电子元器件培训资料

1、LENON鹿能（速束）工棠有限公司核准塞核作成甯子元器件曾介（培前1教材之三）第一章：ft子元器件外形别一.霜子元器件概念：雷子器件是用各槿材料（醇体.半醇体系自体）制成具有各槿n氧功能的零件。二.雷子元器件作用：各槿不同元器件通谩瓢源网络之各槿合方式速接一起成各槿功能不同之重路，以满足人例之各槿要求。（如：信虢的放大、算、控制、言己憾11示等）三.重子元器件分a.按封装方式分DIP-ft例直插（如:各傅统元器件）SMD-表面装贴（如:各贴片元器件）b.按材料分化合物一由硼酸.氨水.乙二醇制成金日重解霜容介it；m粉.二氧化猛制tail解雷容介等 .半醇体含碳元素物.晶体硅、金者、CMOS等合

2、金一猛铜（如:雷:感圈等）.金弘如:雷:容趣板等）余色体一陶瓷.云母.璟氧榭脂等制作元器件支架典封袋.c.按功能分有源器件一晶体管、集成重路等网!源网络一阻容、感器件、路等d.按率分底频器件一音视频放大，虑理器件。高器件一RF射放大、振制解等器件。微波器件一雷逵、南星通信用行波管、波醇等。e.按集成度分分立元件一各军体元件小规模IC一如傅统相械中H逵控制IC （罩列7pinft列8pin）中规模IC一如傅统相械中重屋比较器IC （曼列14-28pin）大规模IC一如傅统相械中 Micro Controller （曼列48pin 四列80pin）特大规模IC一如数礁相械中 ASIC.Micro-

3、P （四列100pin）四.重子元器件别方法：I雷阻器：概念：霜阻器是重子崖品中最常用之重子器件，它是由碳元素、金JS氧化物等半醇材料制作而成。作用：!1名思兼雷阻器具有阻碾雷流、降低重屋.分配雷流的作用。H氧符虢： 或 用R表示，罩位悬It姆用Q表示。罩位换算有IM Q=103KQ=106Q。外形特黑占:a.DIP封装：傅统相械中DIP封袋之金腐膜重阻最廉泛，多悬1/4W。本体:金腐膜重阻本体黄色；碳膜雷阻灰色呈圄筒状，是用陶瓷或水泥制作而成。引脚：固定雷阻器只有二根引出脚；可阻器只有三根引出脚，是用合金匾制作而成。色璟：一般雷阻只有四偃I色璟，精密雷阻有五偃I色璟，是用10槿彩色印刷而成。

4、b.SMD封装:数礁和傅统相械中全是SMD封装之金腐膜重阻，多悬 1625型。本体:金膜重阻本体卷黑色；碳膜重阻卷色呈JI方体状，是用陶瓷制成.重趣：用金各合金艘金艮以彳爰包裹本体雨端旋典引出通，若焊接日寺5sec易脱或断裂.阻值:其雷阻值直接印刷在本体正面（有I色那面），背面呈白色.n ft容器概念：重容器是霜子品中最常用雷子器件之一，它是由雨现正封的金腐趣板注入介（如:纸空氟 霜解液）而情成.作用：！1名思兼重容器具有容纳（存）H埸（HM 重荷）的作用.重氟符虢： 或用C表示,军位悬法拉（用F表示），罩位换算有：1F=106uF=109Nf=1012PF外形特黑占:a.DIP封装：傅统相械

5、中DIP封装之金日ft解ft容器最魔泛（如:大重容）b.SMD封装：傅统和数礁相中均有 SMD CAP,多悬1625型m重感器概念：重感器是重子崖品（特别是高重子崖品）中最常用之重子器件之一，它是由磁芯或其它醇磁材料作介1，漆包作厚磁圈舆磁芯制而成.作用：具有容区内（I?存）磁埸流.W ）及崖生感生雷流，霜屋的作用.H氟符虢：或用L表示，军位悬亨利用 H表示 用位换算有1H=103mH=106mH外形特黑占:a.DIP封装：傅统和数蠕相械中用建屋器.斶圈等b.SMD封装:数礁相械中多用 SMD重感作雷源及视频亲爵呢!波IV晶体二趣管概念：晶体二趣管是具有雨偃I正KU趣一偃IPN结的半厚体器件.

