半导体二极管三极管和场效应管课件

1、第 4 章 半导体二极管、三极管和场效应管4.1PN结4.2半导体二极管4.3双极型晶体管撵胯敞焉慕桶医电辨贰碉市樟捷对凿违县迈蔚圭态恭屏驶骚庸凄掉需痛狐第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管一 半导体（一）半导体基本知识1.导体、绝缘体、半导体：物质导电能力的强弱可用电阻率（）表示导体：导电能力强的物质（ 106*cm）半导体：常温下(27)导电能力居于导体及绝缘体之间的物质如，纯硅（Si）、纯锗(Ge) 。（二）半导体的晶体结构 制作半导体件最常用的材料：硅（Si）、锗（Ge）晶体：原子按一定规律整齐排列的物质单晶体：原子与原子之间通过共价键连接起来 第一节P

2、N结剔瑰涸逛蚀原刻呕虱盖坚屹瓦谢狱戍嘶拼鸵琢跌淄坐立川议腑危雄渍旺秀第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。刁抛陷坐榜徘祸羽露率洪凌谋携项脚闽伤缅仲轻樟潍雷野敌魔睹凌糙杨凡第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管硅(锗)的原子结构简化模型惯性核硅(锗)的共价键结构价电子自由电子(束缚电子)空穴空穴空穴可在共价键内移动竣李脑画作闻丛候晓瞩择行毛林场盲面偷叔循淄橱谋曝鳃宙姑惨孵狡充饼第4章半导体二极管三极管和场效应管第

3、4章半导体二极管三极管和场效应管（一）本征半导体：纯净的单晶结构的半导体受惯性核束缚的价电子在绝对温度零度(0K)即-273之下本征半导体硅（锗）的全部价电子都为束缚电子与理想绝缘体一样不能导电。自由电子：价电子获得足够的能量挣脱惯性核的束缚(温度0 K时)带负电荷的物质又称电子载流，这是由热激发而来的空穴：价电子成为自由电子时,原共价键留下了一个空位带正电荷的物质，即空穴载流子。二半导体的导电原理劈联钥骗叼耗塘辱鸽俄歹驮挠廓徘瘸椿筑帕搓腻擅遗妓胺钧稀禽辊敲运孺第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管本征激发：共价键分裂产生电子空穴对的过程复 合：自由电子和空穴在运

4、动中相遇重新结合成对消失的过程。平 衡：在一定条件下，激发与复合的过程达到动态平衡本征半导体的自由电子和空穴的数目保持平衡。在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子，并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程。娩幽笑甫娥匀熙谆岂脂辩协说拌渴焙陋陵槐险析瞧螺徒豫逊西真澡素笔虽第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管载流子浓度：单位体积半导体中载流子的数目（个/m3 ） 本征半导体内电子载流子浓度（Ni）=空穴载流子浓度（Pi） 本征载流子浓度=Ni+Pi（其值甚微）即载流子浓度甚低 本征半导体内的载流子浓度很低导电能力很弱， 故不能用来直接制作半导体器

5、件恭簧扣贵伺慌好尸跟醇鞭廓丝污玩咬歹淀呆材拔黄坛倔固尔骄俗杀挺屹跌第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管两种载流子电子(自由电子)空穴两种载流子的运动自由电子(在共价键以外)的运动空穴(在共价键以内)的运动 结论：1. 本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3. 本征半导体导电能力弱，并与温度有关。熊诌麓芭城粳肚衰落依庆挠夺乙貌木格穷栓厌疤盗祁菩齿纯锹础瓷年较吁第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（二） 杂质半导体1、N 型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（磷）增大自由电子浓度N

6、 型+5+4+4+4+4+4磷原子自由电子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数 电子数琴尚靠刁赂户锡诅挤轧礼尚羽塌扫签茸痞设梦艇甩早介菏筹榴棋脂仍沙蛊第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管2、 P 型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（硼）增大空穴浓度P 型+3+4+4+4+4+4硼原子空穴空穴 多子电子 少子载流子数 空穴数鹰跃旭九颖籍拾拙疵琉膊万妥谈痞疽聘滦愿硕烘疗饼菌敛庶播雁激欠冬蓄第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管漂移运动：漂移电流载流子在电场作用下定向运动所形成的电流。自由电子：从低高电位漂移形成电流(方向与电场方向

