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文档简介

1、集成电路芯片封装工艺流程芯片封装技术工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装芯片互连成型技术去飞边毛刺切筋成型上锡焊打码芯片切割为何减薄？ 尺寸变大 变厚 切割划片困难 以TSOP为例：总厚900m 有效厚300 m背面减薄技术： 研磨，化学机械抛光CMP，干式抛光， 电化学腐蚀(Electrochemical Etching) 湿法腐蚀，等离子腐蚀有损坏，工艺改进：DBG(Dicing Before Grinding)先划片后减薄 DBT(Dincing By Thinning)减薄划片优点：避免硅片翘曲，划片引起的边缘损害 芯片贴装共晶贴装法：金69%-硅31%共晶，363度反应 多用于陶瓷封装，

2、在氮气中进行 预型片：1/3芯片面积 缺点：高温，芯片框架热碰撞系数失配 焊接贴装法：芯片-金，焊盘淀积Au-Pd-Ag,焊料Pb-Sn 优点：热传导性好，适合高功率器件封装 焊料：硬质焊料：金硅，金锡 软质焊料：铅锡共同点：都是利用合金反应 导电胶贴装法:导电胶含银的高分子聚合物，有良好的 导热导电性能的环氧树脂， 7580银，目的是散热 多用于塑料封装工艺 固化：150度，1小时；186度，半小时玻璃胶贴装法：玻璃胶是低成本芯片粘贴材料 冷却降温注意速度 优点：无空隙，热稳定好，低结合应力 缺点：胶中有机成分和溶剂要去除 多用于陶瓷封装，玻璃胶在特殊处理的铜合金 引脚架上才能键合芯片互连芯片互连：将芯片焊区与电子封装外壳的I/O 引线或基板上的金属布线区相连常见的方法：打线键合WB(Wire Bonding) 载带自动键合TAB(Tape Automated Bonding) 倒装芯片键合FCB(Flip Chip Bonding) C4 WB:4n257 n为I/O数 TAB:10n600 FCB:5nCu Au厚膜电阻材料：厚膜介质材料：厚膜工艺1.按导体，绝缘体和介质材料选好材料制成 粉料主剂2.加入玻璃粘结剂，金属氧化物等混合成厚 浆料3.按电路图形涂于基板上，进行导体，电阻和介电体制成膜4.烧制成引线端子，布线，电感，电阻

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