自治区战略性新兴产业专项资金申请报告

1、PAGE 附件2：自治区战略性新兴产业专项资金申请报告项目名称称：LED电电子芯片片封装及及LEDD光源智能化控控制系统统研发与与产业化化项目类别别：关键技术术产业化化项目申报单位位（盖章章）：新新疆紫晶晶光电技技术有限限公司通讯地址址：乌鲁木齐齐市高新新区（新新市区）昆明路路8号邮 编：8300000联 系 人：苗勇杰固定电话话：09911-388212209手 机：18999990005332传 真：09911-366660069申报日期期：20155年 8 月 10 日日 新疆维维吾尔自自治区经经济和信信息化委委员会 制 新新疆维吾吾尔自治治区财政政厅PAGE 3 自治区战战略性新新兴产

2、业业专项资资金申请报告告编写提提纲一、项目目基本情情况（一）项项目概要要项目名称称，建设设单位，建设地地点，建建设规模模、产品品方案及及建设内内容，项项目进度度，总投投资及已已完成投投资情况况。项目名称称：LEED电子子芯片封封装及LLED光光源智能能化控制制系统研研发与产产业化建设单位位: 该该项目由由新疆紫紫晶光电电技术有有限公司司承担。建设地点点：乌鲁鲁木齐高高新区（新市区区）北区区工业园园主要产品品：新型型照明用用LEDD灯珠、适合新新疆的LLED光光源产品品。建设内容容：本项项目针对对新疆及及中亚地地区特殊殊地理环环境对LLED照照明用大功率率LEDD灯珠的的特殊需求求，开展展新型照

3、明明用大功率率LEDD电子芯芯片封装装技术研发发、适应应新疆特特殊地理理环境的的LEDD光源产产品的研研发，以以及LEED光源源智能化化控制系系统的研发；在乌鲁木木齐市高高新区建建设新疆疆第一条条LEDD封装生生产线，推动新新疆LEED蓝色色产业链的快速发展展，并带带动新疆疆LEDD蓝色产业业链的技技术创新新，促进进新疆地方方经济的的快速增增长。具体内容容有：利利用乌鲁鲁木齐高高新区北北区政府府批复的的55亩亩土地，建设厂厂房40000平平米，购置并安安装LEED封装装生产制制造设备备、智能化化照明控控制系统统及LEDD照明产产品生产产设备，以及相应应的LEED光源源检测设设备，新新增年产产L

4、EDD灯珠30000万万颗、LEDD光源照照明控制制系统、高性能能LEDD照明产产品1000000套（根根据订单单生产）；实现现新增年年产值330000万元，利税8850万万元。在在乌鲁木木齐建立立适合新疆疆及中亚亚地区特特殊地理理环境的的LEDD电子芯芯片封装装产品、LEDD光源产产品产业业化基地地。项目进度度：20155年1月月-20015年122月，计计划投资资1600万万元，建建设厂房房40000平米米，购置置并安装装LEDD封装生生产线、智能化化照明控控制系统统等制造设备备以及相相应的LLED光光源检测测设备，进行新新型大功功率LEED灯珠珠的封装装生产，并对LLED灯灯珠、智智能化

5、照照明控制制系统进进行必要要的检测测、性能能测试。20166年1月月-20016年122月，计计划投资资500万万元，针针对新疆疆及中亚亚地区特特殊地理理环境对对大功率率LEDD灯珠封封装的特特殊要求求，进行行大功率率LEDD灯珠封封装结构构优化、工艺设设计、批批量生产产，针对对新疆及及中亚地地区特殊殊地理环环境对LLED光光源进行行散热强强化，并并进行相相应的老老化试验验，适合合新疆及及中亚地地区特殊殊地理环环的LEED光源源产品及及其智能能化照明明控制系系统的达达到批量量产出。总投资及及完成情情况：本本项目计计划投资资21000万元（其中220155年投资资1600万万元，220166年投

6、资资500万元元），已已投资11300万元元（厂房房建设9900万万元，生生产及检检测设备备300万万元，生生产流动动资金1100万万元）；全部为为实有资资金。贷款5500万万元已获获得审批批。（二）项项目建设设条件落落实情况况备案（核核准）情情况、建建设用地地情况、环评批批复情况况、自有有资金及及银行贷贷款落实实情况。本项目生生产基地地位于高高新区北北区工业业园，由由北区政政府批复复的555亩建设设用地。备案编编码：1131001500381100998。本本项目为为绿色环环保性质质,无三三废污染染。新厂厂区的环环评正在在进行中中。本项目总总投资21100万元，其其中厂房房及必要要的附属属生

7、产设设施建设设11000万元元，设备备投入4400万万元，生生产流动动资金投投入6000万元元。建设设资金由由项目申申请单位位新疆紫紫晶光电电通过自自筹、贷贷款等方方式解决决。20015年计划划投资116000万元，已完成成投资11300万万元，剩剩余款项项自筹为为主，贷贷款5000万元元已获得审批。二、项目目单位基基本情况况（一）项项目单位位基本情情况所有制性性质，企企业类型型，股东东构成及及主要股股东的概概况，发发展历程程，主营营业务，在国内内及区内内同行业业所处地地位，人人员结构构，技术术实力，获得的的与申报报项目有有关的主主要业绩绩、专利利、资质质、荣誉誉等。新疆紫晶晶光电技技术有限限

8、公司成成立于220111年4月月，注册册资金336000万元；系中国国科学院院响应国国家“科技援援疆”号召，批准由由“中科院院 HYPERLINK t _blank 上海光光学精密密机械研研究所” 提供全全部技术术支撑、“中科院院新疆理理化技术术研究所所”提供技术术协作，在乌鲁鲁木齐高高新区（新市区区）成立立的股份份制有限限责任公公司。紫紫晶光电电是以研研发生产产LEDD蓝宝石石晶体（第三代代半导体体核心发发光基础础材料及及电子工工业用高高端窗口口材料）、LEDD高效节节能照明明产品为为主，集研发发、生产产于一体体的高新新技术企企业。承承担“中科院院上海光光机所”自主研研发的蓝蓝宝石晶晶体技术

