电池片流程精品课件

1、电池片流程第1页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五实习计划与进度2日期 (5月)Week 1Week 2Week 3Week 45678910111213141516171819202122232425262728工序前,后清洗小结扩散小结PECVD小结丝网总结班次早早晚晚休休早早晚晚休休早早晚晚休休早早晚晚休休已完成第2页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五太阳能电池工艺基本流程前清洗（制绒）扩散PECVD SiNx 后清洗（刻边/去PSG） 丝网印刷/烧结/测试第3页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五一 前/后清洗4第4页，共

2、70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五5前清洗的功能保密前清洗(制绒)的目的：形成绒面，减少光的反射，增加硅片对太阳光的吸收去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 绒面陷光原理图去除机械损伤层第5页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五6前清洗工序步骤和作用第6页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五主要反应 3Si+4HNO3=3SiO2+2H2O+4NO SiO2+6HFH2SiF6+2H2HNO3为氧化剂, HF为络合剂 观察可见反应较剧烈,并生成棕色有刺激性气体 通过氧化-络合-氧化-络合层层刻蚀硅前清洗化学反应原理酸制绒后w

3、afer表面形貌第7页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五 单面刻蚀深度 4-5微米分析天平称重法确定刻蚀量刻蚀厚度=8.82(刻蚀因子)*刻蚀前后重量差 前清洗刻蚀量优化的刻蚀深度Wafer typeEtch factor(m/g)Weight before etch(g)Weight after etch(g)Etch depth(m)Multi1568.8210.1329.6304.43Multi1568.8210.159.6564.40Multi1568.8210.1959.7024.35Multi1568.8210.1799.6814.39Ave.10.1659.

4、6674.392刻蚀量数据参考第8页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五详细了解了RENA机台操作软件详细了解了RENA前清洗机台的结构图 前清洗操作软件和结构图Etch bath 结构简图RENA操作软件第9页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五扩散面的选择10前清洗过程中,硅片正面/背面工艺类似, 通常选择下表面为扩散面背面作为扩散面,性能更为稳定在Etch bath中,由于反应有气体生成,气泡会对背面有益.原理类似超声波清洗.在气泡破裂时,产生拉曳力,使得反应产物很快离开反应表面,露出新鲜表面,提高了反应的均匀性. 参数调节前前清洗过程中,要调节腐

5、蚀厚度,通常调节etch bath temperature 和conveyor speed 通常调整offset value,这样有效且可控 第10页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五后清洗功能湿法刻蚀目的: 利用HNO3和HF的混合液体对硅片表面进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘PSGn+ Si刻蚀前刻蚀后去除磷硅玻璃的目的：磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减死层的存在大增加了发射区电子的复合，导致少子寿命降低，进而降低了Voc和Isc第11页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五12后清洗工序步

6、骤和作用第12页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五湿法刻蚀图刻蚀中容易产生的问题:刻蚀不足：边缘漏电，并联电阻(Rsh)下降，严重可导致失效过刻: 正面金属栅线与P型硅接触,造成短路调节的主要手段:排风 (airknife 功率百分比),conveyor speed,药流量等. 边刻影响因素第13页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五硅片各边的绝缘电阻1000欧姆刻蚀厚度：去磷硅玻璃主要反应方程式 SiO2 + 6HF = H2SiF6 + 2H2O后清洗刻蚀厚度Wafer typeEtch factor(m/g)Weight before etch(

7、g)Weight after etch(g)Etch depth(m)Transport speed(m/min)Etch rate(m/min)R Shunt (k)Multi15617.649.7069.6451.081.20.583.6Multi15617.6410.0409.9781.091.20.592.4Multi15617.649.9469.8871.041.20.565.9Multi15617.649.8549.7681.161.20.632.1Ave.1.091.20.59后清洗刻蚀量数据参考第14页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五前清洗中常见问题处理

