《计算机电路基础》双极性晶体三极管习题

1、 精品文档13 级计算机电路基础习题二-22.2共发射极连接输出特性曲线输出特性是指在I 一定的条件下，的电压V 与电流I 之间的关系，三极BCEC管的输出特性曲线是一组曲线族，如图所示，在图中，每条曲线都可分为线性上升、弯曲、平坦三个部分，从该图2.3.3 双极性晶体三极管中还可以看出，输出特性曲线族可分为三个区。复习填空题1、三极管连接方式三极管有三个电极，在构成放大器时只能提供三个端子，因此必然要有一个电极作为输入和输出的公共端。据此，根据公共端的不同选择，三极管在构成放大器时，就有三种组态（连接方式）：电路基极为输入端，集电极为输出端。发射极作为公共端电路发射极为输入端，集电极为输出端

2、，基极为公共端。电路基极为输入端，发射极为输出端。集电极为公共端，如图所示。+ceceecbb+uo_+uiuououibui_(1) 截止区 IB0，三极管截止，I =0 曲线以下的区域称为。B 截止区偏置电压的特点：三极管发射结与集电结处于连接连接连接。 IB0，IC0，即为I 。CEO2、三极管的特性曲线I = 0 时，还有很小的集电极电流I ，这是因为在一定温度下，发射区的少数载流子能量较大，可穿越基BCEO三极管的特性曲线用来描述三极管的极间电压与相关电流之间的关系，主要有曲线两种。电流 I 之间区到达集电区而形成电流，通常把它叫作(2) 放大区。2.1.1 共发射极连接输入特性曲线

3、输入特性是指在 V 一定的条件下，加在三极管之间的电压 V 与它产生的为输出特性曲线之间间距接近相等，且互相平行的区域。放大区三极管的偏置电压的特点：发射结CE的关系，输入特性曲线入下图所示。BEB，集电结。电流受控，即i =，即在这区间，I 与I 成正比增长，即I 有一个微小的变化，I 将按比例发C生较大的变化，体现了三极管的电流放大作用。CBBCiB/A恒流特性，只要I 一定，i 基本不随u 变化而变化。BCCE(3) 饱和区 V 较小的区域，指输出特性曲线靠近左边垂直且互相重合的曲线与纵轴之间的区域。100UCE=0VU 1VCE806040CE饱和区三极管的偏置电压的特点：发射结和集电

4、结都处于。 I 不受I 的控制，这个区域内，即使增大I ，I 也不会明显增加，而基本保持不变，这就是所谓的“”。C饱和时的 V 值为饱和压降，用BBC表示，硅管饱和压降约为0.3V，锗管饱和压降约为0.1V。CE2000.2 0.4 0.6 0.8uBE/V在以上三个区域，三极管的偏置电压的特点归纳如下：输入特性曲线.2.12 输入特性曲线特点：截止区：放大区：饱和区：均反偏。当 U =0 时，输入特性曲线与的正向伏安特性相似，这是因为 V 加在基极与发射极之间的 PNCEBE结(发射结)上，该PN 结相当于一只二极管，只有当V 大于开启电压时，三极管才出现基极电流。这个开启电压的均正偏。BE

5、大小与三极管的材料有关。硅管约V，锗管约V.从三极管的输入特性曲线可以看出，当三极管处于放大状态时，加在发射结上的正偏电压V 只有零点几伏，其BE中硅管约V.，锗管在V 左右，这是检查三极管是否正常工作的重要依据。随着U 的增大输入特性曲线右移，但当U 超过一定数值（U 1）后，曲线不再明显右移而基本重合。【3 练习题】：某三极管的输出特性曲线如图所示，从曲线上可以大致确定该三极管在 U =6.5V，I =60A（b 点）附CECECECEB. 精品文档集电结，VCVB ，U：，近的 和值。CB9.41.71.0，VCVBVE工作状态是：（2）V = 1.7 V，V =1.3V， V = 1.

