水分散环境友好型纳米结构漆

1、.：.；国家方案“十五科技成果选编第三部分、新资料【编号：】 水分散环境友好型纳米构造漆单 位：吉林大学地 址：长春市前进大街号 邮 编：联络人：张万喜、张国 电 话：电子信箱：scccsaina成果简介：该工程所研制出的产品适用于建筑、汽车、铁路、化工等工业用漆。主要采用的是水性纳米丙烯酸改性聚酯树脂作为成膜资料，采用特殊的方法聚合而成，不含乳化剂，采用氧化交联的方式成膜，使漆具有优良的耐水性及耐盐雾性并且环保。 获得中国发明专利项，恳求发明专利项。发表学术论文篇。鉴定成果项。其产品获得国家重点新产品证书和环保十环证书。已建成年产吨的水分散环境友好型纳米构造工业漆消费线条，已建成年产吨的水分

2、散环境友好型纳米构造汽车漆消费线条，产品各项目的到达或超越国家相关行业规范，并经过了新产品的鉴定验收。提供了吨水分散环境友好型纳米构造漆工业化消费线的全套技术参数。已建成年产万吨水分散环境友好型纳米构造建筑漆消费线条。 国内涂料(漆)年产量约为多万吨，且传统的溶剂性涂料仍占以上，环保型涂料那么仅占 ，并且其中大多数为建筑涂料，功能性涂料所占比例极少。 我国的工业用漆年消费量，据不完全统计在万吨左右，其中可由纳米环保型工业漆替代的可达万吨，产值为亿人民币左右。在石油化工、火车、船舶、冶金、五金交电、电力、等各领域具有宏大的市场运用空间和良好的产业化前景。据统计，我国年消费建筑乳胶漆多万吨，销售额

3、达多亿人民币。假设用水分散环境友好型纳米构造漆替代高档乳胶漆的百分之十，就是万吨，销售额可达多亿人民币所以水分散环境友好型纳米构造漆拥有非常大的市场前景。【编号】 基于纳米晶生物探针的免疫层析检测技术乙肝、艾滋病病毒检测用纳米晶免疫试纸单 位：吉林大学、云南大学地 址：长春市前进大街号 ：联络人：杨文胜、马岚 ：电子信箱：成果简介： 课题采用新型纳米晶来高效标志抗原抗体，提升免疫层析检测技术，使其的灵敏度较传统金标极大提高，并实现了对其的定量检测。由云南大学、吉林大学及昆明云大生物技术共同研制的改性金乙肝诊断试纸、改性金HIV-l抗体诊断试纸、纳米磁乙肝诊断试纸和纳米

4、磁HIV-抗体诊断试纸，其准确性均在以上；改性金乙肝试纸的灵敏度可达.ng/ml,到国家食品药品监视管理局(SFDA)规定的检测规范；改性金及磁性HIV-抗体诊断试纸的测试性能到达SFDA规范血清盘的检测规范；磁性乙肝诊断试纸的灵敏度可达.ngml，超越SFDA规定的检测规范。 经过该工程的实施，建成了自主创新的集纳米晶批量制备、抗原抗体的制备及批量消费、纳米晶与抗原抗体的高效偶联及纳米晶免疫试纸研发消费的技术体系，并构成了年产g单克隆抗体、g重组抗原、L改性金纳米晶溶胶、L荧光纳米晶溶胶及L磁性纳米晶溶胶的消费才干，工程产业化实施单位云大生物公司经过扩展消费设备及改造厂房，已构成年产万条乙肝

5、诊断试纸的消费才干。 该课题的完成，在基于纳米晶标志的免疫层析检测试纸研制消费方面为我国创建了一套自主创新的知识产权体系和技术平台，并在该领域获得国际领先位置。同时，经过该工程研制开发的乙肝、艾滋病等系列检测试纸将为艰苦传染病、癌症、心血管等疾病、畜禽检疫、食品平安、环境维护及其它工农业质量检测领域提供一类方便快捷、准确廉价的新型检测方法，进而产生良好的社会及经济效益。【编号】 zno单晶膜上GaN基纳米光电子资料生长及lED器件研发单 位：南昌大学地 址：南昌市南京东路号 邮 编：联络人：江风益 电 话：电子信箱：Jiangfycom成果简介： 该课题发明了一种厚度为纳米的特殊过渡层和一种特

6、定的硅外表加工技术，抑制了外延资料和衬底之间宏大的晶格失配和热失配，在第一代半导体硅资料上，制备出高质量的第三代半导体GaN资料，胜利地处理了硅衬底上制备的GaN单晶膜资料龟裂这一世界难题。 课题组发明了一种高可靠性LED外延资料构造，经过优化生长技术，制备了高质量的具有纳米量子阱构造的第三代半导体GalN基LED资料，攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性差这一世界难题。 课题组突破了硅衬底GaN基LED外延资料焊接与转移技术，处理了氮面CaN的欧姆接触技术，研制胜利光输出功率-毫瓦(毫安)的垂直构造的GalN基紫光、蓝光LED，其毫安时的任务电压小于伏，伏反压时漏电流小于.微安，微安时的反压大

7、于伏，并实现了小批量消费，每天产能万只。 该课题恳求发明专利项。 该课题成果已到达国际领先程度。目前硅衬底本钱仅为蓝宝石衬底和碳化硅衬底的，在硅衬底上制备CaN LED的消费本钱是蓝宝石衬底GaN LED的/、硅衬底CaN LED的/，所以硅衬底上GalN LED作为一条新的半导体照明技术道路，具有广泛的开展空间和很强的国际竞争力。【编号：】 硅基镓氮固态光源关键技术研讨单 位：南昌大学教育部发光资料与器件工程研讨中心地 址：南昌市北京东路号 邮 编：联络人：方文卿 电 话：电子信箱：cn成果简介： 由南昌大学教育部发光资料与器件工程研讨中心承当的方案课题“硅基镓氮固态光源

