三极管(经典)全解课件

1、2.1 晶体三极管第1页，共18页。重点难点1、三极管的基本结构2、三极管的电流放大原理及其分配规律 三极管的电流放大原理及其分配规律内部特点外部条件放大作用第2页，共18页。二极管1.外形：3. 单向导电性：2.图形符号、文字符号： 正偏：V正极 V负极，导通 R小0反偏：V正极 V负极，截止 R大有利于扩散运动有利于漂移运动温故知新：第3页，共18页。第4页，共18页。NNCEBPCETBIBIEIC符号BECPPNETCBIBIEIC符号一、分 类 与 结 构1.结构：有NPN型和PNP型2.材料：有硅三极管和锗三极管3.工作频率：有高频三极管和低频三极管4.功率大小：有大功率三极管和小

2、功率三极管第5页，共18页。NPN 型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极 c基极 b发射极 eNNP第6页，共18页。集电区集电结基区发射结发射区集电极 c发射极 e基极 bcbe符号NNPPNPNP 型第7页，共18页。bcebce 三极管：三个极、三个区、两个PN结电极C与E的位置能对换吗？想一想：？第8页，共18页。以 NPN 型三极管为例讨论cNNPebbec表面看三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。不具备放大作用第9页，共18页。基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高BECNNP集电区：面积大二、晶 体 管 电 流 放 大 作 用1、晶体

3、管实现放大的内部特点第10页，共18页。晶体管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极(1)发射区掺杂浓度最高：发射区掺杂浓度远大于基区，利于向基区扩散。(2)基区做得很薄且掺杂浓度低：保证绝大部分载流子扩散到集电结。(3)集电区面积较大：以便收集更多的载流子。 可见，三极管不是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。第11页，共18页。V1NPPPNNV2V2V1ECBECB2、晶体管实现放大的外部条件- + - + + - + - 想一想：三个电极的电位大小关系如何？发射结）（扩散利于集电

4、结）（漂移利于发射结集电结发射结集电结VCVB VEVEVB VC第12页，共18页。【举例分析】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位V1、V2、V3分别为： （1）V1=3.5V、V2=2.8V、V3=12V （2）V1=3V、V2=2.8V、V3=12V （3）V1=6V、V2=11.3V、V3=12V （4）V1=6V、V2=11.8V、V3=12V判断它是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定E、B、C。 （1）1 b、2 e、3 c NPN 硅 （2）1 b、2 e、3 c NPN 锗 （3）1 c、2 b、3 e PNP 硅 （4）1 c、2 b、3 e PNP 锗原

5、则：先确定B，再求|UBE|，若等于0.60.8V，为硅管；若等于 0.10.3V，为锗管，从而E、C确定。 根据发射结正偏，集电结反偏。 NPN管：VC VB VE PNP管：VC VB VE 解：小试牛刀：第13页，共18页。EBRBIBICECRCNPIEN发射区向基区扩散电子扩散运动形成发射极电流IE电子在基区的扩散与复合集电区收集电子漂移运动形成集电极电流IC复合运动形成IB电流分配关系：动态过程IEIBIC第14页，共18页。电流分配：IEIBICIE扩散运动形成的电流IB复合运动形成的电流IC漂移运动形成的电流直流电流放大系数交流电流放大系数RCVCCiBIERB+uBE+uCE

6、VBBCEBiC+输入回路输出回路共射电路三极管是一个电流控制元件，IC由IB控制。共射电路：IC=IB第15页，共18页。【举例分析】某放大电路中三极管三个电极的电流如图所示。 IA-2mA,IB-0.04mA,IC+2.04mA,试判断管脚。解：电流判断法。电流的正方向和KCL。IE=IB+ ICABC IAIBICC为发射极B为基极A为集电极巩固战果：第16页，共18页。胸有成竹：发射区掺杂浓度大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区面积大且掺杂少一、内部结构 三个极、三个区、两个结二、外部条件NPN管：VC VB VE PNP管：VC VB VE 内部特点外部条件放大作用 IC=IB第17页，共18页。【1】工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的放大倍数约为（ ）。A. 83 B. 91 C. 100【2】某晶体管的发射极电流等于 1mA