功能薄膜及其制备方法

1、会计学1功能薄膜及其制备方法功能薄膜及其制备方法第1页/共52页第1页/共52页第2页/共52页第2页/共52页第3页/共52页第3页/共52页第4页/共52页第4页/共52页第5页/共52页第5页/共52页第6页/共52页第6页/共52页第7页/共52页第7页/共52页第8页/共52页第8页/共52页第9页/共52页结构的变化，以提高其性能指标。结构的变化，以提高其性能指标。第9页/共52页第10页/共52页晶相的聚合体，并在后续的退火晶相的聚合体，并在后续的退火过程中形成所需的过程中形成所需的HTS 相相。第10页/共52页第11页/共52页第11页/共52页第12页/共52页效应。磁记录

2、材料分颗粒（磁粉）涂布效应。磁记录材料分颗粒（磁粉）涂布型介质和连续薄膜型磁记录介质两种。型介质和连续薄膜型磁记录介质两种。第12页/共52页第13页/共52页CoCrPt 磁膜间产生磁退耦合作用，磁膜间产生磁退耦合作用，矫顽力矫顽力Hc 高达高达295 kA/m，晶粒，晶粒非常小；非常小；第13页/共52页第14页/共52页magnetoresistance，GMR) 效应。效应。第14页/共52页第15页/共52页第15页/共52页第16页/共52页美国美国 IBM公司公司MR 和和GMR 磁记磁记录密度的研究进展录密度的研究进展。第16页/共52页第17页/共52页第17页/共52页第1

3、8页/共52页第18页/共52页第19页/共52页电薄膜（ZnAl2O4，ZAO）。第19页/共52页第20页/共52页求，求，ZAO 薄膜比薄膜比ITO 薄膜更有优势。薄膜更有优势。第20页/共52页第21页/共52页膜的组成膜的组成,能够实现以前没有的全新能够实现以前没有的全新的结构与组成。的结构与组成。CVD 方法中方法中,常见的常见的反应方式及特点如表。反应方式及特点如表。第21页/共52页第22页/共52页第22页/共52页第23页/共52页产生了产生了ECR2CVD 。第23页/共52页第24页/共52页积速度积速度( 1020 m/ h) ,而且金刚而且金刚石膜的质量得到显著提高

4、。石膜的质量得到显著提高。第24页/共52页第25页/共52页第25页/共52页第26页/共52页率率,是一种大面积工业化生产金刚石薄膜是一种大面积工业化生产金刚石薄膜的装置。的装置。第26页/共52页第27页/共52页第27页/共52页第28页/共52页,受外焰的影响(分几个区间) ,金刚石薄膜的微观结构较差,同时气体消耗大,成本较高。第28页/共52页第29页/共52页金刚石薄膜金刚石薄膜,使使96 %的金刚石晶粒保持的金刚石晶粒保持在在 100 取向取向,晶粒间取向差在晶粒间取向差在23。第29页/共52页第30页/共52页第30页/共52页第31页/共52页第31页/共52页第32页/

5、共52页第32页/共52页第33页/共52页第33页/共52页第34页/共52页第34页/共52页第35页/共52页第35页/共52页第36页/共52页第36页/共52页第37页/共52页第37页/共52页第38页/共52页第38页/共52页第39页/共52页第39页/共52页第40页/共52页,上淀积成膜上淀积成膜. 淀积结束后淀积结束后,通常要按预定通常要按预定的曲线降温的曲线降温.第40页/共52页第41页/共52页第41页/共52页第42页/共52页第42页/共52页第43页/共52页就可保证薄膜成分正确就可保证薄膜成分正确, 即除氧之外即除氧之外各化学元素之比与靶一致各化学元素之比与靶一致.第43页/共52页第44页/共52页第44页/共52页第45页/共52页第45页/共52页第46页/共52页第46页/共52页第47页/共52页第47页/共5