三极管的基础知识课件

1、电子技术公开课教师：陈梅电子技术公开课课 题： 半导体三级管的基本特征目的要求： 1.掌握三极管的结构特点和类型。 2.掌握三极管的内部工作条件。 3.理解掌握三极管的外部工作条件。 教学重点： 三极管的结构特点和工作条件教学难点 ： 三极管电流放大原理 电子技术公开课 1. P型半导体、N型半导体材料各有什么特点？答案：P型半导体：空穴载流子多于电子载流子 N型半导体：电子载流子多于空穴载流子2. 二极管具有什么特点？答案：单向导电性复习提问：电子技术公开课引言 半导体三极管又称为晶体管或双极型三极管，是组成各种电子电路的核心器件。2.1 1.三级管的结构和类型 三极管有:两个结 三个电极

2、三个区电子技术公开课三个电极 电子技术公开课BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型 电子技术公开课三个区 电子技术公开课BECNNP基极发射极集电极 基区集电区发射区电子技术公开课两个结电子技术公开课BECNNP基极发射极集电极发射结集电结电子技术公开课工艺特点 工艺特点小结：不是俩PN结的简单组合是三极管具有电流放大作用的内部依据 BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高电子技术公开课BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管符号电子技术公开课三极管的分类1.按结构区分：有NPN型和PNP型

3、。 3.按工作频率区分：有高频三极管和低频三极管。 2.按材料区分：有硅三极管和锗三极管。 4.按功率大小区分：有大功率三极管和小功率三极管 电子技术公开课三极管的电流放大原理一、外部电压的偏置情况： 电子技术公开课三极管的电流放大原理由电路图分析可知：Vb Ve：发射结正偏，且导通压降为Ube0.7V或0.3V这是一个重要数据，可以用来检验管子是否正常Vc Vb：集点结反偏，即：Vc Vb Ve电子技术公开课二、载流子的分布情况：BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高电子技术公开课三极管的电流放大原理三、载流子的运动情况： BECNNPEBRB

4、ECIE基区空穴向发射区的扩散可忽略。IBE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。电子技术公开课三极管的电流放大原理BECNNPEBRBECIE集电结反偏，少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEIBEICE从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。电子技术公开课三极管的电流放大原理IB=IBE-ICBOIBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE电子技术公开课三极管的电流放大原理注意：三极管制作成型后，

5、多子在基区复合与扩散的比例基本保持不变，即： 电子技术公开课三极管的基本特征 1、具有电流放大作用： 在基极引入小电流，再集电极就会得到大电流2、或电流控制作用： 改变的IB大小，IC就随之成比例地改变，即IB控制Ic3、各极电流的数量关系IC=IBIE=IC+IB=（1）IB电子技术公开课课堂讨论1.三极管具有电流放大作用的内部条件？ 发射结正偏，集电结反偏：NPN型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：Vc Vb Vb Ve NPN123电子技术公开课课堂小结 三极管的结构特点：三极、三区、二极三极管的基本特征：具有电流放大作用：两个工作条件：内部条件：三个区的特殊工艺结构 外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即： NPN型三极管：Vc Vb Ve PNP型三极管：Vc Vb