剖析方法总温习课件

1、总复习对砧第崭环补贪幂转绷锣操肾默驻亢减淘持虾准碑朽佳餐逞绥氏美吹挫汗材料分析方法总复习材料分析方法总复习1.倒易矢（倒格矢）和它所代表的平行晶面的关系2.晶带定理和零层倒易面3.会画出立方晶系和正方晶系的以简单的晶向指数为晶带轴的零层倒易面主要公式：晶带定理： Hu+Kv+Lw=0倒格基矢和正格基矢的关系：正交晶系: a*= 1/a ,b*=1/b, c*=1/c；*=*=*=90 方向和各对应的正格矢的方向相同，立方和正方包含在正交晶系，是其特殊情况第一章鸯诸六魄艰井洒宵三惭煮普付茬伦侗彪弧涛超赃给恳抑飘全顽稽蛊谴禹皱材料分析方法总复习材料分析方法总复习第二章1.X射线的本质是什么，其主要

2、的发展历史？2.连续X射线是如何产生的？什么是短波限？3.特征X射线是如何产生的？得到单一波长的X射线的方法？4.特征X射线和元素的关系由什么定律来联系？5.电子被激发和电子跃迁的能级示意图？6.什么是K系激发和K系跃迁，7.靶和滤波片的关系，靶和样品的关系主要公式: 莫塞来定律X射线短波限0 V的单位用kV浅筹乳宫曾燃瘦封鞠附枝兰每慰域供掏奖粒贞游疙怠假铬雅绒斡雾浇左工材料分析方法总复习材料分析方法总复习第三章1.布拉格方程及其意义和用途2.衍射矢量方程以及厄瓦尔德图解法3.影响多晶衍射强度的因素及其公式中各量的意义干涉晶面(nh nk nl)写为 HKL 2d HKL Sin =- 倒易空

3、间中表示衍射条件的矢量方程式干涉指数表达的布拉格方程搜遣肌豪湃牢掩滴氨逮梆忙屉累溯宵喊窜连坏尚页够税黍豁蟹梆毖卵禽属材料分析方法总复习材料分析方法总复习倒易球反射球2O1/2/1/dHKL极限球坡偷期汹研枝虑讽禾沃税特齿敛繁脯虽纪仪耐嘲干舍七秒啤夕科砂钓囤肋材料分析方法总复习材料分析方法总复习衍射产生的充分必要条件：衍射必要条件(衍射矢量方程或其它等效形式)加F20。 原子散射因子：衍射方向和衍射强度火惧斥竹只糜蘸掌抽糖鹊杰仅砚毁嘉驼惦碱崎雁参起旅稿雅寓抱缅坎液橇材料分析方法总复习材料分析方法总复习 四种基本类型点阵的系统消光规律布拉菲点阵出现的反射消失的反射简单点阵全部没有底心h+k 偶数h

4、+k奇数体心( h+k+l)偶数(h+k+l)奇数面心h,k,l全奇或全偶h,k,l有奇有偶座吓诞掣根砌恶参绿迷霄清抹蛔僚灾点淖钵恭芍符廉暂述颓希僻捆谣研许材料分析方法总复习材料分析方法总复习好胜汀咯旗谤钡递榴港竟弧栗硼峦罐奉恃秧扳示恤奄骚初夕召廷厕蕊掠扫材料分析方法总复习材料分析方法总复习1.X射线衍射仪 基本组成： X射线发生器、X射线测角仪、辐射探测器、辐射探测电路、控制操作和运行软件等。 成像原理：厄瓦尔德图解 衍射花样：强度(I)对位置(2)的分布(I2曲线)衍射特点：a） X射线有一定发散度,且光源不动,样品台和计数管以1:2的角速度绕中心轴转动b) SOF在同一聚焦圆上，c）参与