8、15常见故障原因及解决方法前清洗刻蚀深度不稳定1.观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为不同的片子会对应不同的刻蚀速率2.查看溶液颜色，正常的颜色应该是灰色偏绿。如果觉得颜色过浅，流假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度硅片表面有大面积黄斑观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环硅片表面有小白条观察气刀是否被堵，通过查看硅片通过气刀下方时表面液体有无被吹干判断滚轮速度较低或较高一般我们要求滚轮在1.01.2的速度下流片，因为过低的速度会影响产量，过高的速度风刀很难将硅片吹干所以如果滚轮速度小于1.0，需要手动加液，一般按6升HF，9升HNO3进行补

9、液同时可以将温度提高，以1一个单位升高（可在58调整）。但是对于温度的设定，我们一般选择较低的温度，因为较低的温度下可以得到很稳定的化学反应如果滚轮速度过高，在温度降低仍不能满足要求的情况下，可以加水，但是仅能以5升为一个单位加入第15页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五16后清洗中常见问题处理常见故障原因及解决方法后清洗表面过刻大于两毫米1. 观察速度是否小于0.7m/min，如果小于此参数，需要添加药液提高速度。添加时以5升HNO3，1升HF为一个单位进行补液。补液时需要小剂量进行补液2. 通知放片时尽量将片子靠近些，降低液面高度，但是需要注意叠片3. 将流量降低，降

10、低液面高度，但需要观察片子是否能与溶液充分接触4. 将窗户打开一些调节排风5. 添加药液调节溶液浓度硅片边缘颜色发黑碱浓度不够，添加碱溶液 硅片表面有大面积黄斑观察碱槽溶液是否在循环，若没有循环，手动打开循环非扩散面有较重滚轮印1. 增加流量，但需注意过刻2. 通知工艺技术员或工程师添加药液，提高液面刻蚀深度不稳定观察来片是否有异常，或者来片一批中是否是不同晶棒组成，因为不同的片子会对应不同的刻蚀速率查看溶液颜色，正常的颜色应该是黄色。如果觉得颜色过浅，流假片，一般以400片为一个循环。然后测试4片硅片刻蚀深度第16页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五17常见故障原因及解

11、决方法常规报警说明HF-HNO3 bath pumptank overfilled将酸从bath槽排入tank中时，由于溶液过多导致设备报警。查看后面tank上最上面的液位传感器是否误报警？如果有通知设备维修。如果没有，排掉一部分溶液是必须的。点击system drain ，同时在屏幕上观察第一个液位传感器是否由红色转为灰色。如果变成灰色，立即点击stop.然后点击F1消除报警信息 media cabinet HNO3 tank tank empty通知外围换HNO3，（HCL HF KOH同理可得）general output waferjam trace7出片时第七道有叠片 media c

12、abinet HCL tank door not closed一楼化学药间HCL的门没有关好rinse alkaline 1 bath general bath protection against dry running碱槽溶液不够，加液同时手动打开碱循环 coolingunit cryostat prealarm temperature too high刻蚀槽温度太高，确认cooling unit在工作，确认有循环流量，然后等待温度降低 motor protection pump circulation碱槽溶液不够，加液同时手动打开碱循环。同时可能泵已经停止工作，通知设备手动打开泵电源健前

13、/后清洗中常见报警说明第17页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五二 扩散18第18页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五19 PN结的形成扩散的目的：形成PN结第19页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五在有氧气的存在时，POCl3热分解的反应式为： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 POCl3液态源扩散方法具有生产效率较高，得到PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点，这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的 扩散化学反应

14、原理第20页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五21管内气体中杂质源的浓度: 决定着硅片N型区域磷浓度的大小扩散温度: 影响扩散结深扩散时间: 影响扩散结深N型区域磷浓度和扩散结深共同决定着方块电阻的大小 现场了解: 扩散第21页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五扩散管路简图第22页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五扩散工序:详细了解了扩散的process recipe扩散工艺RecipeLoad/UnloadLoad InPaddle OutHeat UpStabilizePre purgePoCl3 DepPost Purge