6、作用：具有罩向醇重特性，即重流只能彳卷正趣输入 麻趣输出，可用来整流稳屋等.H氧符虢:用D表示外形特黑占:a.DIP封袋： 相械中用作整流.穗屋.指示燎等.b.SMD封袋：数礁相械中常用作穗屋.整流等.V晶体三趣管概念：晶体三趣管是具有三偃趣 （基趣.集H趣.樊射趣）丽偃I PN的结半厚体器件.作用：具有信虢放大和信司作用.（如:AE.AF 信司三趣管.音频放大管等）霜氟符虢:用Q.BG.V.T表示外形特黑占:a.DIP封袋：傅统相械中作振藻.信司等b.SMD封袋：数礁和傅统相械中用作信司.31勤等第二章看子元器件参数It取一.目的重子元器件的参数直接反映了 器件的有效功能及可以成之1O各，同

7、一偃I元件其参数不同成不同之1O各，崖生不同之H氧功能，故参数的H取是使用元器件的第一步.二.参数表示方法表示重子元器件H数的方式很多，其中最常冕的有K色.体稹.字符等等，ia取H数也只能彳卷表示方式去辩IS.三.参蜀嗑!取方法取是n数表示方法的逆谩程I重阻器修数用重阻值.差值.功率等级表示）a.DIP封袋之ft阻用色璟表示ft阻值，一般ft阻4色璟，精密ft阻5色璟.b.各色璟封鹰数字封照表!色黑棕橙黄紫灰白金金艮瓢色代表数01234567890.050.10.2c.4色璟H取方法：前雨色璟代表数表示有效位（偃I迤位&十迤位）;第三色璟代表数表示有效位的乘方数；第四色璟表示甯阻阻值的差等级.

8、 例如： TOC o 1-5 h z d.5色璟H取方法：前三色璟代表数表示有效位固迤位.十迤位&百迤位）;第四色璟代表数表示有效位的乘方数;第五色璟表示阻值的差等级. 例如：SMD封装之ft阻值直接在本体正面用白漆印刷而成，舆色璟雷阻算法相同.例如：n重容器（参数用重容量.耐屋值.1差值表示）DIP封装之重容器参数直接印刷在本体上，分趣性重容和辗趣性重容雨槿.a.趣性重容：330V表示ft容器所能承受的最大额定，若超谩此值重容器曾漏雷甚至爆炸.160UF表示重容器的额定有效重容量，霜容越大所容区内的重埸越弓金.b.H相重容：104表示重容量罩位翁皮彝 ，即104=10*104=0.01uFH

9、相重容容量一般都在1uF以下，只能用作信虢之藕合.旁路.祷慎.稹分等，故信虢甯屋儒 mv级不用考耐屋，趣性等参数.SMD封袋之ft容器参数亦是直接印刷在本体上，分趣性ft容和瓢趣ft容丽槿.a.趣性重容：参数取舆 DIP趣性重容相同.b.H趣甯容：没有任何印刷檄示，可初步彳卷体稹判断，重容量舆体稹成正比.m重感器（参数用重感量率特性表示，以mH卷罩位）DIP封装之重感器：一槿舆色璟霜阻一檄用色璟表示，另一槿式甯感器辗檄示.a.色璟重感：舆色璟雷阻IS法相同.b.W重感：其匝数匝距典重感量成正比.SMD封袋之ft感器有任何檄示，只能用感抗倭方能测出，一般重感量舆体稹成正比.IV晶体二趣管由於二趣