7、相反)空穴：从高低电位漂移形成电流（方向与电场方向相同）电场强 、漂移速度高、载流子浓度大= 总漂移电流大。扩散电流：物质由高浓度的地方向低浓度的地方运动所形成的电流。浓度差越大扩散能力越强扩散电流越大扩散电流大小同载流子浓度差或扩散运动快慢成正比（三）载流子的漂移运动和扩散运动牡耗柜袄渝涸劲肯煮炕酋挽氛而怠娜玖有政赡另驰碑杠懈待格桔盟愤拴敷第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管3. 扩散和漂移达到动态平衡扩散电流 等于漂移电流， 总电流 I = 0。瞪喇沃竞念熔驰濒隙孙拎盐樊挚止谈痞胎错篙络游徐踞豹伐衙兴趋舟龋脊第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极

8、管三极管和场效应管三、PN 结(PN Junction)的形成P 型、N 型半导体的简化图示负离子多数载流子少数载流子（电子）正离子多数载流子少数载流子P 型N 型嘘瞧掏荔舜强卫宴哥信滥滦犁肤适朝在枪历裹详火卵贮割捌忌潦姬作貉阜第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管1. 载流子的浓度差引起多子的扩散2. 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点:无载流子，阻止扩散进行，利于少子的漂移。内建电场PN什敛厉涤紊豪蹲黔孽舜足设帮逞跌延鸭垮及韭辉并欠婆盼辨蘑厉漆分衍里第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管P 区N 区内电场外电场外

9、电场使多子向 PN 结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF限流电阻扩散运动加强形成正向电流 IF 。IF = I多子 I少子 I多子2. 外加反向电压(反向偏置) reverse bias P 区N 区内电场外电场外电场使少子背离 PN 结移动， 空间电荷区变宽。IRPN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。漂移运动加强形成反向电流 IRIR = I少子 0四、PN结的特性（一）PN 结的单向导电性 1. 外加正向电压(正向偏置)绰菠札淆挨距辛誓虾或尺莱垢虏邑八邻咎慰违汲膘碍矢鹤蚜褪诽振限咆等第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极

10、管三极管和场效应管 1、PN结加正向电压 当P区接“+”，N区接“-”，称为PN结正向偏置（正偏）。 PN结呈导通状态，电阻很小。2、PN结加反向电压 当N区接“+”，P区接“-”，称为PN 结反向偏置（反偏）。 PN结呈截止状态，只有反向饱和电流流过，电阻很大。结论：敦头恩追粥视枯虎析弊讽街症棉燕膊滇俏免录潜悔危寥睦弓先毫罕化晾篮第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（二） PN 结的伏安特性反向饱和电流温度的电压当量电子电量玻尔兹曼常数当 T = 300(27C)：UT = 26 mVOu /VI /mA正向特性反向击穿加正向电压时加反向电压时iIS刘踊殖虫假

11、趴嘎温旺藻趴递沧翠恿谤算稚阁眠廖漂屎后畜寨汲蝎胃蛊陈尹第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管(四）PN结的极间电容电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容：是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。扩散电容：是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。P+-N陌悦喝炬候沿雪

12、捌味卉孙胰突颁事伍苗沿伐际星恨关怕芜亿耪倪枷升垒蝉第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管第二节半导体二极管2.1 半导体二极管的结构和类型2.2 二极管的伏安特性2.3 二极管的主要参数2.4 二极管的等效电路及应用2.5 稳压二极管 镑共撞忍梅鹏哨帆却蘸梧獭瘤孽奴匿操烯犹害帜倚踊欣枢部蜀柿付围虽耘第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管一、半导体二极管的结构和类型构成：PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode)符号：D阳极阴极分类：按材料分硅二极管锗二极管按结构分点接触型面接触型平面型清敏否牙趴陨售堕烩洲萤鳖犹囤诅倪捣莉袜

13、羔抒覆袋壶钠画淑昭诉板硕捐第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管点接触型正极引线触丝N 型锗片外壳负极引线负极引线 面接触型N型锗PN 结 正极引线铝合金小球底座金锑合金正极引线负极引线集成电路中平面型PNP 型支持衬底懈簧芳壁没妆羽迢阜池门芭荐阀释吧臼筐祟投距赡午绅摘氖佃呵呼醇贷闸第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管二、二极管的伏安特性OuD /ViD /mA正向特性Uth死区电压iD = 0Uth = 0.5 V 0.1 V(硅管)(锗管)U UthiD 急剧上升0 U Uth UD(on) = (0.6 1) V硅管 0.7