9、术成果转转换是上海海光机所所在新疆疆建立的的唯一产产业化基基地。紫紫晶光电电于20012年年通过IISO990000质量管管理体系系认证，20114年获获得国家家级高新新技术企企业认证证。紫晶晶光电现现有职工工98名，厂房1110000平米米。紫晶晶光电的的蓝宝石石晶体生生长工艺艺技术拥拥有自主主知识产产权，填填补了新新疆没有有核心技技术的LLED照照明生产产企业的的空白。紫晶光光电已申申报国家家发明专专利3项项、实用用新型专专利2项项；现已已获得授授权发明明专利11项、实实用新型型专利22项。紫晶光电电是新疆疆及中亚亚地区首首家LEED产业业链上游游关键基基础材料料LEED用蓝蓝宝石晶晶体生

10、产产企业。目前已建建设完成成14台台/套335kggLEDD蓝宝石石晶体、16台/套套50kkgLEED蓝宝宝石晶体体泡生炉炉和1台台K1型型90kkg进口口蓝宝石石晶体泡泡生炉，及相配配套的电电力设施施、冷却却水循环环设施；以及蓝宝石石晶体相相关配套套的大型晶晶体检测测设备33台、晶晶体后加加工设备备9台等等加工检检测设施施。紫晶光电电是新疆疆及中亚亚地区首首家LEED产业业链中游游产品LEED灯珠珠生产企企业，目目前拥有有新疆及及中亚地地区第一一条LED灯灯珠封装装生产线线，拥有有LEDD灯具组组装线、各种LLED光光源检验验检测等等各型设设备。拥拥有年产产大功率率LEDD灯珠330000

11、万颗、年加工工LEDD光源550万套套的产能能。公司主营营：LEED衬底底材料蓝蓝宝石晶晶体、晶晶棒、晶晶片的研研发、生生产、加加工、销销售，LLED光光源产品品的研发发、生产产、检测测、销售售。公司发展展历程：20111年4月月，紫晶晶光电落落地高新新区北区区工业园园；20111年100月，公公司355kg蓝宝宝石晶体体成功下下线；20111年-220133年122月，紫紫晶光电电投资335000万元，建成110台335kgg泡生炉炉蓝宝石石晶体生生产线及及相关配配套设备备、晶体体加工设设备、检检测设备备，进行行技术人人员培训训、设备备调试及及实验性性小批量量生产。公司研研发中心心对LEED

12、蓝宝宝石晶体体炉生长长控制系系统进行行了优化化升级，大幅度度提高了了晶体炉炉的自动动化控制制水平，在保证证蓝宝石石晶体内内在质量量的同时时，提高高晶体生生长的成成品率、晶体生生长炉的的产出率率，降低低了生产产成本，加速蓝蓝宝石晶晶体生长长的产业业化。20144年，紫紫晶光电电投资880000万元，购买555亩建建设用地地，建设设厂房11.1万万平米，新增4台台/套335kggLEDD蓝宝石石晶体、16台台/套550kggLEDD蓝宝石石晶体泡泡生炉和和1台KK1型990Kgg进口蓝蓝宝石晶晶体泡生生炉，及及相容量量为19945KKVA的的电力设设施、容容量为8800mm的冷却水水循环设设施。目

13、前355kg蓝蓝宝石晶晶体炉和500公斤蓝蓝宝石晶晶体炉已已全部投投入生产产，355kg蓝蓝宝石晶晶体和550公斤斤蓝宝石石晶体已已经开始始批量生生产，晶晶体质量量经检测测达到LLED衬衬底使用用要求。紫晶光电电公司性性质为有有限责任任公司，行业所所属为半半导体分分立部件件制造。本公司司进行的的产业项项目是国国家大力力鼓励发发展的、节能环环保的半半导体照照明产业业项目；紫晶光光电的生生产技术术在蓝宝宝石生产产领域处处于国内内领先地地位，335Kgg蓝宝石石晶体成成品率已已达70%，50kkg蓝宝宝石晶体体成品率率已达660%。公司先后后获得：A、20011年年1月，“高质量量蓝宝石石晶体的的生

14、长技技术研究究”列入了了自治区区高技术术研究发发展 “新材料料技术领领域”计划项项目；B、20011年年6月，“LEDD用蓝宝宝石晶体体材料关关键技术术研发及及产业化化”列入自自治区“十二五五”科技重重大专项项；C、20011年年中科院院将“LEDD用蓝宝宝石晶体体材料关关键技术术研发及及产业化化”列为中中科院战战略性新新型产业业项目。D、紫晶晶光电“LEDD用蓝宝宝石晶体体材料关关键技术术研发及及产业化化”项目已已被乌鲁鲁木齐市市列为220122年重点点建设项项目；E、20012年年6月紫晶晶光电“LEDD用355kg蓝蓝宝石晶晶体材料料关键技技术产业业化”项目列列为自治治区“战略性性新兴产

15、产业化”项目，F、公司司被列入入“20113年乌乌鲁木齐齐市战略略性新兴兴企业”；G、20014年年8月荣荣获首首届新疆疆创新创创业大赛赛乌鲁木木齐高新新区（新新市区）分赛区区优秀奖奖、第三三届中国国创新创创业大赛赛（新疆疆赛区）暨首届届新疆创创新创业业大赛三三等奖；H、20014年年9月荣荣获乌鲁鲁木齐高高新区新新市区第第六届“守合同同重信用用”企业称称号；I、20014年年10月月荣获乌乌鲁木齐齐市级科科技信用用B级证证书；J、20014年年10月月荣获得得国家“高新技技术企业业”认证；K、20014年年起承建建市级工工程技术术研究中中心：“乌鲁木木齐LEED光器器件与照照明工程程技术研研

