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文档简介

1、第二节 晶体三极管 的其它工作模式1当两个PN结均加正向偏置电压。 晶体三极管内部载流子传输过程： 可分解为两个方向，相反的传输过程的叠加。（1）、正向传输：假设，发射结正偏置，集电结零偏置。 1、饱和模式 ：NIFPNR1 IBIEICIRR2V2V1ECB晶体管内部载流子传输示意图2发射结产生的正向偏置电流为 IF ，现将它转移到集电极， 则为 NIFPNR1 IBIEICR2V1CEB3（2）、反向传输：假设，发射结零偏，集电结正偏。 NPNR1 IB IEICIRR2V2ECB 由集电结正偏产生的反向传输电流为 IR ，转移到发射极的电流为 4 与 分别为共基极连接时，正向电流传输系数

2、和反向电流传输系数。综合分析： 由此可见，在饱和模式下，IE 和 IC 将同时受到两个结正偏电压的控制作用，已不再具有放大模式下得正向受控作用。 若 VBCIE 、IC由于 IR增加了IR 的空穴电流成分IBIR5 因此，IC 与 IE 之间或 IC 与 IB 之间均不满足放大状态下的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即 VBE(sat) 与 VBC(sat) 称为饱和导通电压对于硅管，一般取VBE(sat) VBE(on) =0.7VVBC(sat) VBC(on) =0.4V当共发射极连接时：VBEVCBVCEVCE = VCB + VBE = VBE - VBC = 0.7V 0.4V = 0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为 VCE(sat) = 0.3V (对小功率晶体三极管而言)6CBVCEVCE(sat)VBE(on)VBEE饱和模式下共发射极连接时的简化电路型：7 2、截止模式： 晶体三极管，发射结、集电结均反偏。 若忽略它们的反向饱和电流，则可近似认为晶体三极管的各极电流

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