6、0 V；i /mAcBCE发射结集电结，VBVE，U =4B E，VBVC ，U =100A80A60A，工作状态是：B C（3）V = 1.7 V，V = 9.4 V，V = 2.0 V；32.5BCE发射结，U ：工作状态是：baB EiC 2iB40A20A1.7【4.2 练习题】、某人测量一只 PNP 型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分1别工作在什么状态？I =0B036912U /VCE解：在图示的输出特性曲线上作U =6.5V 的垂线，与 I =60A 的输出特性曲线交于 b 点，由此可得该点对CEB应的直流放大倍数 I =40A 时，I = 1.7

7、mA ；I =60A 时，I = 2.5 mA，（1）V = 1.0 V， V = 1.7 V，V = 9.4 V，B1C 1B2C 2E发射结BC， U ：，；ii= I - I =2.5-1.7 mA，= I - I =60-40AB 2 B1EBCC 2 C 1B集电结，工作状态是：（2）V = 1.7V ，V = 1.0 V，V =1.4V，；交流放大倍数 【4 练习题】：分析三极管工作状态EBC发射结集电结，VE VB， U =，EB，VC VB ，U=，工作状态是：C B（3）V = 9.0 V , V = 8.3 V，V =2.0V；三极管工作状态放 大EBC发射结集电结【4.3

8、 练习题】：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。，VE VB， U =，EB，VB VC， U：，工作状态是：工作状态工作条件截 止饱 和BC发射结集电结发射结集电结发射结集电结VBVBVE，NPN 型三极管 VBPNP 型三极管 VBVEVC VB VEVC VB VEVCVBVBVE，VEVC【4.1 练习题】、某人测量一只 3DG6（NPN）型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态？分析方法：（1） 1211.30，中间为基极；发射结 U =12-11.3=0.7，硅；VEVBVC，型三极管。型

9、三极管。EB（2） 123.73，中间为基极；发射结 U =3.7-3.0=0.7，硅；VCVBVE，BE5 三极管的主要参数（了解）下面以共射极接法为例，介绍三极管的几种常用参数。共射极电流放系数（1）V = 1.7 V，V = 9.4 V，V = 1.0 V；BCE发射结，VBVE ，U =；B E. 精品文档(1) 共射极(2) 共射极的三极管。10、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为3.5V，2.8 V，5V，试判断：同一个三极管，当 ICEO 较小时， 。选用管子时， 值应恰当， 值太大的管子工作稳定性差。a脚是b管型是c材料是，脚是，脚是（e, b，c）；6极间反向饱和电

10、流极间反向饱和电流，是三极管中少数载流子形成的电流，它的大小表明了三极管质量的优劣，直接影响它的工作稳（NPN，PNP）；定性。（硅，锗）。(1) 集电极基极反向饱和电流二、选择题(2) 集电极发射极反向饱和电流（又称穿透电流)1、三极管具有放大(A 电压)作用。I和 ICBO 存在下述关系： ICEO = (1)ICBOCEOB电流C功率D电位I与 ICEO 都随温度的升高而增大。在选用管子时，应选反向饱和电流小的管子。CBO2、三极管工作于放大区时，其外部条件是()7极限参数A发射结正偏，集电缜正偏B发射结反偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏三极管的极限参数是指

11、三极管在正常工作时所允许的最大电流、最大电压和功率的极限数值。(1) 集电极最大允许电流 ICM3、三极管工作于放大区时，集电极电流I 受()控制，与 V 几乎无关当 I 过大时，电流放大系数 将下降。在技术上规定，使 下降到正常值的 2/3 时的集电极电流CBECARBVCECRCDIB称电流。B4、三极管的电流分配规律是()。(2) 反向击穿电压AI = I IBI = I + IVVV(BR)CEO当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压，一般是几十伏。(BR)CBO当发射极开路时，集电极与基极之间所能承受的最高反电压，通常比VCEO 大些。(BR)EBO当集电极开路时，发

12、射极与基极之间所能承受的最高反向电压，一般在5 V 左右。BECCCBEBI = I + IDI =I IEBEBC5、NPN 型三极管和 PNP 型三极管的区别是()。A 由两种不同材料硅和锗制成(3) 集电极最大允许功率损耗 PCM技术上规定，在三极管因温度升高而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率B掺入的杂质元素不同CP 区和 N 区的位置不同称。为使三极管安全工作，可在三极管最大损耗曲线图中找出安全工作区和过损耗区，6 、PNP 型三极管实现放大作用时，三极电位之间的关系是()。如图 7.3.8 所示。AV V VBVcV V VDV V V V BV V V VDV

13、V VEBCEBCBCEECB（）21、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3 的电位各为 V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则。A、1 为 e 2 为 b 3 为 cC、2 为 e 1 为 b 3 为 cB、1 为 e 3 为 b 2 为 cD、3 为 e 1 为 b 2 为 c（）22、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。A、iCB、uCEC、iBD、iE4判别三极管的工作状态）24、三极管工作于饱和区时，其外部条件是()A 发射结正偏，集电缜正偏C 发射结反偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏三、计算题1、下图所示为三极管的输出特性，求：该三极管在U =6