16、究中心心”紫晶光电电已经注注册了具具有自主主知识产产权的商商标2件件；申请请国家发明明专利3项、实用用新型专专利2项项（已获获得授权权发明专专利1项项、实用用新型专专利2项项）；正在在参与制制定“LEDD用蓝宝宝石晶体体系列国家家标准”。公司经营营团队成成员都是是具有高高学历及及多年企企业经营营管理经经验的企企业家，他们都都具有成成功领导导企业成成功发展展的经历历。公司中层层管理人人员，以以具有多多年企业业管理经经验的优优秀团队队组成，他们中中间有工工程师、注册会会计师、会计师师等；技技术管理理依托中中国科学学院上海海光机所所、新疆疆理化所所的专家家、教授授，形成了了一支队队伍稳定定、管理理素

17、质良良好、层层次合理理的管理理团队。股东构成成及主要要股东的的概况：公司董事事长郭宏宏鹤先生生：江苏苏能建机机电实业业集团有有限公司司董事长长，下辖辖泰州市市分析仪仪器厂、江苏省省普菲柯柯医疗器器械总厂厂、中国国老科协协高科技技泰州实实验基地地、泰兴兴分公司司。固定定资产达达60000万元元，年产产值达亿亿元，历历年来资资信等级级为江苏苏省AAAA级企企业，连连续十六六年被评评为省“重合同同，守信信用”企业，通过IISO990011：19996标标准质量量管理体体系认证证和国家家进出口口企业认认证，同同时享有有自营进进出口权权，并被被江苏省省命名为为“江苏省省高新技技术企业业”。 公司司副董事

18、事长黄建建初先生生：中国国最大的的电动工工具生产产商：铁铁鎯电动动工具总总经理。旗下在在杭州拥拥有房地地产公司司，在美美国、新新加坡、印度拥拥有合资资企业。铁鎯是是国家重重点高新新技术企企业，铁铁鎯牌电电动工具具出口欧欧美、东东南亚、非洲的的30多多个国家家和地区区。公司董事事、总经经理赵兴兴俭先生生：清华华大学EEMBAA，浙江江企业联联合会新新疆商会会副会长长，新疆疆阿拉山山口紫晶晶矿业公公司董事事长。公司董事事刘浪女女士：上上海大恒恒光学精精密机械械有限公公司副总总经理。公司董事事吕玉炜炜先生：新疆火火炬创业业投资有有限公司司董事长长。公司董事事、总工工程师杭杭寅教授授：上海海光机所所研

19、究员员、博士士生导师师，获国国务院政政府特殊殊津贴的的晶体技技术专家家。公司董事事韦建先生生：法律律、经济济专业双双学士，新疆紫紫晶高新新公司董董事长。公司研发发中心副副主任潘潘世烈博博士：中中科院新新疆理化化所研究究员、博博士生导导师、中中科院“百人计计划”学者。（二）法法人代表表基本情情况姓名、年年龄、学学历、职职称、业业绩以及及主要社社会兼职职等，有有无破产产、银行行欠资、偷税漏漏税或其其他需要要说明的的有关社社会形象象和诚信信问题等等。法人代表表：赵兴兴俭赵兴俭先先生现年年53岁，浙浙江诸暨暨人，大大专学历历，清华华大学EEMBAA。 20000年自治治区人民民政府招招商引资资。赵兴兴

20、俭先生生随浙江江省省委委书记带带队的代代表团来来新疆，与原北北疆铁路路实业公公司合作作，创办办了“新疆西西北熔炼炼有限责责任公司司”，主要要生产合合金铝锭锭，任副副董事长长。20033年代表表西北熔熔炼有限限责任公公司，携携手中国国联合石石油西北北公司、中国远远洋新疆疆公司等等，联合合创办了了“新疆乾乾通货运运代理有有限责任任公司”，任董董事。20077年发起起创办了了“阿拉山山口紫晶晶矿业有有限责任任公司”，任董董事长至至今。20100年作为为自然人人发起人人与中科科院上海海光机所所在乌鲁鲁木齐高高新区筹筹建专业业生产LLED蓝蓝宝石晶晶体的高高科技企企业“新疆紫紫晶光电电技术有有限公司司”

21、。20011年年，该项项目技术术主体单单位中科院院上海光光机所与与乌鲁木木齐高新新区政府府签署了了LEDD蓝宝石石晶体项项目战略略合作协协议。该该项目也也是中科科院批准准的唯一一的科技技援疆项项目，填填补了自自治区在在蓝宝石石晶体生生产领域域的空白白。赵兴俭先先生无破破产、银银行欠资资、偷税税漏税或或其他需需要说明明的有关关社会形形象和诚诚信问题题。（三）研研发投入入情况 研发机机构建设设情况，近两年年研发投投入情况况，已取取得的主主要科研研成果和和专利情情况，相相关标准准，企业业创新能能力评定定情况。1、研发发机构建建设情况况“新疆紫紫晶光电电技术有有限公司司研发中中心”是紫晶晶光电的的研发

22、机机构，20111年66月成立立。研发中中心由上上海光机机所国家家级研究究员、博博士生导导师、“紫晶光光电”总工程程师杭寅寅教授为为首的技技术团队队负责研研发中心心的日常常工作；现有技技术人员员15名名。研发中中心主要要开展LLED用用蓝宝石石晶体生生长技术术等关键键技术的的研发，以及LLED中中下游产产业LEDD封装技技术、LLED光光源应用用产品技技术的研研发，为为公司提提供技术术支撑；还将承承接国家家、自治治区级关关于LEED产业业链中下下游产业业各项课课题的研研发工作作。研发发中心下下设产品品研发室室、课题题专利管管理室、设备研研发室、产品质质量检验验室、工工艺技术术室。紫紫晶光电电累

