器件制备基础_第1页
器件制备基础_第2页
器件制备基础_第3页
器件制备基础_第4页
器件制备基础_第5页
已阅读5页，还剩8页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、器件制备基础第1页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二4.1 制备过程1、清洗2、氧化3、扩散或离子注入4、光刻5、薄膜沉积第2页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二1、清洗常用硅片清洗液号液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7 使用条件：805C，煮10分钟 作用：去油脂，去光刻胶残膜，去金属离子和金属原子号液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8 使用条件：805C，煮10分钟 作用：去金属离子和金属原子号液：配方：H2SO4：H2O2=3：1 使用条件：12010C，煮15分钟 作用：去油脂，去腊，去金属离子和

2、金属原子第3页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二2、氧化干氧：Si+O2=SiO2 膜层致密，理想的Si-SiO2界面，生长速度慢湿氧：Si+2H2O=SiO2+2H2 生长速度快，膜层致密性较差第4页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二2、氧化氧化系统的简单说明图第5页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二2、氧化（100）面和（111）面SiO2的氧化生长曲线第6页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二3、扩散基本工艺流程第7页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二3、扩散4.5 磷的液态源扩散示意图第8页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二3、扩散 扩散温度900-1200C。 P源：POCl3, B源：BN，BO3 一般分为预扩散和再扩散预扩散后：再扩散后第9页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二4、光刻（1）涂胶（2）坚膜（3）掩膜板（4）瀑光 （5）显影 负光刻胶：光照后发生聚合反应，难以去除 正光刻胶：光照后，感光剂发生分解，容易去除。第10页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二5薄膜沉积第11页，共13页，2022年，5月20日，9点21分，星期二二、pn结二极管的制备第12页，共13页，2022年，5月20日，9点21

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论