15、Cold DownPaddle InLoad Out第23页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五24在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一方块电阻也是一个重要参数目前生产中，测量扩散层薄层电阻采用四探针法扩散方块电阻控制在47-52/之间扩散工艺中的方块电阻第24页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五扩散工艺问题及处理25故障表现诊 断措 施扩散不到1 炉门没关紧，有源被抽风抽走1 由设备人员将炉门定位，确保石英门和石英管口很好贴合2 携带气体大氮量太小，不能将源带到管前2 增大携带气体大N2流

16、量3 管口抽风太大3 将石英门旁边管口抽风减小扩散R偏高/偏低偏高：1 扩散温度偏低1 升高扩散温度，加大源量。2 源量不够，不能足够掺杂2 处长扩散时间3 源温较低于设置203 增加淀积温度4 石英管饱和不够4 做TCA（4+1）n第25页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五26扩散R偏高/偏低偏高：1、扩散温度偏低1、升高扩散温度，加大源量。2、源量不够，不能足够掺杂2、处长扩散时间3、源温较低于设置203、增加淀积温度4、石英管饱和不够4、做TCA（4+1）n偏低：1、扩散温度偏高1、减小扩散温度 2、源温较高于202、减少扩散时间不减少淀积温度扩散片与片之间1、扩散

17、温度不均匀1、重新拉扩散炉管恒温R不均匀扩散后单片上方块电阻不均匀扩散气流不均匀，单片上源沉积不均匀1、调整扩散气流量，加匀流板2、调整扩散片与片之间距离扩散后硅片有色斑1、甩干机扩散前硅片未甩干1、调整甩干机设备及工艺条件2、扩散过程中偏磷酸滴落2、长时间扩散后对石英管进行HF浸泡清洗扩散工艺问题及处理第26页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五三 PECVD SiNx薄膜27第27页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五28PECVD原理Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 微波等离子体增强化学气相沉积荷电

18、粒子被交变电场加速相互碰撞使气体分子产生电离冷等离子体高化学活性物质自由基离子原子 第28页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五低温成膜常用温度区间 300400对基体影响小,避免高温工艺的不利影响 如: 膜层晶粒粗大 膜层和基体间生成脆性相较低的压强下成膜，粒子间碰撞/散射作用提高了膜厚及成分的均匀性薄膜针孔少、组织致密内应力小、不易产生裂纹可以在不同的基体上制取各种金属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜薄膜对基体的附着力大于普通CVD PECVD优点第29页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五30PECVD传质过程反应气体进入气相反应吸附表面反应扩

19、散解吸附抽去反应副产物 第30页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五产线PECVD工作示意图31反应室通入反应气体 硅烷 SiH4 氨气 NH3在微波源的激发下电离形成等离子态SiNx:H沉积在硅片上第31页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五等离子体增强化学反应32第32页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五产线PECVD的功能33减反射薄膜与绒面结合,镀减反射膜可以有效降低光的反射表面钝化作用薄膜中的H能够进入硅晶体中,钝化硅中的缺陷,降低表面态密度,抑制电池表面复合，增加少子寿命，从而提高太阳电池Isc和Voc优良的化学稳定性,

20、卓越的抗氧化和绝缘性能在表面形成一道膜,有助于在烧结中保护PN结良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力第33页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五减反射原理产生相消干涉的条件（垂直入射） 不考虑吸收系数，反射率公式反射率最低的条件第34页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五减反射效果35可见光的波谱分布减反射效果与光波长的关联第35页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五PECVD钝化原理36太阳能电池的复合中心悬空键晶界缺陷（位错/点缺陷）金属杂质（深施主能级）氢钝化作用饱和悬空键降低表面态密度第36页，共70页，2022年，5