23、计研发发投入500余万元。目目前项目目申请单单位在市市科技局局的支持持下正在在筹建“乌鲁木木齐市LLED光光器件与与照明工工程技术术研究中中心”。紫晶晶光电研研发中心心利用自自主技术术生长的的蓝宝石石晶体（作为LLED核核心发光光材料的的关键支支撑材料料），针对新新疆及中中亚地区区特殊地地理环境境对LEED光源源的特殊殊需求，在LEED封装装工艺技技术、LLED封封装结构构技术、LEDD封装散散热技术术等方面面加大科科研投入入，采用用先进的的材料生生长与元元件制造造工艺，在着力力提高LLED封封装的散散热效率率的同时时，提高LLED封封装的取取光效率率；并采用用智能化化高效控控制，实实现特殊殊

24、地理环环境下对对LEDD芯片的散热要要求，提高出出光效率率，提高高其使用用性能和和可靠性性。2、紫晶晶光电LLED节节能照明明技术水水平和产产品的性性能公司利用用生长蓝蓝宝石晶晶体作为为LEDD核心发发光材料料的优势势，与国国内半导导体照明明的龙头头企业勤勤上光电电股份有有限公司司建立了了战略合合作伙伴伴关系，紫晶光光电LEED光源源生产车车间，是是勤上光光电在新新疆设立立的LEED孵化化工厂，在生产产技术工工艺上与与勤上光光电共享享技术平平台。勤勤上光电电研发技技术中心心是国家家级的、拥有4400多多人的技技术研发发团队，属于国国内LEED行业业领军企企业。紫紫晶光电电是集LLED电电子芯片

25、片封装、LEDD光源、灯具一一体化的的研发、生产专专业半导导体照明明企业。紫晶光光电拥有有新疆首首家LEED封装装车间、SMTT生产车车间，封封装车间间已经生生产出第第一批新新疆自己己的LEED灯珠珠，已经经研发生生产大功功率LEED路灯灯、LEED亮化化产品、LEDD商业照照明、LLED家家居照明明等3000多个个LEDD节能照照明产品品。公司司建立了了专门LLED光光源检测测机构和和配置了了非常完完备的检检测设备备；严格格的品质质管理经经过ISSO90000认认证。紫紫晶光电电还依靠靠中科院院上海光光机所、新疆理理化所雄雄厚的科科技实力力支撑，打造出出一流品品质的城城市智能能化照明明设施管

26、管理系统统和各类类智能化化高端LLED应应用产品品。紫晶晶光电已已经成为为中国新新疆LEED照明明行业的的领跑者者，打破破了内地地LEDD产品垄垄断新疆疆市场的的格局。 2、科研研成果和和专利情情况，企企业创新新能力评评定情况况：中国科学学院上海海光机所所是紫晶光光电的技技术投资资方。中国科科学院上上海光机机所具有有国内一一流的实实验研究究条件，在各种种新型高高性能激激光器件件、激光光与光电电子功能能材料的的研制方方面，达达到了国国际领先先或先进进水平。其中大大尺寸磷磷酸盐激激光玻璃璃、温梯梯法生长长大尺寸寸钛宝石石晶体和和蓝宝石石晶体等等方面技技术已达达国际先先进水平平。上海海光机所所系统研

27、研究了提提拉法、温梯法法、导模模法和泡泡生法生生长蓝宝宝石晶体体的技术术，蓝宝宝石晶体体的研究究多次获获得国家家“8633”和国防防科工委委的项目目支持，大尺寸寸蓝宝石石晶体研研发获得得20003年国国家科技技进步二二等奖。公司的技技术协作作单位新新疆理化化所，先后完完成和承承担国家家自然科科学基金金项目、中科院院重要方方向性项项目、新新疆自治治区重大大科技专专项等科科研项目目28项项；发表表SCII、EII索引论论文900余篇；申请美美国发明明专利33项、中中国发明明专利337项；荣获新新疆维吾吾尔自治治区科技技进步一一等奖11项。新新疆理化化所已经经成为我我区在光光电功能能材料领领域的高高

28、水平研研究基地地和高层层次人才才培养基基地。紫晶光电电已经注注册了具具有自主主知识产产权的商商标2件件；申请请国家发发明专利利3项、实用用新型专专利2项项；已获得得授权发发明专利利1项（发明名名称：一一种非线线性光学学晶体及及其制备备方法和和用途，专利号号ZL2201221000761128.7）、实用新新型专利利2项（实用新新型专利利：一种种基于KKGD设设计的高高光效LLED光光源模组组，专利利号：2201222022484414.2；实实用新型型专利：一种组组合式的的可测性性LEDD封装支支架，专专利号：2011220024884311.6）。（四）主主要科研研带头人人情况 姓名、年龄、

29、学历、职称、业绩以以及主要要科研成成果等。研发中心心主任杭寅寅研究员员简历 杭寅，男男，19962年年出生，现任中中国科学学院上海海光机所所研究员员、博士士生导师师，中国国晶体学学会理事事，全国国人工晶晶体标准准化技术术委员会会委员，中国光光学学会会光学材材料专业业委员会会委员，人工工晶体学学报编编委，119822年毕业业于南京京大学物物理系晶晶体物理理专业，一直从从事激光光与光电电子晶体体材料的的研究与与开发工工作，申申请获得得并主持持国家“8633”、“9733”、国国家自然然科学基基金、国国防科工工委和上上海市科科委等十十多项课课题，在在国内外外SCII、EII期刊上上发表论论文800多