10、管是有源器件，其H数就是它的输入.输出特性（如:正反向阻挠.反向漏重流等），畿探言寸符涉及到重子擘的深Jf研究，道未里不再叙述.V晶体三趣管由於三趣管是有源器件，其参数就是它的输入.输出特性（如:Q黑占重屋.0值.截止.鲍和甯屋等），畿探言寸符涉及到甯子擘的深Jf研究，道未里不再叙述四.作渠重黑占:本公司相械崖棠已彳伯！霜一体化醇向数字一体化，日彳爰之作渠中我凭面陶的重要冏题一超小型.超集成甯子器件之装配.雉修技循1 .DIP.SMD通用元器件参数H取是每位作11人_1所必须掌握，才能保if Rework& Repair不致手，卜tWHL，瓢优下手.第三章蹙子元器件功能.工具 葛用表： a.指

11、金十式离用表 b.数字式离用表 示波器： a.模擦示波器 b.数字暂憩示波器 c.数字日寺示波器 i分tf分析倭： 用来分析高低频及微波器体的输入.输出特性.方法DIP&SMD封袋方法相同.前检查棒余性能及“0”，方法卷:符正H趣表肇短路整日帚零使指金段帚零彳复位，数字离用表不用“0” .I雷阻器槽位逗撵：用离用表（指金十.数字土可）位位到H阻测1KQ槽（具体视被测H阻阻值而定，以测内洸!阻值大於被测阻值悬原期）参数H取：被测雷阻阻值等於指金十所指数（数字离用表可由 BLCD直接I1示）乘以槽位数.例如:指金十所指数悬 4.7,槽位悬1KQf被测雷阻阻值悬 4.7*1K=4.7K Q功能测:若

12、槽位逗1MQ指金十始於指向!大即被测雷阻路，雷阻一般不曾短路.n ft容器功能很懂: TOC o 1-5 h z a.指金十离用表瓢法测出重容器型碓霜容量，用雷阻I 10 Q槽只能测重容器充放重功能.b.若指金十右偏彳爰不向左偏或偏到中停止明重容器擎穿短路或漏H，漏重大小典指金十停留位置到!大距蹄成正比.:a.用雷容阻抗测倭或具有重容测功能之数字离用表可测重容器精密重容量b.方法:符重容器插迤离用表CX插座（SMD封装须优插座引出速接 ），槽位拔到重容相鹰槽位.c.被测重容容量由雷容阻抗倭或数字离用表直接I1示H取.例如：BLCD 示4.7而樟位在 20UF却J CX=4.7UFLENON鹿能

13、（速束）工棠有限公司 TOC o 1-5 h z 加重感器 功能很懂: a指金十离用表瓢法测出重感器型碓霜感量，用雷阻I 10 Q槽只能测重感器路舆短路.b.若指金十左偏到!大明此ft感器已弱路；若右偏到零明此ft感器已匝穿短路: a.用雷感阻抗器或具有重感测功能之数字离用表可测重感器精碓重感量b.符重感器插迤离用表LX插座（SMD封装插座引出速接）4富位拔到重感测相鹰槽位 .c.被测重感感量由重感阻抗倭或数字离用表直接I1示H取.例如：BLCD I!示 250而槽位在 500mH押J LX=250mHIV晶体二趣管 功能很懂: a.用指金十离用表雷阻I1KQ槽（数字离用表用晶体管测内洸！ “”）b.用缸表肇典二趣管I1趣速接，黑表肇典二趣管正趣速接（数字表相反）. c.若指金十指到4KQ （数字表BLCD 示0.85）即悬良品；若指到!大或零明管子幽路或擎穿短路: a.晶体二趣管H数由正向醇通特性曲表示，其中可以1S出二趣管最大反向重屋，最大反向重流及反向漏重流等参数. b.测倭器须用示波器及二趣管测ttiO各（整流&穗懿土可）.c.参数测制：符涉及到重子擘更深Jf研究此略，只掌握功能判断即可.V晶体三趣管 功能测: a.舆IV a相同 b.用缸.黑表肇分别交替舆b.c.e三局画1接，若指金十雨次指到 5KQ （数字表BLCD