电子器件辐照注意问题

1、电子器件辐照注意问题一、对辐射源的注意问题1、源的类型，活度，粒子产额。2、粒子空间剂量分布。二、辐照过程注意问题1、器件的辐照方式a:静态辐照：辐照过程中器件不加电。b：动态辐照：辐照过程中器件加电（全程加电or间断加电）。2、对于辐照数据采集中线路受照射产生干扰的问题。三、对器件本身1、常用集成电路抗辐射的比较如下表表0.4常用集成电路抗拇射能力的比校集成电隽冬型抗中子杵射能力（中子数5抗电离甜射能力伽（Si）抗瞬时辐射能力（tad （砰）用）未.加固加固未.加固加固未.加固.加固 L、LSTTL101510a10项呻I、1013Itf105ECL101310710%1 砂MOS为Meta

2、l-Oxide-Semiconductor对应的为 金属-氧化物-半导体，MOS管又有P型MOS 管和N型MOS管之分，MOS管构成的集成电路叫MOS集成电路，PMOS管和NMOS管 互补共同构成的 MOS集成 电路叫CMOS集成电路 Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体。CMOS 非门电路结构：用一个PMOS和一个NMOS组成的互补对称MOS构成的 CMOS单元是目前数字技术中广泛使用单元电路。如图示CMOS非门电路结构，将增强型PMOS和NMOS的栅极（G）接在一起， 漏极（D）也接在一起，PMOS的源极（S）接在正的供电电源

3、上，NMOS的源极（S）接 在地上。对NMOS管，当vDS0，vGSVtN时，管子导通；对PMOS管，当vDS0， vGSl.0e1俨inF 俨1CMOS. Si10站101610*1010ia10MNMOS1砂1砂1U410swh1。顷PMOS潘志）1砂1畔1071U61。顷PMOS动态）1砂1砂1071叭，1伊双极型线性电路1砂10s10-1071。七1伊GfiAs电路1砂*1砂砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs。黑灰色固体，熔点 1238C。它在600C以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧 化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。2、常用半导体分立器件抗辐射

4、能力比计较如下表表9.3乖川半导依分立器件抗辐射能力的比较器件类型抗中子杵射能力（中子数电n?）抗稳态电离辐射般力&辿对）低频率晶体管1。虬1砂luFtf|频晶-体管 50150MHz）WIU13高擞晶-体管（150MHz）1俨10-l（）b结埋场管1。1七俨1件1。7微波&电晶体管101 顷 5整流二极管1俨-10“L0电玉胡整利电床基排极管5X IO1S-5X 10141甘1。7隧道二撇管5X10145X 10151O7-1US单结晶外5X1QU5X W12104闸流管=0.1MEV；伽马射线条件为：剂量23*10A7rad(si)o4、选择最佳的退火温度和退回时间，使器件尽可能的恢复到辐照前的特征。通 常成品器件的退火温度范围为120180度，为封装的芯片温度范围为200400 度。5、器件的辐射预筛选可直接用管芯进行，这样有利于降低筛选成本。6、通过适度辐射进行筛选，毕竟带有一定程度的破坏性，所以近年来研究完成 非破坏性的辐照预筛选的新方案