30、篇，申请获获得授权权发明专专利100多项。近几年年来，带带领技术术团队自自主研发发成功泡泡生法生生长大尺尺寸蓝宝宝石晶体体（重量量35kkg,直直径和长长度大于于2000mm）。19822年-220000年在中中国科学学院安徽徽光机所所工作。19866年聘为为助理研研究员，担任课课题组长长，19988-92年年任安徽徽省政协协委员，19911年被中中科院特特批为副副研究员员，19993年年起享受受国务院院政府特特殊津贴贴，19993年年获第二二届安徽徽青年科科技奖，19996-220000年担任任晶体材材料研究究室副主主任，119977年被中中科院特特批为研研究员，19997-220000年创

31、办办合肥科科晶材料料技术有有限公司司（安徽徽光机所所与美国国MTII公司合合资）并并担任总总经理、董事。20001年-现在：在中国国科学院院上海光光机所工工作。220011-022年被上上海光机机所委派派创办上上光富晶晶光电材材料有限限公司（上海光光机所与与富士康康集团合合资）并并担任总总经理，20033-055年在激激光与光光电子材材料研发发中心担担任课题题组长，20055-100年担任任上海光光机所激激光与光光电子材材料研发发中心主主任。研发中心心副主任任潘潘世烈博博士简历历潘世烈，男，119733年100月生，理学博博士，研研究员，博士生生导师，中国科科学院“百人计计划”学学者，“新世纪

32、纪百千万万人才工工程”国国家级人人选，国国务院政政府特殊殊津贴获获得者。20002年77月于中中国科学学技术大大学获理理学博士士学位，20004年中中国科学学院理化化技术研研究所博博士后出出站后，到美国国西北大大学化学学系做博博士后。20007年66月招聘聘回国到到中国科科学院新新疆理化化技术研研究所工工作。先先后在JJ. AAm. Cheem. Socc.; Cheem. Matter.; CChemm. CCommmun.; JJ. MMateer. Cheem.; Innorgg. CChemm.等国国际著名名刊物上上发表论论文900余篇，申请美美国发明明专利33项，申申请中国国发明专专

33、利377项。担担任J. Amm. CChemm. SSoc.; CChemm. MMateer.; J. Maaterr. CChemm.; Cryyst. Grrowtth DDes.; IInorrg. Cheem.等等国际期期刊审稿稿人。已已培养博博士研究究生5名名，硕士士研究生生7名。在站博博士后22名，在在读博士士研究生生7名，硕士研研究生114名。主要从事事功能晶晶体材料料的研究究。先后后主持或或作为主主要成员员参加了了美国国国家自然然科学基基金，美美国能源源部基金金，中国国重大基基础研究究项目和和中国国国家自然然科学基基金、中中科院重重要方向向性项目目和自治治区十二二五重大大科技

34、专专项等项项目的研研究工作作。在国国际上首首次生长长出了大大尺寸的的SrBBPO55、BaaBPOO5单晶晶。利用用熔体法法生长出出两种新新型非线线性光学学晶体NNa3VVO2BB6O111、BBi2ZZnOBB2O66，该类类材料可可望成为为适用于于蓝绿激激光变频频技术的的新一代代非线性性光学材材料。获获得“新新世纪百百千万人人才工程程”国家家级人选选称号、第五届届新疆青青年科技技奖。承承担的“新型硼硼酸盐非非线性光光学晶体体材料的的研究”项目于于20110年11月通过过新疆维维吾尔自自治区科科技厅组组织成果果鉴定，达到国国际先进进水平，获得220100年度新新疆维吾吾尔自治治区科技技进步一

35、一等奖（排名第第一）。到目前前为止已已在J. Amm. CChemm. SSoc.、Chhem. Maaterr.、IInorrg. Cheem.、Cryystaal GGrowwth & DDesiign等等国际著著名刊物物上发表表论文990余篇篇，其中中SCII影响因因子4.0以上上23篇篇，申请请美国发发明专利利3项，中国发发明专利利37项项。（五）财财务状况况须附经会会计事务务所审计计的审计计报告复复印件(20114年度度审计报报告或项项目专项项审计报报告)，审计报报告须带带条码。资 产金额（元元）负债和所所有者权权益金额（元元）流动资产产合计1480040112.991流动负债债47

36、64458005.338非流动资资金合计计7020039779.440非流动负负债0.000其中：固固定资产产4025588113.996负债合计计4764458005.338在建工程程1371112770.440所有者权权益合计计3736621886.993无形资产产1581180998.330其中：未未分配利利润136221866.933资产总计计8500079992.331负债和所所有者权权益合计计8500079992.331项目申请请单位新新疆紫晶晶光电的的20114年度度财务状状况简表表三、项目目建设背背景和意意义（一）建建设背景景重点分析析项目国国际国内内现状和和技术发发展趋势势，

37、国家家和自治治区相关关产业政政策、规规划有关关内容，项目所所处产业业链发展展状况，以及产产业链上上下游配配套情况况。一、项目目国际国国内现状状和技术术发展趋趋势半导体 HYPERLINK 发发光二极极管简称称 HYPERLINK LEDD，从上上世纪六六十年代代研制出出来并逐逐步走向向市场化化，LEED封装装技术不不断改进进和发展展。LEED 由由最早用用玻璃管管封装发发展至 HYPERLINK 支支架式环环氧封装装和表面面贴装式式封装，使得小小功率LLED 获得广广泛的应应用。从从上世纪纪九十年年代开始始，由于于LEDD 外延延、芯片片技术上上的突破破，四元元系AllGaIInP 和GaaN