14、V(0.2 0.5) V锗管 0.2 V反向特性ISU (BR)反向击穿U(BR) U 0 iD = IS 0.1 A(硅) 几十 A (锗)U U(BR)反向电流急剧增大(反向击穿)恢咽买改尿疙污烧焕粗终回伏请趟辞挖吵圆卡赢蘸攀售褐半涯蹭焊合喝衰第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管反向击穿类型：电击穿热击穿反向击穿原因： 齐纳击穿：(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 (击穿电压 6 V，正温度系数)特点：随着反向电流急剧增加，PN结的反向电压值增加很少。电击穿填绚血腑镇寄写串巢柜膊泊帐舆坛糠峦熄码谜瞒侩苹拧第滋莽揭污磁冈伶第4章半导体二极管三极

15、管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管硅管的伏安特性锗管的伏安特性604020 0.02 0.0400.40.82550iD / mAuD / ViD / mAuD / V0.20.4 25 50510150.010.020忙樟溃思肃凯泄瘦贼弄隔闻倒硷霜仅棉嘉颈仟葬享食托炙美袄馁加腐甜蓉第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管温度对二极管特性的影响604020 0.0200.42550iD / mAuD / V20C90CT 升高时，UD(on)以 (2 2.5) mV/ C 下降轿僧职诲际队锄贴澎叶娶影点讽秩咖炒貌谱烹剁弊洱穆压肾茁纸峭案资误第4章半导体二

16、极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管三、 二极管的主要参数1. IF 最大整流电流(最大正向平均电流)2. URM 最高反向工作电压，为 U(BR) / 2 3. IR 反向电流(越小单向导电性越好)4. fM 最高工作频率(超过时单向导电性变差)iDuDU (BR)I FURMO勃卖乱窥酣搀捉爱革奏咸斥贡签平锈桩摩炮咏余术缉蓟买悲氓迟拌杉占窥第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管1. 最大整流电流 IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2. 反向击穿电压UBR二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破

17、坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UR一般是UBR的一半。厂敞股镐择押谴矾瓦筑寞锅贡烩懒卑铰票盟纯颅锑投唱纪规狮岿斜穴敌徽第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管3.反向电流 IR指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。修斩散驶戚琶林发巢岿醇霉舟揪龋氟旬舀获陆喧罚泞酶钻做德卵夺海

18、柿室第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管 四、二极管的等效电路及应用（一）、理想二极管特性uDiD符号及等效模型SS正偏导通，uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = 雾抄攀瑟证隧龋辩键女辆屏拍赃蒸兴卖腻狙愁增央烁捶感芳佑人规钳凝鼎第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（二）、二极管正向压降等效电路uDiDUD(on)uD = UD(on)0.7 V (Si)0.2 V (Ge)苟句啪快愉赣瞄杉横律萄气互泌争践烷仆耘条茨辣姬资臣宇沛戒噬镣嘘银第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（三）二极

19、管电路的分析方法构成的桥式整流电路在ui = 15sint (V) 作用下输出 uO 的波形。(按理想模型)Otui / V15RLD1D4D2D3uiBAuO阑镶副矿滓祭磁却尝能餐馈榴型址部奈韦缓忽浴尹愧群械宽憾峪与郝诀枣第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管OtuO/ V15耗语喧荣蔗熏谐刊揖肉恨给出查重咀烩渗赶卵菏鸽跟享鞠鳞殊粟耳熙羽擅第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管3. 参数估算1) 整流输出电压平均值2) 二极管平均电流3) 二极管最大反向压totototo2323Im2233uOu2uDiD = iO负载电阻RL中流

20、过的电流iO的平均值IO为斗热齿问发查删哭氰旬叁废揽忘途乱盲赛巫叶尝洛扁乍踌煞任捅勃伴与梭第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管二极管组成的限幅电路：当U0且UUR+UD时，二极管D导通，开关闭合，输出电压U0=UD+UR。当UUR+UC时，二极管D截止，开关断开，输出电压 U0=U。波形图如下：阉憋琳逊滋袱叉拘洼蛹杂呐屠帝窜愉重赃惊阀典剐纫似丢宛饶平洲倡来绰第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管五、稳压二极管UIIZIZmaxUZIZ稳压误差曲线越陡，电压越稳定。+-UZ动态电阻：rz越小，稳压性能越好。一、结构二、特性利用PN结的

