《硅集成电路工艺》集成电路工艺期末 试卷A

1、-装-订-线- -装-订-线- - 学院课程清欠考试试题（A卷）（ 学年度第 2 学期）课程名称：硅集成电路工艺基础 试卷类型：（A、B） 考试专业、年级：微电子0701-03集成电路0701-03题号一二三四五六七八九总分得分阅卷人填空题。（25分，每空1分）硅单晶生长使用的方法有 和 技术。硅的热氧化的两种极限情况是 和_ _。杂质在二氧化硅中的存在形式有 和 。在集成电路工艺中，通常把 作为光刻水平的标志。杂质的扩散机构有 和 。按原始杂质源在室温下的相态分类，扩散可分为 、 和 。注入离子在靶内的能量损失分为 和 两个过程。在低阻材料上生长高阻外延层的工艺为 。 9.热氧化制备SiO2

2、的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过 层，到达 界面，与Si反应生成SiO2。10.硅中的荷电空位缺陷主要有 、 、 和 四种。11.恒定源扩散的杂质分布是 函数，有限表面源扩散的杂质分布是 函数。12. Grove模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节：反应剂在 的输运过程；反应剂在 的化学反应过程。共 页 第 页年 月 日考试用 专业班级 姓名 学号 说明：1、除填空题、图解及特要求外一般不留答题空间。 总印 份 （附答题纸 页）判断题。（15分，每题1分）1从广义上说，外延也是一种化学气相淀积工艺。（ ）2桥键氧数目越多，网络结合的越紧密。（ ）3杂质在硅中的扩散运动只有通过空位机制才能实现

3、。（ ）4. 集成电路中的扩散工艺是指固态扩散工艺。（ ）5二氧化硅之所以能起到掩蔽作用，是因为它能阻止其它杂质的进入。 ( )6.族元素-只有三个氧与Si形成共价键，剩余一个氧变成非桥键氧，网络强度降低。（ ）7.支配线性速率常数的主要因素是扩散系数。（ ）8.D-G模型不适用于厚度小于30nm的水汽氧化。9.当杂质浓度比本征载流子浓度高时，扩散系数与杂质浓度无关。（ ）10. 有限表面源扩散是指在整个扩散过程中，硅片表面的杂质是有限的。（ ）11.相同能量注入离子，离子越轻，横向效应越显著。（ )12. 等离子体中高速运动的电子与其它粒子的碰撞是维持气体放电的主要微观机制。（ ）13. 高

4、温下，淀积速率一般随温度的升高而成指数增加。（ ）14.正胶的分辨率比负胶高。（ )15. 光刻胶的厚度越小，分辨率越高。（ )选择题。（20分，每题2分）1一般情况下，MOS器件选取的圆片材料的晶向是 。A.（110） B. （111） C. （100）2当靠近界面处的硅中杂质浓度低于靠近界面处二氧化硅中浓度时，其 。A.m1 B.m1 C. m=13溅射选在 。 A.汤生放电区 B.辉光放电区 C.反常辉光放电区 D.电弧放电区 4离子注入时，使晶体主轴方向偏离注入方向是为了避免 。A.横向效应 B.沟道效应 C. 热电子效应 5外延时，在高温区，生长速率对温度变化非常敏感，生长速率由 控

5、制。A.扩散速度 B.气相质量输运 C.表面化学反应6. 根据菲克第一定律，当浓度梯度变大时，扩散将 。A.增强 B.减缓 C.不变2装订试卷，考生答卷时不得拆开或在框外留写标记，否则按零分计。-装-订-线- -装-订-线- -7. 硅的热氧化发生在 。A. Si内 B. SiO2内 C.Si/SiO2界面8当扩散系数很大时，生长速率由 决定。A.扩散速度 B.化学反应速度 C.氧化速度9 在二氧化硅中既是网络形成者，也是网络改变者。 A. 磷 B. 硼 C. 铝 D. 钠在氧化方法中， 氧化的生长速率快。 A.干氧 B.水汽 C.湿氧四、问答题：(共40分)热氧化过程中决定杂质再分布的主要因素有哪些？ （10分）2简述光刻工艺的基本原理及流程？ （10分）3简述两步扩散工艺。（10分） 4简述PVD和CVD的异同。（10分）共 页 第 页