关于多线切割线痕问题

1、1.硅片表面出现单一的一条阴刻线（凹槽）、一条阳刻线（凸出），并不是由于碳化硅微粉的大颗粒造成的，单晶硅、多晶硅在拉制过程中出现的硬质点造成跳线，而形成的线痕；2硅片表面集中在同一位置的线痕，很乱且不规则；机械原因、导轮心震过大、多晶硅铸锭的大块硬质晶体；3硅片切割第一刀出现线痕，硅片表面很多并不太清晰：沙浆粘度不够、碳化硅微粉粘浮钢线少、切削能力不够，碳化硅微粉有大颗粒物，钢线圆度不够、带沙量降低，钢线的张力太小产生的位移划错，钢线的张力太大、线弓太小料浆带不过去，打沙浆的量不够，线速过高、带沙浆能力降低，沙、液比例不合适，热应力线膨胀系数太大，各参数适配性差。4切割中集中在某一段的废片，是

2、由于跳线引起的；跳线的原因：导轮使用时间太长、严重磨损引起的跳线（导轮使用次数一般为75-85次），沙浆的杂质进入线槽引起的跳线。5常见阴刻线线痕，由于晶棒本身有生成气孔，切割硅片后可见像硅表面一样亮的阴刻线,并不是线痕。6常见线痕：进刀口：由于刚开始切割，钢线处在不稳定状态，钢线的波动产生的线痕（进线点质硬，加垫层可消除线摆）；倒角处的线痕：由于在粘结硅棒时底部残留有胶，到倒角处钢线带胶切割引起的线痕，硅棒后面的线痕：钢线磨损、造成光洁度、圆度都不够,带沙量低、切削能力下降、线膨胀系数增大引起的线痕。单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下：固定：将单晶硅棒固定在加工台上。切片：将单晶硅棒切

3、成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300500C,硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有

4、机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂,并且脱去外套盖在女孩身上。RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子,mbtlami。SPM清洗：用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。DHF清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。APM清洗：APM溶液由一定比例的NH4OH溶液、H2O2溶液组

5、成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。HPM清洗：由HCI溶液和H2O2溶液按一定比例组成的HPM,用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此工序产生氯化氢和废盐酸。DHF清洗：去除上一道工序在硅表面产生的氧化膜。磨片检测：检测经过研磨、RCA清洗后的硅片的质量，不符合要求的则从新进行研磨和RCA清洗。腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸

6、溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀Bo分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在1020um,uggcardy。此处产生粗抛废液。精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。包装：将单晶硅抛光片进行包装。硅片等级分类及标准NewRoman一、优等

7、品1：硅片表面光滑洁净。2：TV：22020pmo3：几何尺寸：边长1250.5mm；对角1500.5mm、1480.5mm、1650.5mm；边长1030.5mm、对角1350.5mm；边长1500.5mm、1560.5mm、对角2030.5mm、2000.5mm。同心度：任意两个弧的弦长之差W1mm。垂直度：任意两边的夹角：900.3。二、合格品一级品：1：表面有少许污渍、轻微线痕。2：22020pmTV22030pm。3：几何尺寸：边长1250.5mm；对角1500.5mm、1480.5mm、1650.5mm；边长1030.5mm、对角1350.5mm；边长1500.5mm、1560.5

8、mm、对角2030.5mm、2000.5mm。同心度：任意两个弧的弦长之差W1.2mm。垂直度：任意两边的夹角：900.5,cheapradiishoes。二级品：1：表面有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。2：22030pmTV22040pm。3：凹痕：硅片表面凹痕之和W30pmo4：崩边范围：崩边口不是三角形状，崩边口长度Wlmm,深度W0.5mm5：几何尺寸：边长1250.52mm；对角1500.52mm、1480.52mm、1650.52mm；边长1030.52mm、对角1350.52mm；边长1500.52mm、1560.52mm、对角2030.52mm、2000.52mm。同心度：任意两个弧的弦长之差Wl.5mm。垂直度：任意两边的夹角：900.8。三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅落现象。2：22040pmWTVW22060pm。3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV22060pm。崩边片：有缺损但可以改103的硅片。气孔片：硅片中间有穿孔。外形片