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文档简介

1、实验一光电检测器件综合特性测试实验目的运用光电效应、光电变换、检测电路、信号采集及数据分析处理等多种知识 对常用半导体光电检测器件特性进行综合测试，并通过分析、比较，最终掌握其 应用。实验设备CSY-G型光电实验仪 1台/组实验原理半导体光电检测器件是利用了内光电效应将光信号转变成电信号，经检测电 路处理后，来观察其光电特性、伏一安特性的综合测试方法。实验步骤光敏电阻光敏电阻光电特性测试测量数据并填入下表，作出照度一电流曲线光强（Lx）02004006008001000电流（mA）光敏电阻伏一安特性测试将光强调节为100Lx，测量数据并填入下表，作出V-I曲线电压（V）+2+4+6+8+10电

2、流（mA）光敏二极管光敏二极管光电特性测试选择Rf=20K，测量数据并填入下表（I=V/Rf），作出照度一电流曲线光强（Lx）025050075010001250电压（mV）电流（I）光敏二极管伏-安特性测试将光强调节为100Lx，光敏二极管“ + ”极与公共端之间的联线去除，再将“-Vcc ”端口与光敏二极管“ + ”极相连，给二极管加上偏压，测量数据并填入 下表，作出VI曲线偏压（V）0-4-6-8-10电压（V0）电流(1 V0/Rf 1 )光敏三极管光敏三极管光电特性测试测量电压读数，计算出电流，并填入下表，作出照度一电流曲线光强（Lx）02505007501001250电压（V0）电

3、流（V0/1K）光敏三极管伏一安特性测试4.光电池光电池光电特性测试测量数据并填入下表，作出照度一电流曲线及照度一电压曲线光强（Lx）电流（mA）电压（mV）光电池伏一安特性测试分析与讨论根据测试结果作出以上光电检测器件相应的光电特性曲线及V-I曲线;对测试误差进行分析。注意事项连接电路时应确认无误，再通电测试。实验二光纤位移传感器测距实验目的掌握光纤位移传感器的测距方法。实验设备CSY-G型光电传感器实验仪三实验原理反射式光纤位移传感器的工作原理如图所示结构，两束多膜光纤一端合 并组成光分别作为光源光纤和接收光纤，光纤只起传输发射器的红外光，经 光源光纤照射至反射接收光纤至光电转换器将接受到的光纤转强决定于反 位移量。d XW四.实验内容与步骤1、观察光纤位移传感器结构，它由两束光纤混合后，组成Y定在Z型安装架 上，外表为螺丝的端面为半圆分布探头；2、因光/电转换器内部已安装好，用专用导线将机上的Ti 口上的Ti 口相连。 如图接线3、调节测微头，使光纤探头与反射面接触，调节调零电位器，转测微头使反 射面(被测体)慢慢离开探头，观察电压表读数由小到大变化的过程。4、旋转测微头使反射面离开探头约7mm、然后每隔0.05mn记下电压表并填入下表:X(mm)0.050.100.150.2010.00电压(V)5、作出V-X曲线6、参照曲线计算曲线灵敏度：S

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