Mode Rejection Ratio)CdCMRAAK ) (lg20(dB)CdCMR分贝AAK 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页 若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数若电路完全对称，理想情况下共模放大倍数 Ac = 0 输出电压输出电压 若电路不完全对称，则若电路不完全对称，则 Ac 0，实际输出电压实际输出电压 即共模信号对输出有影响即共模信号对输出有影响 。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+Uuoui1RCRPT1RBRCui2RERB+TEE+稳定静态工作点

39、，限制每个管子的漂移。稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。EE的作用：的作用：用于补偿用于补偿RE上的压降，以获得合适的上的压降，以获得合适的Q。下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-EE / -6Vuo1uo2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+URC / 5.1kRB / 10kRE / 5.1k-EE / -6VEEEEBBB2EIRUIR 由由EBBEEB)(RRUEI 12得得01mA.01 .5)501(2107 .06

40、 5mA.001.050BC II 0.51mA50)0.01(1)I1(BE I45V. 3105 . 0105.1-6-33CCCCC IRUV798V. 061051. 0101 . 52-233EEEE EIRV1V. 01001. 0101033BBB IRV下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uic1RC / 5.1kRB / 10k+uoc1RE / 5.1k+5mV2372i2i1ic2ic1 uuuu2mV2372i2i1id2id1 uuuuc1iUbIcIc1oUbIeI下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页c1iUbIcIc1o

41、UbIeIEbbbeBcbic1oc1c1)1(2)(RIIrRRIUUA EbeBC)1 ( 2RrRR 8k. 251. 026)1(200be ri1EbeBCoc2oc1)1 (uRrRRuu 51 . 5)501 (8 . 2101 . 550 39mV.2 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页uid1RC / 5.1kRB / 10k+uod1+c1iUbIcIc1oUbIbeBCbbeBCbid1od1d1I)(rRRrRRIUUA 8mV.3928 . 2101 . 550-id1beBCd1o urRRu 8mV.392)(8 . 2101 . 550-

42、id2beBCd2o urRRu 下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页2mV.428 .3939. 2)5(od1oc1o1 uuu4mV.378 .3939. 2od2oc2o2 uuu0)6(oc2oc1oc uuu6mV.798 .398 .39od2od1od uuu39mV. 2oc2c1o uu8mV.39od1 u8mV.39od2 u2mV.42o2o1o uuu下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-EE / -6Vuo1uo2下一页下一页总目录总目录 章目录章目录返回返回上一页上一页+Uuoui1RC / 5.1kRPT1RB / 10kRC / 5.1kui2RE / 5.1kRB / 10k+T-