8、关键技术研讨于年月日在武汉经过了验收。该课题在第一代半导体资料硅衬底上研制胜利第三代半导体资料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先位置，并在全球率先实现了小批量消费。 目前市场上出卖的氮化镓发光二极管都是以蓝宝石或碳化硅作为衬底，其根本专利分别为日美兴隆国家所垄断。以第一代半导体资料硅作为衬底生长氮化镓发光资料是业界的梦想，但由于存在诸多难以抑制的困难，全球许多研发机构无功而返。南昌大学教育部发光资料与器件工程研讨中心经过近二年的不懈努力，在科技部、教育部、信息产业部和江西省政府的大力支持下，胜利地处理了国际上存在的硅衬底氮化镓发光资料龟裂、发光二极管亮度低、任务电压高、可靠性差等问题，研制的

9、硅衬底氮化镓发光二极管资料的质量和器件性能均处于国际同类资料与器件中的领先程度，消费的硅衬底蓝光LED -毫瓦，到达了市场上蓝宝石或碳化硅衬底CaN蓝光LED中等程度，其中电学性能和可靠性可以和世界顶尖级蓝宝石或碳化硅衬底CaN发光器件媲美。目前产能到达了万只天，在制造本钱、可靠性等方面具有明显优势。该产品的研制胜利，改动了日美等兴隆国家垄断LED中心技术的局面，走出了一条有我国特征的LED开展之路。【编号】 ZnO短波长激光器假设干关键技术研讨单 位：南京大学地 址：南京市汉口路号 邮 编：联络人：顾书林 电 话：电子信箱：slgujlonline成果简介： 该项成果开展了研制ZnO晶体、薄

10、膜及发光器件的技术与方法，构成了一整套具有自主知识产权的技术，包括自行研制的ZnO单晶衬底、自行研制的ZnO金属有机化学气相淀积(MOCVD)系统、ZnO资料的MOCVD同质外延技术、ZnOp型掺杂原位控制技术与激活技术等。提出了提高水热法生长ZnO晶体生长效率和质量的方法与技术，经过将两块晶片按照-C面相对拼装在一同或直接在晶片的-C面涂覆上一层金属涂层，大大提高了晶体的生长速度，生长出晶体杂质量优良的.英寸的ZnO单晶。研制出MOCVD生长技术与方法及相关设备，胜利地处理了MOCVD ZnO资料生长中存在的预反响与资料均匀性之间的矛盾。开展了低温缓冲层技术，掌握了在蓝宝石和硅衬底上ZnO的

11、异质外延技术，实现了较高质量的ZnO异质外延。实现资料了的n型原位掺杂控制，并较好的实现了对P型掺杂的控制。研讨了ZnO基短波长光电子器件的关键工艺，重点是刻蚀、腐蚀控制与欧姆接触等工艺。在ZnO单晶衬底上胜利的制备出室温下发光的ZnO同质pn结。 该项成果恳求国家发明专利项，发表论文篇，其中包括ApplPhysLett，JApplPhys等SCI论文篇，被EI收录论文篇，IEEE论文篇，篇中国电子学会年度受奖论文。被SCI收录引文篇，其中被国际国内同行在ApplPhysLett等刊物上援用篇次。【编号：】 高质量大尺寸自支撑GaN衬底技术单 位：南京大学地 址：南京市汉口路号 邮 编：联络人

12、：修向前 电 话：电子信箱：成果简介： 在国内率先研制出英寸毫米级、低位错密度的高质量自支撑GaN衬底，在光照明、光存储、光显示、光探测等半导体光电子器件及微电子器件领域有重要运用。研制出国内第一台用于高质量CaN生长的多源多片氢化物气相外延生长系统；GaN厚膜生长速率超越mh，横向外延GaN薄膜位错密度低于cm；英寸GaN，蓝宝石激光剥离技术快速(不超越分钟)、稳定、可反复，剥离后获得的GaN衬底外表平整光滑几无翘曲；初步研讨并掌握了获得低外表粗糙度的自支撑CaN衬底的外表抛光处置技术。 经过该工程的研讨，掌握了获得高质量CaN衬底所需的一切关键技术(横向外延、厚膜均

13、匀生长和激光剥离技术等)并拥有全部自主知识产权，已获得国家发明专利项，正在恳求发明专利超越项。工程执行期间，正式发表学术论文篇。【编号：】 面向运用过程的陶瓷膜资料设计与制备技术研讨单 位：南京工业大学地 址：南京市中山北路号 邮 编：完成人：徐南平联络人：杨 刚 电 话:-电子信箱：yanggangnjutedu成果简介： 针对陶瓷膜运用过程中膜通量快速下降的普遍问题，以及中药与植物加工醇沉工艺资源、能源耗费高的现状，提出陶瓷膜法新工艺，希望经过资料与过程的交叉研讨，实现陶瓷膜新技术在中药与植物提取领域的大规模工业运用。 提出面向运用过程的陶瓷膜资料设计与制备的新构思和陶瓷膜法中药加工新工艺

14、，获得发明专利项。 初步构建了面向颗粒体系与胶体体系的陶瓷膜资料的设计方法，专著“面向运用过程的陶瓷膜资料设计与制备由科学出版；开发出低温烧结支撑体制备技术，本钱降低一；陶瓷膜法中药加工新工艺节约乙醇以上，缩短加工周期。 建成平方米年低温烧结陶瓷膜消费线，占国内产品市场以上，迫使国外产品价钱降到原来的l左右。实现了陶瓷膜在中药与植物提取等领域的胜利运用，推行运用数十项工程，经济、社会效益显著。研讨成果获得国家发明二等奖、中国石化行业技术发明一等奖。面向国家资源、能源、环境领域的艰苦需求，开发公用的陶瓷膜资料，经过资料与过程的交叉研讨，实现陶瓷膜新技术在化工、水资源、能源领域的大规模运用。【编号

15、：】 多晶硅TFT有机发光有源驱动技术的研讨单 位：南开大学地 址：天津市南开区卫津路号 邮 编:完成人：孟志国联络人：熊绍珍 电 话：电子信箱：成果简介：该课题成胜利研制出具有动态显示效果的英寸彩色有机发光显示器(AMOLED)模块，有效显示对角尺寸为英寸，分辨率为QVGA。显示器基板的整体构造为单边扫描电极、单边功率电极、双边数据电极的简单构造，能降低信号传输的频率要求。整个基板的制备采取光刻掩膜过程的简化流程，主要技术包括溶液法制备大晶粒多晶硅薄膜、多晶硅内镍的PSG动态吸除技术、金属栅多晶硅薄膜晶体管技术和有机绝缘层技术。像素由选址管、驱动管和存储电容

