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文档简介

1、第一篇 电子器件与电子电路基础集成电子技术基础教程第一章 半导体二极管及其电路分析本征半导体本征激发产生的电子空穴对浓度很低，所以本征半导体的电阻率很高，应用不广。但其载流子浓度受温度影响很大，温度每提高10度，其浓度增加一倍。掺杂半导体N型半导体(电子型半导体) 多数载流子是电子P型半导体(空穴型半导体) 多数载流子是空穴半导体中的载流子运动扩散运动 (载流子的浓度差)漂移运动 (电场力作用)PN结的导电特性 正向偏置（低阻） 多子扩散形成正向电流反向偏置（高阻） 少子漂移形成反向饱和电流PN结的伏安特性PN结击穿特性正向特性反向特性单向导电性VR 7V 雪崩击穿 正温度系数VR 4V 齐纳

2、击穿 负温度系数二极管模型 非线性特性的线性化二极管的伏安特性 理想模型大信号模型小信号模型理想二极管模型二极管大信号模型 二极管小信号模型 低压稳压电路 例:设V=12V，限流电阻R=5.1K，若V变化（10%)，问输出电压V变动了多少? 第一步: VI不变时电路参数(静态)应用二极管大信号模型第二步: 计算VI变化时输出V变化(动态)应用二极管小信号模型稳压二极管 稳压管的主要参数 稳定电压Vz 动态电阻 最大允许耗散功率PZmax 稳定电压的温度系数 1.1.3 特种二极管 例:设计一个硅稳压管稳压电路，要求输出电压VO=6V，最大负载电流为20mA，设外加输入电压VI为+12V 第二步

3、：选稳压管 查手册后选2CW14，其稳定电压Vz = 6V，稳定电流为10mA，最大稳定电流为33mA 第一步：设计电路第三步：计算限流电阻R第四步：考虑极限情况负载开路时，稳压管承受电流发光二极管 由磷砷化镓(GaAsP)、磷化镓(GaP)等半导体做成的PN结正偏工作时，多子大量复合，释放出能量，其中一部分能量会变为光能，使半导体发光 发光二极管的电路符号 光谱范围窄，光的波长与所用材料有关 伏安特性与一般二极管相似，但开启电压可达1.32.4V，反压一般大于3伏 发光亮度与正向电流(毫安级)成正比 具功耗小，易于和IC相匹配，驱动简单，响应时间快(启亮或熄灭仅需几个ns)、寿命长，耐冲击等优点 光电二极管 正常应用:光电二极管工作在反向偏置状态 无光照时只有很小的反向饱和电流Is，称为暗电流 有光照射时，光电二极管受光激发，产生大量电子空穴对，形成较大的光生电流，且随光照强度的增加而增大 特性要求:很好的线性度需要较大的反偏电压变容二极管 正常应用:变容二极管工作在反向偏置状态 改变反向偏压，即可改变其等效电容的大小 变容二极管的电容很小，一般为PF数量级，常用于高频电路 肖特基二极管 内部有一个金属结面显著

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