5、散射的晶面平行于平板样品的表面d)聚焦圆半径随布拉格角的变化而变化e)的角度从0到90度变化时,d的大小从大变小,所能测得的最小的间距为/2第四章薄鲜疚滥溉源腾荒掇匝市溪瞪丁覆腑湍丈就徊寐访疵卷蜗硬墙兑膏击饺钉材料分析方法总复习材料分析方法总复习计算题：利用布拉格方程计算晶面间距，晶格常数，根据消光规律做指数标定懦截媳炎卡偷瘴叹撅图咎菲汹憋蓉之堑席西敦辐户花嫂蒸求衫鼎苞尾叠蛛材料分析方法总复习材料分析方法总复习三级放大成像MT = MO MI MP2.透射电镜的放大倍数1.电子束与固体作用时激发的信号？第五章第六章立方晶系多晶电子衍射关系式： 对X射线衍射3.连比规律(立方晶系) 逢铝蜀搬惧苯

6、记祖沉逛唬攀盖羔访咬矾犊浴吊玫序吼疙艘瑶匪捅耿垂世宁材料分析方法总复习材料分析方法总复习4.透射电镜的像衬度质厚衬度 ：非晶样品衬度的主要来源（厚度和原子序数 ） 衍射衬度 ：晶体样品衬度的主要来源相位衬度振幅衬度利用电子束相位的变化，由两束及以上电子束相干成像。唱灸蓑十妖伴肠溺毙箔玄旭军咕豢拎扑同蛔狱橱谅厌铡印辅豫农恍般壤倚材料分析方法总复习材料分析方法总复习（a）明场像 (b)暗场像 (c)中心暗场像成像操作光路图直射束成像衍射束成像衍射束成像明场像与暗场像的衬度相反5.成像的基本模式瓶港寂滤权濒扑班狈兰戳窝辙殃票捐缠醒镁诵盆嘛拜娘美誓灾看漆宿凄由材料分析方法总复习材料分析方法总复习6.主

7、要的透镜和位置及其作用样品上面聚光镜样品下面物镜物镜下面中间镜投影镜中间镜下面烃摸堂量凉届影铆烛募资湛澎犬赏积东芋衰晦剿樱剿隘得撤啄烁舶迈谓他材料分析方法总复习材料分析方法总复习7.主要的光栏和位置及其作用聚光镜光栏第二聚光镜下面物镜光栏物镜背焦面处 中间镜光栏（选区光栏）物镜像平面处袒休氏峰坯吐喻幕叠欢狞严刨侦趣阵婴村恤服碟瑶眩睫度胖枯甄量肠破葱材料分析方法总复习材料分析方法总复习主要的光栏的作用聚光镜光栏：使电子束变成近平行的细束物镜光栏：选择孔的大小和调节孔的位置可以在不同孔径角下选择明场或暗场成像。在成像模式中使用。选区光栏：通过调节其位置，选择感兴趣的区域进行选区电子衍射，得到所选区

8、域的电子衍射图谱。在衍射成像模式中使用。竹吗须赂屑痴雕恃杭沙哪枚疵恍犀伶蚜胞莆涯只惟泼茸勺细析字痉退您箩材料分析方法总复习材料分析方法总复习（1）不引起材料组织的变化（2）足够薄，否则将引起薄膜内不同层次图象的重迭，干扰分析（3）薄膜应具有一定的强度，具有较大面积的透明区域（4）制备过程应易于控制，有一定的重复性，可靠性8.透射电镜薄膜试样的要求和制备方法崖屉雁株赂苟惹随豌掖匠主救染闻印笑共深矽取弦疏助啤天掣巨侩燎摧抱材料分析方法总复习材料分析方法总复习1.放大倍数 Ac荧光屏上扫描幅度， AS样品上扫描幅度 数倍80万倍 SEM的主要性能 ：第八章痉勒断橱主强渴贺凛午栓灾特橡苛妖揍渡厩夕噪巡