38、 基基的LEED相继继问世，实现了了LEDD 全色色化，发发光亮度度大大提提高，并并可组合合各种颜颜色和白白光。器器件输入入功率上上有很大大提高。目前单单芯片11W HYPERLINK 大功功率LEED已产业业化并推推向市场场，台湾湾国联也也已研制制出100W 的的单芯片片大功率率LEDD。这使使得超 HYPERLINK 高高亮度LLED的应用用面不断断扩大，首先进进入特种种 HYPERLINK 照明的市市场领域域，并向向普通照照明市场场迈进。由于LLED 芯片输输入功率率的不断断提高，对这些些功率型型LEDD 的封封装技术术提出了了更高的的要求。功率型型LEDD 封装装技术主主要应满满足以下

39、下二点要要求：一一是封装装结构要要有高的的取光效效率，其其二是热热阻要尽尽可能低低，这样样才能保保证功率率LEDD 的光光电性能能和可靠靠性。（一）、功率型型LEDD 封装装技术现现状由于功率率型LEED 的的应用面面非常广广，不同同应用场场合下对对功率LLED 的要求求不一样样。根据据功率大大小，目目前的功功率型LLED 分为普普通功率率LEDD 和WW 级功功率LEED 二二种。输输入功率率小于11W 的的LEDD（几十十mW 功率LLED除除外）为为普通功功率LEED；输输入功率率等于或或大于11W 的的LEDD 为WW 级功功率LEED。而而W 级级功率LLED 常见的的有二种种结构形

40、形式，一一种是单单芯片WW 级功功率LEED，另另一种是是多芯片片组合的的W 级级功率LLED。1国外外功率型型LEDD 封装装技术：（1）普普通功率率LEDD根据报导导，最早早是由HHP 公公司于119933 年推推出“食人鱼鱼”封装结结构的LLED，称“Supper fluux LLED”，并于于19994年推推出改进进型的“Snaap LLED”，其外外形如图图1 所所示。它它们典型型的工作作电流，分别为为70mmA 和和1500mA，输入功功率分别别为0.1W 和0.3W。Osrram 公司推推出“Powwer TOPP LEED”是采用用金属框框架的PPLCCC 封装装结构。之后其其

41、他一些些公司推推出多种种功率LLED 的封装装结构。其中一一种PLLCC-4 结结构封装装形式，其功率率约20003300mmW，这这些结构构的热阻阻一般为为751255/W。总之，这些结结构的功功率LEED 比比原支架架式封装装的LEED 输输入功率率提高几几倍，热热阻下降降几倍。（2）WW 级功功率LEEDW 级功功率LEED 是是未来照照明的核核心部分分，所以以世界各各大公司司投入很很大力量量，对WW 级功功率封装装技术进进行研究究开发，并均已已将所得得的新结结构、新新技术等等申请各各种专利利。单芯芯片W 级功率率LEDD 最早早是由LLumiiledds 公公司于119988 年推推出

42、的LLuxeeon LEDD。根据报报导，该该封装结结构的特特点是采采用热电电分离的的形式，将倒装装芯片用用硅载体体直接焊焊接在热热沉上，并采用用反射杯杯、光学学 HYPERLINK 透镜和柔柔性透明明胶等新新结构和和新材料料，提高高了器件件的取光光效率并并改善了了散热特特性。可可在较大大的电流流密度下下稳定可可靠的工工作，并并具有比比普通LLED 低得多多的热阻阻，一般般为144177/W，现有11W、33W 和和5W的的产品。该公司司近期推推出Luuxeoon IIII LEDD 产品品，由于于对封装装和芯片片进行改改善，可可在更高高的驱动动电流下下工作，在7000mAA 电流流工作550

43、0000 小小时后仍仍能保持持70%的流明明，在11A 电电流工作作200000 小时能能保持550%的的流明。Osraam 公公司于220033 年推推出单芯芯片的“Golldenn Drragoon”系列LLED，其结构构特点是是热沉与与金属线线路板直直接接触触，具有有很好的的散热性性能，而而输入功功率可达达1W。我国台台湾UEEC 公公司（国国联）采采用金属属键合（Mettal Bonndinng）技技术封装装的MBB 系列列大功率率LEDD其特点点是用SSi 代代替GaaAs 衬底，散热好好，并以以金属黏黏结层作作光反射射层，提提高光输输出。现现有LEED 单单芯片面面积分别别为：00

44、.30.33mm22、11mmm2 和和2.552.55mm22 的芯芯片，其其输入功功率分别别有0.3W 、1WW 和110W，其中22.52.55mm22芯片光光通量可可达2000lmm，0.3W 和1WW 产品品正推向向市场。多芯片组组合封装装的大功功率LEED，其其结构和和封装形形式较多多，几种种典型的的结构封封装形式式主要有有：美国UUOE 公司于于20001 年年推出多多芯片组组合封装装的Noorluux 系系列LEED，其其结构是是采用六六角形铝铝板作为为衬底，如图55 所示示，铝层层导热好好，中央央发光区区部分可可装配440 只只芯片，封装可可为单色色或多色色组合，也可根根据实

45、际际需求布布置芯片片数和金金线焊接接方式，该封装装的大功功率LEED 其其光通量量效率为为20llm/WW，发光光通量为为1000lm。Lanninaa Ceerammicss 公司司于20003 年推出出采用公公司独有有的金属属 HYPERLINK http:/ 基板上低低温烧结结陶瓷（LTCCC-MM）技术术封装的的大功率率LEDD 阵列列，有二二种产品品：一种种为7 元LEED 阵阵列，光光通量为为8400lm，功率为为21WW。另一一种是1134 元LEED 阵阵列，光光通量为为3600lm，功率1134WW。由于于LTCCC-MM 技术术是将LLED 芯片直直接连接接到密封封阵列配配

