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文档简介
1、元器件筛选指导书文件编码:PQA-SOP-0001文件版本:A半导体分离器件一晶体管生效日期:2006/01/25文件页次:第1页,共2页试验目的 通过以下筛选试验剔除具有潜在缺陷的早期失效各种类型的晶体管,从而提高公司产品的使用可靠性。序 号筛选项目试验条件筛选方法及步骤试验后检验技术要求判定标准1高温储存 筛选储存温度:Tstg+205CSTG2储存时间:12h以上常用晶体管储存温度:1955C: IRFP250N;IRF540N;170 5C:IRG4PC30F;SGH15N60RUFD;TIP32C;TIP122;KBPC3510;160 5C:BTA06-600C (可控硅类)。将晶
2、体管均匀平放在高温箱的底 部隔板上。开启高温箱,高温箱以10C/min 升至设定的最高储存温度,待温度稳 定后开始计时。48h后关闭高温箱,待器件恢复 至常温后按照相关的检验项目测试 筛选,同批试验的器件测试应在96h 内完成,如果在规定时间内不能完成 测量,那么,在完成试验后的测量前, 器件应追加12h相同条件的试验。外 观晶体管表面无明显氧化痕迹。1、晶体管表面明显发黑。B晶体管表面无开裂现象。2、晶体管表面开裂。A性 能 参 数反向耐压大于要求值。3、耐压值少于要求最小限值。A触发电压在要求范围内。4、触发电压在要求的范围外。触发电流在要求范围内。5、触发电流在要求的范围外。正相压降少于
3、要求的限值。6、正相压降大于要求的限值。电流放大倍数B在要求范围内。7、电流放大倍数少于要求的限值。其他相关性能参数符合要求。8、其他性能参数要求不符合日常检 验指导书的要求。2高温反向偏置老炼老炼温度:共欢5CSTG2工作状态:对晶体管同时加上高温 环境应力和反向偏压应力。常用晶体管老化条件:功率场效应晶体管:加0.8V晌(BR)DSS,150C,至少工作 160h。绝缘栅双极性晶体管:加0.8V(br)dss,150C,至少工作 96h。(BR) DSS整流管、普通二级管及稳压管:5085%VDRM, 150 C,至少工作 48h。将晶体管安装在符合要求的老化 设备上。首先将晶体管的栅极与
4、源极短路,然后在漏极与源极间加0.8V朋) (BR)DSS直流电压。开启高温箱,高温箱以10C/min 升至设定的试验温度,待温度稳定后 开始计时。高温试验时间终结时,应首先关闭 高温箱,待器件表面温度恢复至30 5C,方可撤除偏置电压,同批试 验的器件测试应在96h内完成。外 观晶体管表面无开裂现象。1、晶体管表面开裂。A性 能 参 数反向耐压大于要求值。2、耐压值少于要求最小限值。A反向漏电流在要求范围内。3、反向漏电流在要求的范围外。触发电流在要求范围内。4、触发电流在要求的范围外。正相压降少于要求的限值。5、正相压降大于要求的限值。电流放大倍数B在要求范围内。6、电流放大倍数少于要求限
5、值。其他相关性能参数符合要求。7、其他性能参数要求不符合日常检 验指导书的要求。元器件筛选指导书文件编码:PQA-SOP-0001文件版本:A半导体分离器件一晶体管生效日期:2006/01/25文件页次:第2页,共2页3常温静态功率老炼环境温度:255C工作状态:晶体管处于工作直流偏 置状态,在器件安全范围内适当加 大老炼功率。老化时间:12h以上 常用晶体管老化条件:大功率三极管:在额定功率下 带散热片老炼12h,用调节散热使 使管心达到最高结温。小功率三极管:在室温下老练 24h,老炼功率使管心达到最高结 温。普通二极管及整流桥堆:在室 温下通以1.5倍额定电流正向老炼 12h。稳压二极管
6、:额定功率3W以 下者,以1.5倍最大功率反向老炼 12h,额定功率N3W,以额定功率 反向老炼12h。将晶体管安装在符合要求的老化 设备(设备有良好的防自激振荡措 施)上。给晶体管施加电压时,要从零开始 缓慢增加,去电压时也要缓慢减少, 否则电源电压突变产生的脉冲可能 损伤器件。对于场效应管,在老炼时 加偏压应有时序要求:加电时先加栅 偏压后加漏偏压,停电时先去除漏偏 压,后去除栅偏压。若时序反则易烧 毁晶体管。老炼后要及时测量,否则某些参数 会恢复到原来的数值。为了保证三极管能在最高允许结 温下老炼,应准确测量三极管热阻;或者利用体内二极管压降的变化测 量结温。为了防止环境温度因电路本身散
7、 出的热量升高,应将试验置于保温盒 中进行试验。外 观晶体管表面无明显氧化痕迹。1、晶体管表面明显发黑(严重氧 化)。B晶体管表面无开裂现象。2、晶体管表面开裂。A性 能 参 数反相耐压大于要求值。3、耐压值少于要求最小限值。A触发电压在要求范围内。4、触发电压在要求的范围外。触发电流在要求范围内。5、触发电流在要求的范围外。正相压降少于要求的限值。6、正相压降大于要求的限值。电流放大倍数B在要求范围内。7、电流放大倍数8少于要求的限 值。其他相关性能参数符合要求。8、其他性能参数要求符合日常检验 指导书的要求。/晶体管储存温度Tstg的范围为Tstg1,TSTG2,不同晶体管的储存温度值可查看datasheet资料数据。A表示严重不合格项,其筛选不合格率5%,则判定
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