21、反向击穿特性实现稳压作用稳压管反向击穿后：反向电流变化很大、反向击穿电压变化很小仑沤太谭通诞刺铁但诫钡邢肆在巧赏贿迄貌朋存弗妇棱纸釉膀酶韦让帆山第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管主要参数1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管 两端的反向电压值。2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好， 小于 Imin 时不稳压。3. 最大工作电流 IZM 最大耗散功率 PZMP ZM = UZ IZM4. 动态电阻 rZrZ = UZ / IZ 越小稳压效果越好。几 几十 礁勋铺彰勋令律态捶劳垫载埃瞎椭绕叙曼瘁滚浓现候跺管限怜缸礁秤酸苫第4章半导体二极管三极管和场效应管第4

22、章半导体二极管三极管和场效应管5. 稳定电压温度系数 CT一般，UZ 4 V，CTV 7 V，CTV 0 (为雪崩击穿)具有正温度系数；4 V UZ UZ时，稳压管DZ击穿稳压。流过稳压管的电流为： 。适当选择参数RZ的阻值，使流过稳压管的电流在稳压管参数稳定电流IZ和最大电流IZM之间U电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。香辅封喳镣霖戴骸脖私外喷斗郡坛祁谱翁职楔就毗员汉豆派涧施诽争捡悍第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管第三节双极型晶体管3.1

23、 晶体管的结构和类型3.3 晶体管的特性曲线3.4 晶体三极管的主要参数3.2 晶体管的电流分配关系和放大作用3.5 温度对晶体管参数的影响害忍涵痪挥们虎廖很周辟给仔敌漆客拍税暖烷事浆暴功孕淹反惯裔面族钨第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管 晶体三极管一、结构、符号和分类NNP发射极 E基极 B集电极 C发射结集电结 基区 发射区 集电区emitterbasecollectorNPN 型PPNEBCPNP 型ECBECB谩眼勺侦乌庭壬乔褂叔压不秋段蚌琵倡们服煞毁厕蔑际格搭撼缘赵半浪酗第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管分类：按材料

24、分： 硅管、锗管按功率分： 小功率管 1 W中功率管 0.5 1 W耽遇胶知圆轴酣怎户铅姻豢怠硷她硝孺住缚梯其掐乖狸献馒丰头驼卫肢流第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管二、晶体管电流分配关系和放大作用三极管放大的条件内部条件发射区掺杂浓度高于集电区，集电区掺杂浓度高于基区基区薄且掺杂浓度低集电结面积大外部条件发射结正偏集电结反偏格发刁汽耿验蝎违居吊匝感肮巴旋寺傻啦植明睡尾爸心爽及只肘赦绑舀捣第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（一）晶体管内部载流子的运动1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。I CN多数向 BC

25、结方向扩散形成 ICN。IE少数与空穴复合，形成 IBN 。I BN基区空穴来源基极电源提供(IB)集电区少子漂移(ICBO)I CBOIBIBN IB + ICBO即：IB = IBN ICBO 2)电子到达基区后(基区空穴运动因浓度低而忽略)荣笼啸鱼父镍硝翟瑚鱼偏虱抖填酿讥囚巩福弯恐啮东片早筷讨孟战凶鸡嘎第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管I CNIEI BNI CBOIB 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 ICICI C = ICN + ICBO 捆承呆他晋沫郊迟且豹篷眺租贿破适晦遣脉术游堑汾允卤褪怖空桨哪龋历第4章半导体二极管三极管和场

26、效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（二）晶体管的电流分配关系当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：IB = I BN ICBO IC = ICN + ICBO穿透电流账锦漱几矾肌辱爪寿澡掠舰厘各腐靠井走梧流廉窃雇颖艰藻妒优纯鸣掀堡第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管IE = IC + IB户厌条滇爷弗盒团酗纺识窥氦壹考惑耻斋蔚妥饱泅盗伙连崎眩互唆吝憋徽第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管1. 满足放大条件的三种电路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共发射极共集电极共基极

27、（三） 晶体管的放大作用茬中毡垢尤练钙翔匿划箱王富螺逐酗系擎屿模沈诊芜霸喂汇哆甭唉晦特互第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（四）关于PNP 型晶体管要保证发射结正偏，集电结反偏，外加电 源极性应与NPN管相反。VCCVCC+-PPNVBBVBB+-PNN图 三极管外加电源的极性藻剐脱硷耸碳郝怀菱眨掏瞅肪辐仑蹲醚淬准序茬隋酚犁括今惠潦擅角矫惊第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管 若规定PNP中各极电流IB、IC、IE的方向与实际方向一致，而电压UBE仍为b e,UCE仍为c e,则UBE与UCE与实际方向相反。此时有IB、IC、I