16、组成并含扫描线、数据线和功率线、像素的开口率大于，彩色化的实现方案为彩色膜上堆积ITO、再堆积白光二极管和金属阴极。外围驱动采用子场叠加的方式来实现灰度显示，驱动灰度为级。 该成果将制备polysi TFT AMOLED的总掩膜板数降低到个，大幅简化了polysi TFT AMOLED的制备流程，这必将明显地降低消费本钱，在大规模消费方面可与a-siTFT AMOLED抗衡的开展潜力。 运用该技术制备的有机发光有源驱动基板具有构造简单、开口率高等特点，可适用于图象手机、掌上电脑、数码相机、摄像机、监视器等便携显示屏。【编号】 Gbs超高速光纤传输系统可调谐色散补偿器单 位：清华大学地 址：北京

17、市清华大学 邮 编：联络人：陈向飞 电 话：电子信箱：成果简介： 该课题研讨突破Gbs速率高速光纤通讯系统色散关键技术，开发Gbs可调谐色散目的产品。该课题采用的技术是基于本课题组在年率先提出的等效啁啾概念，运用的技术是他们年自主发明的重构-等效啁啾技术(REC技术)戴一堂陈向飞等，“一种实现具有恣意目的呼应的光纤光栅，中国发明专利，恳求号。 REC技术是自光纤光栅年发明以来在高级光纤光栅器件上性价比极高的设计制造技术，也是最强大的技术之一。利用REC技术他们胜利地研制出Gbs可调谐色散光纤光栅，结合开发的光栅镀膜技术，该课题组研制出国内第一个拥有自主知识产

18、权的Gbs电控可调谐色散补偿器，并在清华大学和北京大学中兴的Gbs实验系统上进展了光纤传输测试，获得的功率代价分别为.dB和.dB，完全符合要求。 除了按期实现该工程的既定目的，凭仗该工程继续开展的REC技术和REC修正技术，该课题组基于普通实验平台突破了国外精细技术的壁垒，研制出码片光CDMA编解码器，平了由日本OKI公司，日本通讯研讨所大阪大学发明的光CDMA编解码片数最高世界记录! 到目前为止，即使国际上最好的光电子技术研讨中心之一英国南安普顿大学光电子中心的最高程度也才码片!这阐明该课题组真的做到了运用国产“发动机研制出强劲的“法拉利跑车。凭仗REC技术不仅可以制造出高性能光CDMA码

19、片，同时本钱比国外低的多，有时机大大推进光CDMA系统的商用化进程以及为国防关键光纤网络提供物理层的中心严密技术。【编号】 GaN半导体光电资料的规模化关键消费技术的检测设备单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：董占民 电 话：电子信箱：成果简介： GaN半导体光电资料的规模化关键消费技术的检测设备是LED外延片消费的必备设备，作为消费、销售的主要根据，由于其无损检测的速度快，本钱低，结果直观，可以在外延片出炉后马上检测，成为下一炉工艺参数调整的根据。检测的结果也是销售数据。 该成果的光致发光采用nm半导体激光器，比国外采用的气体

20、激光器，具有本钱低、易操作、光强稳定、寿命长、能耗低等特点；光致发光可以给出积分光强、峰值波长、光谱半宽、主波长等参数，电致发光的检测方法是国际首创，其检测结果在提供光参数同时也提供电参数，并且可以丈量单只LED，直接与外延片进展比较。利用白光反射谱丈量外延片膜厚，也获得了称心效果。一切参数以mapping方式显示，同时显示各个参数的统计结果，并且根据消费单位要求，添加了去孤立点、去边、部分扫描、单点丈量等独有功能。 该成果研发的设备曾经胜利运用于国营南昌厂、方大福科信息资料、南昌大学资料所、深圳奥伦德公司、江西联创光电、杭州士兰明芯等六条消费线。 该设备是国内独一，价钱是进口设备的五分之一左

21、右。为企业降低了消费本钱。【编号：】 新型非线性光学高分子资料及器件运用研讨单 位：清华大学地 址： 北京市清华大学 邮 编：联络人：王晓工 电 话： 电子信箱：成果简介： 二阶非线性光学资料是光电信息领域所需的关键资料之一，运用于电光调制器、光关、频率转换安装等方面，在光通讯、信息处置、射频分配等方面发扬着不可替代的重要作用。二阶非线性光学高分子资料具有高速(宽带)、低驱动电压和优良的加工性能等特点，并具有能与超大规模集成的半导体电子器件很好兼容的优点。详细成果包括： ()设计出了一系列低ug、大生色团，包括：-给体-受体取代奠类衍生物及其共轭

22、延伸的衍生物；含环戊二烯基的，一苯二取代的一维生色团体系；以吡嗪为母体的X型生色团及其含锁环构造的衍生物，等二十多种，其u g在.D范围，绝大部分设计生色团值均大于典型的一维生色团DANS，最大可达DANS的倍以上。 ()制备的掺杂膜的最高非线性系数d=.pm/v，曾经到达义务书中规定的比已有X型生色团的极化膜(pm/V)提高pmV的考核目的。 ()利用酯化反响、重氮巧合反响等方法合成了多种具有新颖构造的超支化非线性光学高分子，使非线性光学聚合物中生色团根本不存在生色聚会集问题。 ()利用MS作为交联剂，在电场极化后，进一步交联固化，使资料非线性光学等性能可在下稳定，到达了预定下稳定的目的。

23、()对聚合物电光调制器进展优化设计，并优化低损耗单模光波导的制造工艺。在光波长为.微米(或.微米)上制得了dB光调制带宽GHz的电光强度调制器。最近，在器件研讨上又获得了重要进展，制得了调制器直流半波电压(Vp)为.V的原型器件。 综上所述，上述研讨领域获得创新性成果，得到一批具有自主知识产权的新资料、新工艺和新技术。【编号：】 新型深紫外倍频晶体CLBO及适用化技术研讨单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：完成人：王晓青、沈德忠联络人：王晓青 电 话：电子信箱：成果简介： 该课题针对新型非线性光学晶体CLBO适用化存在的问题，开展了晶体生长、器件

