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文档简介

1、一、FET原理及特性曲线教学基本要求二、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置） 以N沟道增强型MOSFET为重点，理解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。了解FET的分类、电路符号；了解N-EMOSFET的工作原理及N沟道JFET；放大区的沟道状态及vGS和vDS对iD的影响。掌握工作点的估算方法；了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。理解gm的含义及计算式，理解rds含义、完整小信号模型；三、FET的小信号模型掌握低频小信号模型。四、FET的CS和CD组态放大器熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。表4.1 FET与BJT的类比（三）类比项目双极型管场效应晶体管电

2、极名称发射极源极基极栅极集电极漏极工作区域放大区恒流区饱和区电阻区转移特性指数律平方律输入电阻低高跨导大小表4.2 各类FET放大区的工作条件绝缘栅型（IGFET）结型 （JFET）增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道N沟道P沟道vDS000VTNvGS VPNvGS VPPVPvGS 00vGS 0VTP0VPN0VP0求VGS，VGSVTN?假设工作在放大区ID=Kn(VGS-VTN)2假设工作在电阻区ID=Kn2(VGS-VTN)VDS-VDS2工作在截止区VDSVDS(sat)=VGS-VTN?成功失败VDSVDS(sat)=VGS-VTN?成功失败是否是否否是验证验证FET工作区判断

3、方法FET电路能否正常放大的判断原则 偏置电路能否提供合适的工作点 交流通路能否完成信号的输入与输出。FET放大状态的判断方法：对于给定的电路，先计算vGS的值，判断管子是否工作在截止区。若FET导通，则按照假定法判断是放大区/电阻区。相关习题：4.2(b c d), 4.3(c), 4.4(b)(e)MOSFET电路分析的一般步骤 画出放大电路的直流通路计算IDQ； 画出放大电路的交流通路； 画出放大电路的小信号等效电路 根据放大电路的小信号等效电路及各参数定义计算放大电路的交流指标Av/Avs 、Ri、Ro。 在交流通路中，用MOSFET的小信号线性模型代替电路中的MOS管。计算小信号模型

4、参数gm、rds；Ex.1 在图示电路中: Ovivo3pO2ppwt3p2ppwt(a)(b)(1) 如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。 试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区？ RG2T+VDDRSRGRLC2vo+vi+C1CS+RG1RD+-(2) 已知T工作于放大区及IDQ，RG1和RG2，求RS；(3) 在线性放大条件下，写出电路的Av、Ri及Ro的表达式。 Ovivo3pO2ppwt3p2ppwt(a)(b)RG2T+VDDRSRGRLC2vo+vi+C1CS+RG1RD+-分析由图可知，该电路是一由N-EMOSFET组成的共源极放大电路。(1) 由于电路的输出波形负半周出现了失真，故该电路的静态工作点Q靠近电阻区。RG2T+VDDRSRGRLC2vo+vi+

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