46、置的封封装盒上上，因此此工作温温度可达达2500。日本松松下公司司于20003 年推出出由644 只芯芯片组合合封装的的大功率率 HYPERLINK .htm 白光LLED，光通量量可达1120llm，采采用散热热性能优优良的衬衬底，把把这些芯芯片封装装在2ccm2 的面积积中，其其驱动电电流可达达8W，这种封封装中每每1W 输入功功率其温温升仅为为1.22。日亚亚公司于于20003 年年推出号号称是全全世界最最亮的白白光LEED，其其光通量量可达6600llm，输输出光束束为10000llm时，耗电量量为300W，最最大输入入功率为为50WW，提供供展览的的白光LLED 模块发发光效率率达3

47、33lm/W。2国内内功率型型LEDD 封装装技术国内功率率型LEED 的的封装，早在上上世纪九九十年代代就开始始，封封装产品品的品种种较齐全全，据初初步估计计，20014年年全国LLED 封装企企业10000余 家，20113年封封装产量量大约33000亿只。国国内LEED封装装的配套套能力也也很强。但是，很多封封装厂为为私营企企业，目目前来看看规模偏偏小。一一些有实实力的后后封装企企业，当当时就开开始开发发并批量量生产，如“食人鱼鱼”功率型型LEDD。国内内的大学学、研究究所很少少对大功功率LEED 封封装技术术开展研研究，信信息产业业部第113 研研究所对对功率型型LEDD 封装装技术开

48、开展研究究工作，并取得得很好的的研究成成果，具具体开发发出功率率LEDD 产品品。国内有实实力的LLED 封装企企业，如如佛山国国星、厦厦门华联联等几个个企业，很早就就开展功功率型LLED的的研发工工作，并并取得较较好的效效果。如如“食人鱼鱼”和PLLCC 封装结结构的产产品，均均可批量量生产，并已研研制出单单芯片11W 级级的大功功率LEED 封封装的样样品。而而且还进进行多芯芯片或多多器件组组合的大大功率LLED 研制开开发，并并可提供供部分样样品供试试用。对对大功率率LEDD 封装装技术的的研究开开发，目目前国家家尚未正正式支持持投入，国内研研究单位位很少介介入，封封装企业业投入研研发的

49、力力度（人人力和财财力）还还很不够够，形成成国内对对封装技技术的开开发力量量薄弱的的局面，其封装装的技术术水平与与国外相相比还有有相当的的差距。（二）、功率型型LEDD 产业业化关键键的封装装技术随着LEED 光光源在照照明领域域的快速速发展，要将其其发光效效率、光光通量提提高至现现有照明明光源的的等级。功率型型LEDD 所用用的外延延材料采采用 HYPERLINK MOOCVDD的外延延生长技技术和多多量子阱阱结构虽虽然其外外量子效效率还需需进一步步提高，但获得得高发光光通量的的最大障障碍仍是是芯片的的取光效效率低。现有的的功率型型LEDD 的设设计采用用了倒装装焊新结结构来提提高芯片片的取

50、光光效率，改善芯芯片的热热特性，并通过过增大芯芯片面积积，加大大工作电电流来提提高器件件的光电电转换效效率，从从而获得得较高的的发光通通量。除除了芯片片外，器器件的封封装技术术也举足足轻重。关键的的封装技技术工艺艺有：1、散热热技术传统的指指示灯型型LEDD 封装装结构，一般是是用导电电或非导导电胶将将芯片装装在小尺尺寸的反反射杯中中或载片片台上，由金丝丝完成器器件的内内外连接接后用环环氧树脂脂封装而而成，其其热阻高高达25503300/W，新的功功率型芯芯片若采采用传统统式的LLED 封装形形式，将将会因为为散热不不良而导导致芯片片结温迅迅速上升升和环氧氧碳化变变黄，从从而造成成器件的的加速

51、光光衰直至至失效，甚至因因为迅速速的热膨膨胀所产产生的应应力造成成开路而而失效。因此，对于大大工作电电流的功功率型 HYPERLINK LLED芯芯片，低低热阻、散热良良好及低低应力的的新的封封装结构构是功率率型LEED 器器件的技技术关键键。采用用低电阻阻率、高高导热性性能的材材料粘结结芯片；在芯片片下部加加铜或铝铝质热沉沉，并采采用半包包封结构构，加速速散热；甚至设设计二次次散热装装置，来来降低器器件的热热阻。在在器件的的内部，填充透透明度高高的柔性性硅橡胶胶，在硅硅橡胶承承受的温温度范围围内（一一般为-402000）,胶胶体不会会因温度度骤然变变化而导导致器件件开路,也不会会出现变变黄现

52、象象。零件件材料也也应充分分考虑其其导热、散热特特性，以以获得良良好的整整体热特特性。2、二次次光学设设计技术术为提高器器件的取取光效率率，设计计外加的的反射杯杯与多重重光学透透镜。3、功率率型LEED 白白光技术术常见的实实现白光光的工艺艺方法有有如下三三种：1）蓝色色芯片上上涂上YYAG HYPERLINK 荧光粉粉，芯片片的蓝色色光激发发荧光粉粉发出典典型值为为5000nm5600nm 的黄绿绿光，黄黄绿光与与蓝色光光合成白白光。该该方法制制备相对对简单，效率高高，具有有实用性性。缺点点是布胶胶量一致致性较差差、荧光光粉易沉沉淀导致致出光面面均匀性性差、色色调一致致性不好好；色温温偏高；

53、显色性性不够理理想。2）RGGB 三三基色多多个芯片片或多个个器件发发光混色色成白光光；或者者用蓝+黄绿色色双芯片片补色产产生白光光。只要要散热得得法，该该方法产产生的白白光较前前一种方方法稳定定，但驱驱动较复复杂，另另外还要要考虑不不同颜色色芯片的的不同光光衰速度度。3）在紫紫外光芯芯片上涂涂RGBB 荧光光粉，利利用紫光光激发荧荧光粉产产生三基基色光混混色形成成白光。目前，项项目申请请单位紫紫晶光电电目前已已采用方方法1进进行白光光LEDD 产品品的批量量生产，并已进进行了WW 级功功率LEED 的的样品试试制。积积累了一一定的经经验和体体会，我我们认为为照明用用W 级级功率LLED 产品