24、加工、运用寿命和运用研讨，圆满完成或超额完成合同书的各项义务。主要成果有： ()处理了晶体生长中管状缺陷问题，能稳定生长大尺寸、高光学质量的CLBO晶体。其中一块尺寸达mm,是目前公开报道中质量最好、尺寸最大的CLBO单晶。 ()处理了CLBO晶体抛光中水浸蚀和抛光剂残留等难题，加工的CLBO倍频器抗nm激光损伤阈值大于.GWcm，尺寸达lOmm，远远超越义务合同书规定的验收目的。在瑞士进口的GE-XHP激光器系统上进展CLBO四倍频实验，产生mW的nm激光，大大超越该激光器原配四倍频器BBO晶体的额定最大功率mW，超额完成合同书mw的验收目的。 探明CLBO晶体的开裂机理，找到抑制晶体开裂，

25、延伸运用寿命的简单易行的方法：将CLBO倍频器放置在小恒温套管内，坚持温度oC，隔绝水汽进展倍频实验，其运用寿命已超越两年。与中科院物理所光物理实验室协作，用CLBO倍频器研制成nm输出.W的激光器适用样机，现正在深圳有关企业进展集成电路清洗的工业运用实验。在大尺寸、高质量CLBO晶体的生长技术方面处于国际领先程度；在CLBO晶体倍频器件的加工技术与运用方面获得突破性进展；倍频器尺寸、输出功率和运用寿命等可满足CLBO晶体的适用化要求，将大大促进全固态紫外激光器在光电子和集成电路等领域的运用。【编号：】 高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及配备的研讨单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮

26、编：联络人：杨金龙 电 话：电子信箱：成果简介： 由清华大学承当的“高可靠性陶瓷部件批量化成型关键技术及配备工程主要研讨和开发陶瓷微珠，用于无机非金属矿超细粉体的研磨，涂料、油漆、油墨的分散，以及金属零件的区毛刺和抛光，食品和制药行业的无污染研磨等领域，市场潜力宏大。 该工程攻克了胶态注射成型消费线关键技术，批量化陶瓷水基瘠性浆料关键工艺参数的调控技术，浆料的抑泡、消泡技术以及模具的排气构造控制，浆料储存的稳定性技术，陶瓷坯体的有害缺陷控制技术，陶瓷复杂异形零部件在成型和烧结过程中的质量控制技术，无应力陶瓷坯体的控制技术，高精度陶瓷无滚珠轴承和笔珠

27、公用加工设备的研制等。建立了年产吨陶瓷微珠的消费线，完成了种型号、余台工业化配备的制造，构成大规模批量消费才干，产品在余家消费企业得到运用，出口至日本、韩国、台湾等国家和地域。年月份法国圣戈班集团寻求协作，在年月份正式与世界强法国圣戈班集团完成交割。这也是进驻邯郸的第一家世界强企业，对邯郸当地的经济开展起到了重要的作用。圣戈班集团将在邯郸建立世界最大、最强的陶瓷微珠及上下游产品消费基地，估计年销售额至少在亿元人民币以上。 该工程获得国家发明专利项，恳求国家发明专利项，“陶瓷胶态成型新工艺获国家技术发明二等奖。【编号：】 新一代高性能低本钱多层陶瓷片式电容器(MLCC)资料与工艺单 位：清华大学

28、地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：王晓慧 电 话：电子信箱：wxhsinghuaedu cn成果简介： 该课题组在高性能低本钱大容量贱金属内电极片式电容(BME MLCC)、大容量高可靠高稳定性军用片式电容资料及其制备技术方面获得了高程度的研讨成果和自主知识产权的专利。 突破了新一代高性能BME MLCC薄层化、微型化关键技术：纳米粉体技术nm)；亚微米级细晶化技术(陶瓷晶粒 nm)；微米级薄层流延技术(单层膜厚度-m)和高层数叠层技术。已研制出具有自主知识产权的、性能目的居国际同类产品领先程度的BME MLCC亚微米晶抗复原(XR和YV型)资料。开发出具有细晶构造特性的军用高介、高可靠

29、性XR型MLCC瓷料，综合性能到达国际先进程度。 成果已在山东国腾、风华、宇阳公司、厂胜利转化，消费出一系列高性能BMEMLCC电容器产品，介质单层厚度-微米；制备出军用高可靠大容量MLCC产品，已在国防军工等部门运用。构成以广东风华为中心的高程度贱金属内电极MLCC示范消费线(产能为亿只年)。 课题成果共恳求国家发明专利项，美国专利两项。该成果为我国实现高端片式电容资料的国产化，促进我国片式电容器产业产品构造的晋级换代，提高国际市场竞争力提供了关键的资料与技术，具有重要的战略意义。【编号：】 高性能PLZST弛豫反铁电单晶的研制单 位：清华大学地 址：北京市清华大学邮 编：联络人：李强电 话

30、：电子信箱：成果简介： 、开展了一种利用化学共沉淀技术来有效地改善PLZST体系组分均匀性的低温化学合成方法。该方法具有合成温度低(lh即可成相)，成相组分均匀性好，粉体平均粒径小(一.m)，分散性好等优点。 、针对PLZST体系的非一致熔难题，在广泛挑选助熔剂组分的根底上，采用PbOPbF-BO，复合助熔剂在国际上初次生长出了.mm发育完好的PLZST弛豫反铁电单晶(j.C. G.，(-)：，Oct ，ISDN：PT)；部分条件下生长单晶最大尺寸可达.mm,但其完好性仍有待改良。系统地分析了PLZST单晶中的各种缺陷及其构成机制, 发现非稳态生

