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文档简介

1、杭州电子科技大学自动化学院2009年12月31日四微机原理与接术第五章作业习题课采用DRAM组成。2009年12月31日四P2371.答：静态RAM速度非常快，只要电源存在内容就不会自 动。它的基本电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般，高速缓冲器用它组成。DRAM的内容在10-3或10-6秒之后自动，因此必须周期性的在内容 之前进行刷新。由于它的基本 电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外 耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快25倍，一般，PC机的标准 器都2009年12月31日四P2372.答

2、：掩膜型ROM中信息是厂家根据用户给定的程序或数 据，对图形掩膜进行两次光刻而写入的，用户对这类无法进行任何修改。PROM出厂时，里面没有信息，用户采用一些设备可以将内容写入PROM，一旦写入，就不能再改变了，即只允许编程一次。EPROM可编程 程序，且在程序 后可通过紫外光照擦除，以便重新 新数据。EEPROM可编程程序，并可利用电压来擦除内容，以重新编程新数据。2009年12月31日四7.答：由于所用的为10241位，10248位（即1K8位）的器需要8片，因此组成16K8位的存 储器需要168片。片内有1024个单元，需要10根地址线。16组（每组8片）器需要16根片选信号，至少需要4根

3、 地址线经译输出。示意图如下页。CSCSCSCSCSCSCSCSY15.2009年12月31日四D7D6D5D4D3D2D1D0CSCSCSCSCSCSCSCSY0CSCSCSCSCSCSCSCSY113.图如下A13A1A13A1RDA0 RDM/IOA19A1818A17A16A15BHED15D8DD158AD D14D7D070A13A1A12A0A13A1AA1203#4#WRWE 62646264Y2CE1CE2Y3CE1CE2A0CE2A0CE22009年12月31日BHE2日四WRG1Y0G2AY1 GY2 2BYC3 BAD15D8D7D0 A12A0OE2#2764CECEDD158D7D0 A12A0OE1#2764CECE2009年12月31日四13.CBAA19A18A17A16A15A14A13A0100000Y0有效8000083H10

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