21、月20日，23点59分，星期五产线PECVD的构造37上片区传输进料腔工艺腔出料腔真空系统等离子系统传送系统气动系统加热系统冷却系统电路自动控制系统第37页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五薄膜质量参数和影响因素38薄膜质量参数薄膜厚度 78-83 nm折射率 膜厚均匀性 （色差）反射率影响因素微波功率反应室温度和压力传输速率气体流量工艺调整趋势参考第38页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五产线常见的薄膜缺陷39正常片常见缺陷表面发白表面脏片 色差 白点第39页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五工艺参数调整的规则40生产线PEC

22、VD简报机台问题工艺参数调整结果8#PECVD膜厚不均匀并泛红NH31200-1220膜厚为80SIH4 420-422N为2.09速度114-116正常9#PECVD工艺调整NH3 1200膜厚为79SIH4 410 膜厚为80速度140正常10#PECVD膜厚偏低为77左右速度131-129膜厚为79正常工艺调整参考常用参数调整：气体流量 传输速度首先调整均匀性，调整折射率大小，最后调整膜厚NH3 /SiH4的气体有范围限制（1500 pcs/hour构造简单，钩子的设计实用设备空间大，易于设备维护缺点 工艺控制简单，难以进行深度调控镀膜面为硅片底面，产生钩印，影响镀膜效果，带来金属污染镀

23、膜时重力影响为负，不利于薄膜的致密性石英管寿命有限，耗材大第41页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五42 四 丝网/烧结/测试第42页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五43丝网印刷概念把带有图案的模版附着于丝网上进行印刷通常丝网由尼龙、聚酯、丝绸或金属网制作而成承印物直接放在带有模版的丝网下面，浆料在刮刀的挤压下穿过丝网间的网孔只有图像部分能穿过，印刷到承印物上 第43页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五加入浆料刮刀施加压力朝丝网另一端移动丝网与承印物之间保持一定的间隙浆料从网孔中挤压到基片上丝网张力而产生反作用力-回弹力丝网与

24、基片只呈移动式线接触刮板抬起，丝网脱离基片工作台返回到上料位置，完成一个印刷行程 丝网印刷行程第44页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五45丝网印刷/烧结/测试流程第45页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五丝网印刷各阶段硅片图形46印刷背电极后的硅片印刷背电场后的硅片印刷正电极后的硅片第46页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五背电极印刷和相关参数47丝网材质不锈钢目数280目丝直径46-53m丝网厚度82-90m膜厚15m静态张力25N印刷速度250 mm/s反料速度400 mm/s丝网间距-1300m刮板压力65-85 N脱离

25、速度35 mm/s刮板高度-1200m烘箱温区1234全程时间温度100 120 150 170 8 s 银铝浆是由银粉,铝粉,无机添加物和有机载体组成使用前搅拌约45分钟,搅拌均匀后使用有良好的欧姆接触特性和焊接性能,附着性好在印刷图形完好时,印刷头压力在范围内尽可能的小 第47页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五背电场印刷和相关参数48丝网材质不锈钢目数320目丝直径23-28m丝网厚度46m膜厚15m膜网总厚60-63m印刷速度250 mm/s反料速度400 mm/s丝网间距-1300m刮板压力80-85 N脱离速度35 mm/s刮板高度-1200m烘箱温区1234

26、全程时间温度100 120 140 160 8 s铝浆由铝粉,无机添加物和有机载体组成使用前先搅拌约15分钟,均匀后使用上述参数会根据浆料的粘稠度、网版性能、背面场印刷量做出适当调整影响所印铝浆的厚度因素有：丝网目数、网线直径、开孔率、乳胶层厚度、印刷头压力、印刷头硬度、印刷速度及浆料粘度 第48页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五正面栅极印刷和相关参数49丝网材质不锈钢目数280目丝直径30m丝网厚度50m膜厚15m静态张力26N印刷速度180 mm/s反料速度400 mm/s丝网间距-1400m刮板压力80-85 N脱离速度10 mm/s刮板高度-1300m正面栅极银

