成果模拟hspice教程

1、HSPICE1.MOS 管的写法m1 drain gate source body pmos Wp L已经说清楚了，四端的顺序分别是 D、G、S、B，然后写类型，最后写宽、长。2.电压源/电流源的写法V1 node1 node0 10V AC 2这是连接在 node1 与 node0 间的电压源，直流 10V，交流 2V。电阻和电容的写法下面说。I1 node1 node0 DC=5mA这是一个没有交流的电流源。其中 DC= 可以写也可以不写。I2 node1 node0 AC=2V,90这是一个交流源，幅度为 2V，相位为 90 度。V2 node1 node0 PULSE(0 1.8V 1

2、0n 2n 2n 50n 100n)脉冲电压源，低值 0，高值 1.8V，延时 10ns，上升沿 2ns，下降沿 2ns，脉冲宽度 50ns，周期 100ns。V3 node1 node0 SIN(0 1 100meg 2ns 5e7)正统脉冲电压源，中值是 0，幅度是 1，频率是 100MHez，延迟时间是 2ns，阻尼因子是 5e7，相位 0（默认值）。V4 node1 node0 PWL(0ns 0V 2ns 1.8V 6ns 1.8V 8ns 0V 9ns 0V R td=4ns)线性电压源，在 R 前面先定义好如何循环，然后延时时间（td=4ns）。3.注释用 * 或者 $， * 必

3、须写在行首， $ 可以写在语句后，但与语句间至少要空一格。4.常量常量有 f、p、n、u、m、k、meg、g。紧跟在数字后面即可，如： c1 1 2 10p5.子电路子电路的名字要以 X 开头，并且元件名过 16 个字符，端口写，子电路定义的模块名字写在最后，如：Xopa1 a b c c OP举例：反向器链.globalvdcvdd.subckt inv in outvdd01.8Vwn=0.36u wp=0.72umn out in gnd gnd N_18_G2 mp out in vdd vdd P_18_G2.endsw=wn l=0.18uw=wp l=0.18ux1inx21 2

4、1inv invout invwn=0.36u wp=0.72u wn=0.36u wp=0.72uwn=0.36u wp=0.72ux32clout 01pf6.全局节点用.GLOBAL 定义，如：.GLOBAL node1 node2 node3定义了三个全局节点。另外，节点 0、GND、GND！、GROUND 都指全局的地电位。7.电阻的写法电阻也可以在后面加 AC 参数，如：Rx 9 8 1 AC=e10定义了直流电阻 1 欧姆，交流电阻为 1e10 欧姆。电容和电感就没那么多鸟事情了。8.子电路的写法.SUBCKT SUBNAME node1 node2 *电路描述.ENDBNAME

5、9.使用库.lib C:pathtothelibmylib.lib L18U18V_TT助教的意思是说，后面的 L18U18V_TT使用这个的这一部分。库中的模型是这样定义的：.MMName 那个 M使用的时候用Name（据说在.lib 上面一行写.protect，下面一行写.unprotect 可以预防仿真时输出多余的信息，也就是一些库中的信息）10.文件.include filename.sp这样做相当于把那个文件整个粘贴过来。小猪告诉11.定义参数.param wp=0.72u,wn=0.36u,lm=0.18u。然后就可以在下面用 wp、wn、lm 来表示这些数值了。12.直流工作点分

6、析.op就这一句话。在输出文件.lis 中会列出一些直流参数和各结点的工作点电压、支路电流、静态功耗等。.dc xval 1k 10k .5k SP TEMP LIN 5 25 125扫描变量 TEMP，线性扫描，在 25 和 125 间线性取 5 个点进行分析。（SP 前面的xval 那一串应该是说，扫描 TEMP 的时候，xval 作为变量，取值从 1k 到 10k，以 0.5k 为步长）实际上输出的结果里面，先取 TEMP 为 25，扫描 xval 的取值范围；再取 TEMP 的下一个点，再扫一遍 xval；一直找到 TEMP=125。.dc vgs 0 1.8 0.1 sp vds 0.5 1.8 0.2MOS 管直流特性扫描，Vgs 从 0 到 1.8V，步长为 0.1V。（上面定义的反向器链）.dc vin 0