31、长是引起晶体内部生长缺陷的主要缘由。、所制备的PLZST单晶具有复合钙钛矿构造，各组元分布均匀，并具有典型的弛豫可逆构造相变特征；在PLZST单晶的高分辨像察看中初次证明了其构造中存在着极性纳米微区和超晶格，它们被公以为是PLZST单晶产生弥散构造相变的物质根底。 、经过讨论助熔剂法生长PLZST单晶的结晶习性与生长机制发现：PLZST单晶的生长基元为多种B配位八面体，【B】生长基元向面的叠合采用法向机制生长。、该课题共完成研讨论文篇(其中：SCI收录论文篇)；申报国家发明专利一项(恳求号：.)。进一步优化生长工艺，提高生长单晶尺寸，制备出能满足以爆电换能器为代表的运用器件研制需求的高质量PL

32、ZST弛豫反铁电单晶。【编号：】新一代高性能片式元件与关键技术单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：周济 电 话：电子信箱： cn成果简介： 片式电子元件是一大类重要的电子信息产品，是现代电子信息技术的重要根底。目前全世界片式电子元件的年需求量在一万亿只以上。进入世纪以来，电子信息技术的高速开展不断向元件技术提出新的要求，使得片式电子元件成为一个创新非常活泼的高技术领域，高性能、小型化、低本钱、多功能、集成化成为片式元件开展和晋级换代的重要方向。我国是电子元件消费大国，但高端资料和和关键技术主要依赖国外。该工程旨在开展具有自主知识产权的新一

33、代片式元件关键资料和中心技术，促进我国从电子元件大国走向电子元件强国。 该课题主要成果包括：开展出了假设干种拥有自主知识产权、性能目的居国际先进程度的片式元件关键资料，包括贱金属内电极(BME)MLCC资料、军用高可靠性XR型MLCC瓷料、高频宽带抗ENI元件用低烧Y型平面六角铁氧体、低温烧结高感量片式电感器资料、高频电感器和LTCC用低烧低介陶瓷资料，以及片式LC滤波器用共烧陶瓷资料。在国内初次研制出了贱金属内电极片式电容器，使我国企业胜利进入这一新的元件领域；胜利地处理了我国军用大容量XR瓷料长期依赖进口的问题；研制出了拥有自主知识产权的高频宽带抗EMI资料和元件，使我国企业成为世界上第二

34、个拥有这类重要元件消费才干的厂家，技术程度进入世界前列；初次消费出大感量系列填补了国内相关产品的空白；在国内初次推出了基于LTCC技术的片式滤波器和片式天线。【编号：】 片式压电变压器、传感器及相关资料产业化关键技术单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：褚祥诚 电 话：电子信箱：成果简介： 背光电源是用来点亮液晶显示器背景照明的冷阴极荧光灯，将电池低的直流电压转变为高频高电压，输出电压开场时超越V，稳定任务时约Vrms。采用多层压电陶瓷变压器由于具有能量转换效率高、体积小、升压比高、无电磁干扰、适宜外表安装等显著特点，

35、它的推行运用将具有非常宽广的市场前景。 创新点：目前国内外压电变压器的烧结温度普通为C以上，所用内电极为钯含量超越的银钯电极，价钱昂贵、本钱高，且变压器的变形大、合格率低。该工程采取过渡液相烧结技术，烧结温度低至C，所用内电极为钯含量在的银钯电极，价钱只需银钯电极/，本钱大幅下降且变压器的变形小，良品率高。低温烧结技术在多层压电变压器的运用研讨属国际领先程度。大功率压电变压器是实现驱动LCDTV背光电源的中心部件和关键设计技术。国内尚未见到一支变压器驱动支或以上CCFL。 技术突破：新提供一种以PZTPZNPMN为主晶相的优质压电陶瓷资料，既可兼顾低烧，又保有优良的大功率运用电气特性。已确定三

36、种系列，十种规格的多层压电陶瓷变压器，功率涵盖-W，覆盖灯管长度规格从mm的CCFL。重要运用：所研制开发的液晶显示器用压电变压器背光电源消费技术先进，性能居国际先进程度，是笔记本电脑、PDA、液晶PC、LCD-TV等产品的关键零部件。【编号：】 大直径SiGeSi外延资料研讨及产业化开发单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：刘志弘 电 话：电子信箱：成果简介： 课标题的为利器具有自主知识产权的RTPUHVCVD安装，处理国内大直径SiGeSi外延资料的制备的工艺规范，工艺流程，及相关丈量规范。研讨英寸锗硅外延资料生长技术及手段，并提供

37、高质量英寸SiGeSi外延片样品。 主要研讨内容：改良具有自主知识产权的红外加热超越真空化学气相淀积L UHVCVD)锗硅外延设备以适用小批量制造-英寸锗硅外延资料。研讨满足大功率锗硅HBT和锗硅外延单片集成电路需求的资料。研讨(UHVCVD)大直径锗硅外延片的工艺规范，工艺流程和丈量方法。研讨英寸锗硅外延生长技术并提供样品。锗硅外延片中锗含量控制在-以内，片内均匀性，片间均匀性。课标题的：耍研讨硅基SiGe应变异质结外延生长方法和特性，最终要实现为SiGe微波器件和集成电路产业化提供一定量的外延资料。【编号：】 铋系高温超导线材的适用化及其大规模消费技术的开发单 位：清华大学地 址：北京市清

38、华大学务员 邮 编：联络人：韩征和 电 话：电子信箱：成果简介： 高温超导线材通电才干超出一样截面积铜导线倍以上，运用Bi系线材制备的超导电缆、超导变压器、超导电机、超导限流器、超导储能系统等产品具有常规产品无法比较的体积小、分量轻、能耗低、容量大、无环境樗染等优点。该课题设计及建成了国内第一条实现产业化批量消费的公里级Bi系高温超导长线材消费线，截至目前批量消费的Bi系高温超导长线材(约米)临界电流超越A，工程临界电流密度超越Acm，短样临界电流超越A。允许拉伸应力到达MPa，加强型高温超导线材允许拉伸应力到达Mpa。产品的综合性能及产品种类，主要性能与技术

