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文档简介

1、方阻问题电阻率(Qm)(resistivity)国际单位制中，电阻率的单位是欧姆米(Qm或ohmm)，常用单位是欧姆毫米和欧姆米。电阻率的计算公式为：p=RS/L.方阻就是方块电阻,仅与导电膜的厚度等因素有关，而与面积的大小无关。方阻异常处理方法：如果方块电阻不在规定范围内，轻微超出范围要求重新扩散，严重超出要求重新制绒，方阻偏低或，色斑，偏磷酸等由硅片表面问题引起的玷污需去PSG后从新制绒。几种异常表现及工艺调整方法：1如果扩散不到，增大N2的携带流量。2方块电阻偏高，加大源量，延长扩散时间，通入足够量的小N2和O2。3一般偏差几个欧姆通过温度调整。方块电阻偏低，减少扩散温度，减少扩散时间。

2、扩散后单片上电阻不均匀，调整扩散气流量。说到高方阻的意义，大家应该都很懂:较低的表面杂质浓度，有效降低了表面的杂质复合中心，提高了表面少子的存活率，同时增加短波的响应，如此有效的增加了Isc和Uoc，达到提高效率的目的；(电流电压低可能是扩散方块电阻低了)问题但是与此同时表面薄层电阻明显增加，增大了Rs，降低了FF。要使最终的效率有所提高，就需要Uoc、Isc的提高大于FF的降低。PECVD调整大家可能不明白，高方阻为什么需要PECVD调整？那就仔细往下看表面钝化的改善：高方阻的目的就是降低表面复合，提高短波响应，如果表面钝化很糟糕，那Isc的损失会很明显。反射光谱改善：高方阻是提高短波的响应

3、，那就需要在一定的程度上减少短波的反射，需要PECVD的n和d的调整。丝网印刷如果效率有提高，那只需要调节烧结炉的工艺即可，一般是在原有的工艺基础上降低温度，因为浅结更容易烧穿；当然不排除提高带速增加温度的可能。如果效率没有提高，或很少，那就需要变更正电极网版的设计，增加栅线、降低细栅线宽度（细线密栅原则）,最好是在不增加遮光面积的前提下进行网版的设计，这是最理想的。岡子下降;恆Eec退出全屏悴克卄路电瓯和紐路电流均F障低酚戟了艺恋就/：采用就会产生熏掺杂毀応】在一定范围内*E随结深増大，超出范雨后.咼势相反浒詰瀝犀响载流子收集敦率extL2*6高阻I.；口1：1丨隹花L|.过和丄血i：花！W1）髙方阴邀味希浅结.可以握囱电池的短潑响应.进而提崗喩路电流；打和普通方阻相比.

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