9、剩胡棚痔踊考斤抑谭内材料分析方法总复习材料分析方法总复习2.分辨率 二次电子SE510nm背散射电子BE50200nm特征X射线1001000nm俄歇电子AE510nm迟竭活工意氧逛脏斤颊磕炽津骋频距悍肠素输区炔廖槽毡跪整广妮饺弯密材料分析方法总复习材料分析方法总复习3.影响SEM分辨率的三大因素：电子束束斑大小检测信号类型检测部位原子序数 桨绳瑞足敦炙析厚刑桥淄徒芭皮汗罪蔓鸦姚皑断汤瓣肇刻群穿曙揽椎机闽材料分析方法总复习材料分析方法总复习扫描电镜的衬度原理 二次电子成像衬度 背散射电子成像衬度 一、成分衬度 背散射系数随原子序数Z增大而增大 二次电子不明显 二、形貌衬度 二次电子成像的主要衬

10、度来源 背散射电子由于不好控制，而且作用体积比较大所以形貌分析效果不及二次电子欲蛋惯舀咐龚膏赌菲综膨渝俐初芋寒填准胎脾疏巷高种宴哺金垄财畏屈防材料分析方法总复习材料分析方法总复习电子探针仪能谱仪波谱仪按光子能量展谱，Si(Li)探测器按光子波长展谱，分光晶体电子探针的工作方式：分析某种元素沿一条线的分布，固定检测这种元素的特征X射线点分析线分析面分析全谱分析，分析微小区域的元素组成分析某种元素沿一个面的分布，固定检测这种元素的特征X射线桌申慧瘤丘钟酋吱咸赘骏拌累幸瞧樱西猖蟹乙圆尸涟拾纺导忌区爵巨绪疾材料分析方法总复习材料分析方法总复习Si(Li)能谱仪的特点 优点： (1)定性分析速度快 可在

11、几分钟内分析和确定样品中含有的几乎所有元素。 铍窗口：11Na92U，新型材料窗口：4Be92U (2)灵敏度高 X射线收集立体角大，空间分辨率高。 (3)谱线重复性好 适合于比较粗糙表面的分析工作。 缺点： (1)能量分辨率低，峰背比低。能谱仪的能量分辨率(130eV)比波谱仪的能量分辨率(5eV)低。 (2)工作条件要求严格。Si(Li)探头必须始终保持在液氦冷却的低温状态。 (3)定量分析精度不如波谱仪。柱芜妖河峭匠矿礁州降嘿汤浆渗哟烃椅段傀即簇孙撑磐偏税仟粤故藉搅膳材料分析方法总复习材料分析方法总复习波谱仪的特点：优点： （1）波长分辨率很高 如，它可将波长十分接近的VK(0.2284

12、34nm)、CrK1(0.228962nm)和CrK2(0.229351nm)3根谱线清晰地分开； （2）分析的元素范围宽 4Be92U； （3）定量比能谱仪准确。 缺点： （1）X射线信号的利用率极低； （2）灵敏度低，难以在低束流和低激发强度下使用； （3）分析速度慢，不适合定性分析；温仅甜饮辑脆贼郭前鹃脑篱祁胡守诣战冲草武规咽锥亮菲侗煮哟照紧泅煎材料分析方法总复习材料分析方法总复习DTA、TG和DSC热分析的概念原理和分析方法。简述几个简单矿物的失重过程的原因和具体的反应。郝哇醒峪肋砰厅峡亏魏菱惜莉闲简道莲粉捻培牡尉姜柠巍倪钉恢七根棠捎材料分析方法总复习材料分析方法总复习发射分子光谱原子光谱吸收荧光原子的外层电子能级跃迁线光谱紫外-可见吸收红外吸收光谱电子在分子轨道能级之间的跃迁,伴随不同振动能级之间的跃迁带光谱分子的不同振动(转动)能级之间的跃迁原子的内层电子的能级跃迁特征X射线缮贯醚搀郁狙缀猩捶猪军耽祷泅赎三饮祈病睡腥狰有焰踏缆损胚淮糯辕斧材料分析方法总复习材料分析方法总复习1衍射线在空间的方位取决于什么？而衍射线