39、目的到达国际先进程度。该课题在超导粉体制备、前驱粉预处置、机械成形加工、形变热处置和产品多样化等方面构成了具有自主知识产权的中心技术，突破了兴隆国家的技术垄断。 研制出的Bi系线材已被胜利运用在国家科技部方案超导专项、北京市艰苦科技方案高温超导电缆、高温超导变压器、高温超导磁体、高温超导大电流引线和军工等工程中。该工程研制的Bi系高温超导长线材在年月 我国第一组正式并网的适用高温超导电缆系统中的运用，使我国成为继美国、丹麦之后，世界上第三个将高温超导电缆投人电网运转的国家。该工程的胜利实施，使我国超导线材产业化程度迈人世界领先行列，对于推进我国高温超导产业的开展，促进资料、能源、信息、交通等领

40、域的产业构造优化。【编号】 挪动通讯誉超导滤波器系统的研制和运用示范单 位：清华大学地 址： 北京市清华大学 邮 编：联络人：曹必松 电 话：电子信箱：成果简介： 由于高温超导薄膜的微波外表电阻比铜等金属低个数量级，用其制备的滤波器插损小、矩形系数好、带边峻峭。将超导滤波器、前置放大器和小型电制冷机组成的超导滤波器系统运用于微波通讯，可以同时大幅度地提高接纳机的灵敏度和选择性，可广泛运用于挪动通讯、军事通讯、卫星通讯和其他各种微波通讯。将其运用于挪动通讯，可以大幅度地提高基站的容量和覆盖范围，加强抗干扰才干，提高通话质量，减小手机的发射功率。清华大学先后先后研

41、制胜利我国第一台适宜于GSMl、GSM和CDMA挪动通讯系统的高温超导滤波器系统，经鉴定，技术性能到达国际先进程度。超导滤波器系统的关键技术目的如下：插损小于.dB；带边峻峭度大于dBMHz，系统噪声系数小于.dB，带外抑制大于dB。 年月，研制的两套高温超导滤波器系统安装于中国联通CDMA挪动通讯基站现场通讯实验获得胜利，大幅度地改善了通讯网络的性能。年，在北京以大钟寺为中心的地域建成了我国第一个高温超导滤波器挪动通讯运用示范小区。小区包括个CDMA挪动通讯基站，运用路高温超导滤波器系统。测试结果阐明，改用超导滤波器后，手机的发射功率平均下降.分贝。挪动通讯的性能得到较大幅度的提高，小区任务

42、稳定，自年月以来未发生任何缺点。 超导滤波器在军事上可广泛运用于雷达、军事通讯、电子战和准确制导等，以提高灵敏度和抗干扰才干，添加探测间隔 提高制导准确度等。美国在军事上已广泛运用超导滤波器并已投入战场。【编号：】 近场高密度光存储资料及器件单 位：清华大学地 址：北京市清华大学 邮 编：联络人：陆达 电 话：电子信箱：ldomtsirI成果简介： 、经过充分的分子设计，在国内初次合成出用于近场存储的，能与激光器波长良好匹配的高灵敏、快速呼应的光子型二芳烯类有机光致变色资料二十余种，并培育了八种二芳烯分子的晶体，经过X-射线衍射测定了其晶体构造。 、挑选出适宜用于SuperRE

43、NS超分辨多层膜构造的二芳烯分子，采用真空热蒸镀和旋涂法，分别制备有良好几何光学质量的超薄SuperRENS多层记录膜片，运用于近场光存储记录。 、初次运用非线性吸收强、开环量子产率大；显示了二芳烯具有良好的聚焦作用和掩膜效应。光孔径开关层对写入激光的聚焦作用显著，对记录点的减少幅度到达。 、用异庚基空心酞菁做为记录资料，用有机光致变色二芳烯DTE一作为光孔径开关资料，得到记录线宽为nm的记录点，光孔径开关层对写人激光聚焦作用显著，对记录点的减少幅度到达以上。 、结果阐明了用二芳烯类有机光致变色资料作为近场SuperRENS光孔径开关资料，可以极大地减少记录点尺寸，使得最小记录线宽到达nm，超

44、额完成了国家高科技开展方案“近场光存储资料及器件(GAA)工程中提出的nm的要求。 基于边发射半导体激光器，初次提出并胜利制造了近场光学局域场加强L形纳米孔径激光器。丈量结果显示L形纳米孔径激光器的远场光功率是普通矩形纳米孔径激光器输出光功率的倍，并经过对一个矩形与一个L形双孔纳米孔径激光器的近场光场丈量进一步展现了L形纳米孔径在输出光场分布上的高度局域性与光场强度上的局域加强特性。【编号：】 大尺寸半导体SiC单晶衬底资料单 位：山东大学地 址：济南山大南路号邮 编：完成人：徐现刚、胡小波联络人：徐现刚电 话:-电子信箱：成果简介： 英寸SiC单晶衬底该课题在的支持下，胜

45、利地处理了SiC单晶生长需求的高温环境及其单晶硬度高难以加工的困难，顺利完成和部分超额完成了的预定目的，为SiC单晶衬底的产业化奠定了根底。该课题对不同生长条件下SiC单晶生长的温度场进展了模拟，以此为根据设计了适宜于大直径SiC单晶生长的坩埚和保温资料。结合晶体生长实际，优化了单晶生长的籽晶温度、温度梯度、生长室压力等工艺参数，获得的SiC单晶直径到达至mm。经过优化生长工艺，如成核、生长温度、生长速度等工艺参数，与在生长过程中引人掺氮条纹相结合，使SiC单晶中的微管密度到达低于个/平方厘米。碳化硅单晶的加工工艺的瓶颈曾经突破，构成了从切割粗研磨精研磨粗抛光(机械抛光)精抛光(化学机械抛光)

46、的一整条工艺流程。切割出的SiC晶片的最小厚度可以到达m，翘曲度小于 m，厚度不均匀度小于 m。经过研磨和抛光，得到平整度小于 m、粗糙度小于rim、无明显外表缺陷的SiC单晶片，经过协作单位的试用，得到了很好的认可。在研讨任务的根底上，恳求了SiC晶体生长和加工的专利各一项。【编号：】 大尺寸先进陶瓷部件制备及运用技术单 位：山东工业陶瓷研讨设计院地 址：淄博市柳泉路西二巷五号 邮 编：联络人：王树海 电 话：电子信箱：wangshzoomber成果简介： 山东工业陶瓷研讨设计院开展了大尺寸陶瓷部件工业化制备关键技术与开发研讨，大尺寸薄壁陶瓷部件在烧成过程中极易发生开裂、变形、各部位收缩不一

