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文档简介

1、模拟电子线路分析与制作 -半导体二极管2 原子结构二极管的符号1 定义 3 共价键半导体二极管简称二极管，是以PN结作为核心，以一定的工艺加上外壳和引脚制作而成，因此二极管同样具有单向导电性。1 二极管的定义 按照材料，二极管一般可以分成硅（Si）二极管、锗（Ge）二极管。2 二极管的材料 二极管一般在整流（整流二极管）、稳压（稳压二极管）、检波（检波二极管）、限幅（双稳态二极管）、照明（大功率LED）、信号指示（小功率LED）等场合广泛应用。3 二极管的用途4 二极管的符号阳极阴极与PN结的P区相连与PN结的N区相连2 原子结构二极管的特性1 定义 3 共价键 由于二极管的核心是PN结，因此

2、二极管具备PN结的单向导电特性，在二极管的两端加正电，二极管将导通，加负电，二极管将截止。1 二极管正向特性正向电压：阳极A接高电位，阴极K接低电位。曲线段：电压较小时，不足以克服内电场的阻力，二极管几乎不导通，电流很小。结果由于二极管的管压降总是存在且基本恒定在一定数值，根据功率等于电压降与流过电流的乘积可知，二极管的正向电流并能无限增加，否则发热量会超过散热能力，而烧坏内部的PN结。曲线段：电压较大时，足够克服内电场的阻力，二极管完全导通，电流急剧增加。门槛电压：两段曲线中间的转折点（又称死区电压），用Vth表示 。Si管的Vth=0.5V，Ge管的Vth=0.1V。管压降：完全导通后二极

3、管两端的电压 。Si管（0.6-0.7V），Ge管（0.2-0.3V）。2 二极管反向特性反向电压：阴极K接高电位，阳极A接低电位。曲线段：反向电压在安全范围内，PN结截止，二极管截止，反向电流主要由少数载流子的形成，很小。结果反向击穿可以分为雪崩击穿和齐纳击穿，这两种击穿都是可逆的，断电可恢复。利用齐纳击穿可以制成稳压二极管。如果由于反向电压和反向电流的乘积过高，超过二极管的耗散功率，将造成二极管热击穿而损坏，热击穿是不可逆的，我们需要尽量避免。曲线段：反向电压过大，PN结反向击穿，二极管反向电流急剧增加。反向击穿电压：两段曲线中间的转折点，用VBR表示 。3 二极管的主要参数（1）最大整流电流IF （2）反向击穿电压VBR 手册中一般提供的是VR，即最大反向工作电压，VR=0.5VBR （3）反向电流IR （4）最大工作频率fM 二极管型号IFVRIRfM1N4007（Si）1A100

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