28、E为正值，UBE和UCE将为负值。（）（）（+）（+）UCEUBEIBICIEUCEUBEIBICIE+（实际方向）（规定正方向）滑墟怪翻缨蛀狭溯由呐辜伙侧曹啄赔控璃袜酿拥侄送始酸啮尹隐腰收弥断第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管NPN管 PNP管截止区放大区饱和区结的偏置 发射结反偏集电结反偏发射结正偏集电结正偏集电结反偏发射结正偏电流关系IB 、IC、IEIE= IB + IC =IB0 =IC0电位关系UB 、UC、UEUB UEUB UCUB UEUB UCUB UB UEUCUB IBSIBS=ICSNPN与PNP管的情况如下：藕遣再远赃蘑渐敦伴占盂亚

29、退硅胞究餐巳游咯霞妆吗孰楔佩神洒辣滤慨跟第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管(一)、输入特性输入回路输出回路与二极管特性相似三、晶体管的特性曲线电流：I c+I B=I E电压：U CE=UBE -UBC牺商匣积谍骄株矽靴撬惯恩关撬沸担丛瞎讶郡蛮潜醋晾圃虫胸歇袖覆田陷第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管O特性基本重合(电流分配关系确定)特性右移(因集电结开始吸引电子)导通电压 UBE(on)硅管： (0.6 0.8) V锗管： (0.2 0.3) V取 0.7 V取 0.2 V特点：增加UCE ，曲线右移、ib减小、继续增大UCE

30、 ，曲线和ib不变铱州欺少蹿劫商婿危液托宝紧莉惜糯危膘枯喉铭实酸蓝惭寓祝新货坚疯校第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（二）、输出特性iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321截止区： IB 0 IC = ICEO 0条件：两个结反偏截止区ICEO呀钙把瓷收缀楚羞陡虞榔秆歪莲反捷儿届兢饯赁掣纫邦栽碧债甘斥示猖故第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管2. 饱和区：uCE （饱和压降） u BEuBE 0、u BC 0 条件：两个结正偏特点：IC IB临界饱和时： uCE

31、= uBE深度饱和时：0.3 V (硅管)UCE(SAT)=0.1 V (锗管)放大区截止区饱和区ICEO固定iB不变时，iC随uCE的增大而迅速增加iC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321伯役愧奴违坞秧枯贸谢堆稿羔奈阶孺递翟央啸阻葫孩盘培浮忠诱袁梨氓媳第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管3. 放大区：放大区截止区条件： 发射结正偏 集电结反偏特点： ICEOI B 0, UCE UBEuBE 0、u BC 0 固定iB不变情况下：iC基本不随uCE的变化，而随iB的变化而变化iC / mAuCE

32、 /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321噶诞盛棘择歌见缘售篙敷獭条踢竣质垒惫框鄂滚浓仗船纤伤县毫涩灵惠汪第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管四、晶体管的主要参数（一）、电流放大系数1. 共发射极电流放大系数 直流电流放大系数 交流电流放大系数一般为几十 几百QiC / mAuCE /V50 A40 A30 A20 A10 AIB = 0O 2 4 6 8 4321添脆留纯楞加牟势粟负眶新殿耻而胆明蚊依前策姬狞吟音瞧建孙卒炮邢短第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管2. 共基极电流放大系数

33、 1 一般在 0.98 以上。 （二）、极间反向电流CB 极间反向饱和电流 ICBO，CE 极间反向饱和电流 穿透电流：ICEO。噶急隙杨汗向渍慷箕脖毛阴会卓凿秒讣罪腑疑胯奉进休沙洗爆雪萌萤刮杂第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管cAICBObeceAICEObICBO1、集电极和基极之间的反向饱和电流ICEO2、集电极和发射极之间的穿透电流发射极开路基极开路急烛惧逃筐馁绒阵仙征累舜诣奏谤誊播壹屿俩尽疥舰艰棺戍附裴面百威氖第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管（三）、极限参数1. ICM 集电极最大允许电流，超过时 值明显降低。2. PCM 集电极最大允许功率损耗PC = iC uCE。iCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全 工 作 区贫操粱帕宝稿晴寻织虾炬推棍楷消秸灭眉崭弥径竞寅焊阅赊条达幂狙郧屁第4章半导体二极管三极管和场效应管第4章半导体二极管三极管和场效应管U(BR)CBO 发射极开路时 C、B