47、致等缺陷。针对大尺寸薄壁石英陶瓷坩埚制品不同缺陷产生的缘由，探求研讨确定了一整套完善的工艺控制制度，有效地处理了坯体开裂、变形、各部位收缩不一致、出模困难等缺陷，保证了消费的产品一致性和可靠性。 研讨和处理的关键技术包括：高固相含量、高稳定性、流动性好的注凝料浆的制备技术，优选了一种PC-分散剂，在保证料浆的高固相含量、高稳定性的前提下大大改善了料浆的流动性；动态注凝成型技术，将陶瓷的注凝成型与动态的物理场作用结合起来，使注凝成型陶瓷料浆或成型模型单一地或有重叠地受物理场(如机械振动、超声波等)的作用，从而实现注凝成型过程的动态化；模具的设计及加工技术研讨，采用自行设计的公用的模具工装保证制品

48、脱模高效、废品率高；均收缩无(少)变形枯燥及烧结技术，保证了消费的产品一致性和可靠性。开发出太阳能多晶硅熔炼用方坩埚、冶金行业用大尺寸坩埚等超大尺寸构造陶瓷制品研讨，均已投人批量消费，获得国家发明专利项，年消费各类大尺寸陶瓷制品才干到达吨，累计实现产值余万元。多晶硅熔炼用大尺寸薄壁高纯石英陶瓷方坩埚被评为年度国家级重点新产品，mm太阳能多晶硅用薄壁大尺寸石英陶瓷方坩埚曾经销往美国、意大利。【编号：】 氧化锆增韧高档骨质瓷的研讨与开发单 位：山东淄博华光陶瓷股份地 址：淄博市高新技术开发区鲁泰大道号 邮 编：联络人：陈爱华 电 话：电子信箱：chedwardnet成果简介： 山东淄博华光陶瓷股份

49、承当“氧化锆增韧高档骨质瓷的研讨与开发工程，采用廉价的硅酸锆为原料经过工艺和配方设计与控制，实现硅酸锆的低温分解生成氧化锆，从而对骨质瓷进展强韧化，实现陶瓷新资料高新技术在传统陶瓷领域的嫁接，彻底改动骨质瓷抗弯强度低，断裂韧性小的缺陷。推出一批在国际市场上具有竞争力的新一代产品。工程实现了硅酸锆的低温分解，传统研讨普通以为硅酸锆分解温度高于C，该研讨经过对硅酸锆原资料的优选，添加一定数量和种类的促进剂，使硅酸锆较低于C的温度下分解，初次将价钱低廉的硅酸锆替代价钱昂贵的氧化锆，实现氧化锆增韧，开辟了一个全新领域；实现了氧化锆增韧高档骨质瓷的产业化，产品废品率到达以上。经过增韧后骨质瓷的性能均得到

50、大幅度提高，其中抗弯强度和断裂韧性均提高以上，从已有资料来看处于国际最好程度。建立起年产万件氧化锆增韧高档骨质瓷的消费线，实现销售收入过亿元。该工程获得国家发明专利项，恳求国家发明专利项。 “氧化锆增韧高档骨质瓷的研讨与开发工程，是国家自设立“方案以来所确立的第一个日用陶瓷“工程，也是第一个把高新技术和传统产业相结合的陶瓷工程，处理高档骨质瓷易脆、抗热震性差、废品率低等缺陷，使骨质瓷的内在质量到达世界先进程度。【编号：】 高强度高抗震高耐火耐候超大规格方矩形管及衔接件研讨单 位：上海钢铁工艺技术研讨所地 址：上海市定西路号 邮 编：联络人：郁兹 电 话：电子信箱：siistrip.课题初次完成

51、研发并在大消费胜利运用了定弯曲弧度变化弯点位置的直接成方冷弯工艺，处理了消费大规格高强度冷弯型钢成型过程中容易出现角部微裂纹缺陷的技术难题，确立了直接成方工艺在我国开展大规格冷弯型钢技术中的主导位置。采用直接成方的排辊及辊弯技术，研制胜利大规格冷弯型钢消费线，并根据我国资源条件和消费特点，完成研发并在大消费胜利运用了钢带边部处置工艺、能供两条线运用的程度螺旋活套，提升了我国冷弯型钢配备制造的技术程度。采用上述成果建立的大规格冷弯型钢消费线已于年初投产，产品最大规格mm、最高抗拉强度MPa、屈强比小于、最小边厚比，质量符合相关的国家和国际规范，可以替代传统的冲压、折弯成型或用四块钢板拼焊成管，运

52、用于建筑领域和制造领域，获得提高强度、节约钢材、减轻自重、降低能耗的显著效果。大规格消费线年产量吨，并出口吨。产品已胜利运用于北京奥运会场馆天津奥林匹克中心、铁路上海南站、秦山核电站二期、南京长江三桥、上海中环线高架桥、黄河滨州大桥等重点工程。【编号：】 耐热镁合金及其在汽车上成用研讨单 位：上海交通大学地 址：上海市华山路号 邮 编：完成人：卢晨联络人：曾小勤电 话：电子信箱：成果简介： 该课题利用我国丰富的稀土资源和镁合金资源，研制出低本钱耐C高温镁合金和种镁-稀土中间合金，构成了年产吨低本钱镁-稀土中间合金消费技术及吨高温镁合金的消费才干，开发出高温

53、镁合金压铸成型工艺及模具，构成年产万套轿车用变速箱消费技术。其中合金的力学性能目的将到达：室温力学性能：bMPaOMPa，抗蠕变性能：力学性能：MPa拉伸蠕变条件下，lOOh的总蠕变量；压力蠕变性能：符合上海群众PVW技术要求；耐蚀性能：盐雾实验.mg/cmday；本钱目的：不超越目前工业上最常用的AZ镁合金本钱的。从实验和数值计算两个方面系统研讨了新型耐热镁合金的铸造工艺性能。研讨了各种合金的流动性能、热裂倾向等。完成了自动变速箱壳体铸造过程的充型、凝固模拟，并准确预测了缺陷的发生。胜利试制了耐热镁合金自动变速箱壳体，构成了成熟的压铸消费工艺。所试制的自动变速箱壳体曾经经过台架实验，进入批量