54、要要实现产产业化还还必须解解决如下下技术问问题：粉涂布布量控制制：LEED 芯芯片+荧荧光粉工工艺采用用的涂胶胶方法通通常是将将荧光粉粉与胶混混合后用用分配器器将其涂涂到芯片片上。在在操作过过程中，由于载载体胶的的粘度是是动态参参数、荧荧光粉比比重大于于载体胶胶而产生生沉淀以以及分配配器精度度等因素素的影响响，此工工艺荧光光粉的涂涂布量均均匀性的的控制有有难度，导致了了白光颜颜色的不不均匀。芯片光光电参数数配合：半导体体工艺的的特点，决定同同种材料料同一晶晶圆芯片片之间都都可能存存在光学学参数（如波长长、光强强）和电电学（如如正向电电压）参参数差异异。RGGB 三三基色芯芯片更是是这样，对于白

55、白光色度度参数影影响很大大。这是是产业化化必须要要解决的的关键技技术之一一。根据应应用要求求产生的的光色度度参数控控制：不不同用途途的产品品，对白白光LEED 的的色坐标标、色温温、显色色性、光光功率（或光强强）和光光的空间间分布等等要求就就不同。上述参参数的控控制涉及及产品结结构、工工艺方法法、材料料等多方方面因素素的配合合。在产产业化生生产中，对上述述因素进进行控制制，得到到符合应应用要求求、一致致性好的的产品十十分重要要。4、测试试技术与与标准随着W 级功率率芯片制制造技术术和白光光LEDD 工艺艺技术的的发展，LEDD 产品品正逐步步进入（特种）照明市市场，显显示或指指示用的的传统LL

56、ED 产品参参数检测测标准及及测试方方法已不不能满足足照明应应用的需需要。国国内外的的半导体体设备仪仪器生产产企业也也纷纷推推出各自自的测试试仪器，不同的的仪器使使用的测测试原理理、条件件、标准准存在一一定的差差异，增增加了测测试应用用、产品品性能比比较工作作的难度度和问题题复杂化化。我国光学学光电子子行业协协会光电电子器件件分会行行业协会会根据LLED 产品发发展的需需要，于于20003 年年发布了了“发光二二极管测测试方法法（试行行）”，该测测试方法法增加了了LEDD 色度度参数的的规定。但LEED 要要往照明明业拓展展，建立立 HYPERLINK LEDD照明产产品标准准是产业业规范化化

57、的重要要手段。5、筛选选技术与与可靠性性保证由于 HYPERLINK 灯具具外观的的限制，照明用用LEDD 的装装配空间间密封且且受到局局限，密密封且有有限的空空间不利利于LEED 散散热，这这意味着着照明LLED 的使用用环境要要劣于传传统显示示、指示示用LEED 产产品。另另外，照照明LEED 处处于大电电流驱动动下工作作，这就就对其提提出更高高的可靠靠性要求求。在产产业化生生产中，针对不不同的产产品用途途，制定定适当的的热老化化、温度度循环冲冲击、负负载老化化工艺筛筛选试验验，剔除除早期失失效品，保证产产品的可可靠性很很有必要要。6、静电电防护技技术蓝宝石衬衬底的蓝蓝色芯片片其正负负电极

58、均均位于芯芯片上面面，间距距很小；对于IInGaaN/AAlGaaN/GGaN 双异质质结，IInGaaN 活活化簿层层仅几十十nm，对静电电的承受受能力很很小，极极易被静静电击穿穿，使器器件失效效。因此此，在产产业化生生产中，静电的的防范是是否得当当，直接接影响到到产品的的成品率率、可靠靠性和经经济效益益。静电电的防范范技术有有如下几几种：生产、使用场场所从人人体、台台、地、空间及及产品传传输、堆堆放等实实施防范范，手段段有防静静电服装装、手套套、手环环、鞋、垫、盒盒、离子子风扇、检测仪仪器等。芯片上上设计静静电保护护线路。LEDD 上装装配保护护器件。我国LEED 封封装产品品主要是是普通

59、小小功率LLED，同时还还具有一一定的功功率型LLED 封装技技术和水水品。但但由于多多种原因因，我国国大功率率LEDD 封装装技术水水平总体体来说与与国际水水平还有有相当的的差距。二、国家家和自治治区相关关产业政政策、规规划有关关内容，为推动我我国半导导体照明明节能产产业健康康有序发发展，培培育新的的经济增增长点，扩大消消费需求求，促进进节能减减排，20113年2月117日，国家发发展改革革委、科科技部、工业和和信息化化部、财财政部、住房城城乡建设设部、国国家质检检总局联联合制定定了半半导体照照明节能能产业规规划，规划划明确确“围绕产产业发展展需求，加快LLED照照明核心心材料、装备和和关键

60、技技术的研研发。加加强公共共研发平平台建设设，建立立以企业业为主体体，产学学研紧密密结合的的技术创创新体系系。积极极发挥企企业技术术研发中中心作用用，提升升LEDD照明节节能产业业的整体体创新能能力”。“LEDD照明核核心材料料、装备备和关键键技术的的研发”包括了了“高效白白光LEED器件件封装关关键技术术、设计计与配套套材料开开发”为贯彻落落实自自治区人人民政府府办公厅厅关于进进一步推推进企业业技术创创新的实实施意见见（新新政办发发200131311号）精精神，强强化重点点产业技技术创新新，指导导关键共共性技术术发展方方向，促促进产业业结构调调整和优优化升级级，自治治区经信信委、财财政厅联联