54、试制阶段。 自主开发了陶瓷过滤、精炼剂净化等耐热镁合金净化处置技术，研制了适宜于镁液净化和废料回收的系列净化剂和陶瓷过滤块。净化后镁液的氯含量ppm，杂质总量cm)蒸发坩埚全部依赖从美国和德国进口。 该工程根据运用条件对资料的要求，确定了资料的根本体系，建立了资料组成-制备工艺-资料性能关系数据库，设计和研制出计算机在线监控的大电流高效快速烧结配备，完成了大型工业化设备的设计、制造和运转等系统研讨任务；开展了陶瓷复合资料蒸发坩埚的制备工艺优化研讨，保证资料制备过程工艺短、效率高、稳定性好，实现了低温、快速烧结。研制和消费的陶瓷复合资料蒸发舟产品填补了国内高质量蒸发舟的空白，替代进口。该课题共获

55、得国家发明专利项、恳求国家发明专利项，获得省部级科技提高奖项，建立企业规范项；建立了年产吨二硼化钛陶瓷微粉消费线和年产万只陶瓷蒸发舟消费线，二项产品填补了国内空白。批量化消费的产品经多家用户单位运用，证明产质量量和运用性能优良，综合性能与美国ACC公司和德国ESK公司的产品性能相当，到达国际先进程度，产品本钱仅为进口产品售价的三分之一。已占领部分国际和国内市场。【编号：】 光纤光栅传感技术及产业化研讨单 位：武汉理工光科股份地 址：武汉珞狮路号 邮 编：联络人：姜德生 电 话：电子信箱：fosrcwutpublic.wh. hb 成果简介：该课题经过自主研发，攻克了特种传感光纤光栅、光纤光栅温

56、度和应变传感器、系列光纤光栅波长信号解调器等关键器件和传感系统的规模化消费成套技术与配备及工程运用技术等。获得了一批创新成果，包括项鉴定成果，均达国际先进程度，其中项属国内外首创，居国际领先程度；恳求发明专利项，其中项已授权。其标志性成果“光纤光栅传感系统工业化消费关键技术研讨与运用年获国家科技提高二等奖；光纤光栅感温火灾探测技术已编入“光纤火灾探测器国家规范报审稿。 这些成果已产业化，实现了年产特种传感光纤光栅万支、光纤光栅温度和应变传感探头万支、解调器台的批量消费才干，构成了具有我国自主知识产权的成套技术与配备，突破了国外技术封锁与垄断，为加速光纤光栅传感技术在我国的开展奠定了产业化根底和

57、提供了示范。 该成果产品已大批量运用于石化、油田、桥梁、大坝、隧道、水下工程、建筑、电力、军工等行业的数十项大型工程的平安监测，为我国提供了新一代平安监测新技术，累计完成销售收入亿元以上，获得了显著的经济效益和社会效益。【编号：】 超宽带(S+C+L)光纤放大器单 位：武汉邮电科学研讨院地 址：武汉市邮科院路号 邮 编：联络人：龙浩 电 话：电子信箱：hlongwri成果简介： 该课题主要的研讨内容是超宽带(S+C+L波段)光纤放大器和相关无源器件。 在课题的研讨过程中，课题组处理了光放大器在光学构造优化，测试方案选取，复用方案等方面、光学器件方面在提高器件任务带宽以及提高子带复用，解复用器的

58、隔离度等方面的技术难题，完成了L波段EDFA产品化、S波段TDFA科研样机及C波段EDFA产品的性能改善提高；经过子带复用解利用技术实现了超宽带(S+C+L波段)的光放大；实现了ASE方案的S波段掺铥放大器(TDFA)，并恳求项发明专利；研制并消费了超宽带光放大器用系列光无源器件，实现了器件自产配置，提高放大器性价比；所开发的C+L波段光纤放大器已运用到.Tbs(Gbs)传输系统以及公里超长间隔 的传输系统。 课题在经济效益方面也获得了宏大的成果，目前年产各类EDFA的才干到达一万台，并大量出口到欧洲，北美，及韩国日本等地，发明了宏大的社会效益。该工程成果提高了中国在密集波分复用系统用关键光电

59、子器件和新型通讯光纤方面的国际位置，有力地支持了国家艰苦光纤通讯系统和工程工程的研讨和开发，对提升我国在相关高技术领域的国际竞争才干具有至关重要的意义。【编号：】 GHz光梳状分波器研制单 位：武汉邮电科学研讨院地 址：武汉市邮科院路号 邮 编：联络人：罗勇 电 话：电子信箱：LuoYwrl.成果简介： GHz光梳状分波器是实现超大容量的DWDM系统及其系统扩容晋级的关键器件。光梳状分波技术(Interleaver)是一种可把一列频率间隔为f的信号分成两列频率间隔为f的信号分别从两个信道输出的光滤波技术，主要运用于实现信道间隔更密集的波分复用器，实现多波长的OADM。GHz光梳状分波器采用的是

60、基于偏振光干涉技术，新型偏振光干涉滤波构造，具有隔离度高，损耗小，平坦型滤波谱线，制造的器件构造简单的优点。 该课题是研讨可把GHz间隔的光波信号分为GHz间隔光波信号的光梳状分波器件(Interleaver)，该器件是实现超大容量的DWDM系统和DWDM系统扩容晋级的关键器件。在研制过程中，课题组采用新型的偏振光干涉滤波构造及PMD补偿、色散补偿、相位调整等技术研制胜利了GHz光梳状分波器，具有隔离度高、损耗小、器件构造简约的优点，此技术方案属国内外首创，拥有自主知识产权，先后恳求了项专利，已授权项，其中发明专利项(包括美国发明专利项)及适用新型专利项。该器件各项性能目的到达或优于方案义务书