27、浆是由银粉,无机添加物和有机载体组成的使用前先用搅拌机搅拌约45分钟浆料搅拌均匀后方可使用,参数的调整以图形完整、线条饱满、印刷浆料重量适当为基准 第49页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五丝网网版调整参考50Snap-off (网版间距) Park (网版正常停止位置) （-3000）m Speed upward (网版向上运动速度) （35）mm/s在保证印刷质量的前提下,网版间距越小越好一般为（-900 -1300）m太小易粘版或模糊不清,过大易印刷不良和损坏网版 印第二道时可适当加大间距第50页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五丝网刮条调整参

28、考51Down-stop (刮条深度) Park (刮条正常停止位置) （5000）mPressure (印刷压力) （5070）N 在保证印刷质量的前提下,刮条下降深度和压力越小越好刮条深度一般为 (-900 -1300)m刮条下降过深或压力过大,易碎片和损坏网版刮条下降深度不够或压力太小易印刷不良或粘版第51页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五3#丝网故障处理参考52故障现象造成原因解决方法备注粘板丝网间距太小加大丝网间距调大snap-off绝对值印刷刮条不平检查刮条的平整度可放在玻璃门上检查平整度硅片有厚薄不均检查来料网板张力太小更换网板更换网板前后测量网板张力丝网

29、刮不干净增大刮条下降深度（调大Down-stop绝对值 ）和印刷压力 （ Pressure ）不建议增大印刷压力硅片吸附不住印刷衬纸太脏更换干净的衬纸单一台面出现粘板时 该可能性较大台面太脏用干净的酒精无尘布擦拭台面真空吸力太小调大真空吸力浆料粘稠度太大搅拌时间太长减少搅拌时间网板内浆料不要加的太多，及时擦干净刮浆板浆料在网板内停留时间过长经常用刮浆板刮浆料加完浆料未及时盖上盖子，导致有机溶剂挥发加完浆料后及时盖上盖子漏浆轻微漏浆用干净的无尘布擦拭网板网板破更换网板第52页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五53故障现象造成原因解决方法备注印刷偏移衬纸脏导致相机自动识别系统

30、识别错误更换衬纸设备故障电机复位更换新的网板后没有校准相机重新校准相机X/Y/Z轴或角度发生偏移调整X/Y/Z轴使得网板印刷图形与硅片四边完全对称漏浆网板微破且不影响图形用薄胶带粘住漏浆部位印刷偏移见上面（印刷偏移解决方法）Working Beam 上定位卡口处有浆料用干净的酒精布擦拭干净网板破坏严重无法用胶带粘住更换网板3#丝网故障处理参考第53页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五543#丝网故障处理参考故障现象造成原因解决方法备注隐裂台面上有碎屑清理碎屑或重新更换衬纸换纸后有不平重新更换衬纸网板上沾有碎屑用干净的无尘布擦拭网板压力偏大降低压力实际压力比设定压力大出很多

31、刮刀高度上升虚印印刷参数不适宜抬高丝网间距，适当加大压力观察刮条刮拭的网板是否干净，加浆料时采取少加多次的方式进行加浆料刮条不平更换刮条网板使用时间太长更换网板印刷不良网板及刮条高度太高降低网板及刮条高度或降低电机高度刮条不平更换刮条第54页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五553#丝网故障处理参考故障现象造成原因解决方法备注Ag浆偏重减小snap-off；减小down-stop；增大pressure；减小speed改变snap-off的效果最明显，但需注意snap-off值改变过大会出现印刷不良Ag浆偏轻增大snap-off；增大down-stop；减小pressure

32、；增大speed栅线变细网板高度太高降低snap-off，适当减小压力栅线变粗网板过度使用更换新的网板用干净的酒精布擦拭后再用网板高度太低升高snap-off，适当增加压力断栅网孔堵塞用干净的无尘布将网板擦拭干净工作台内温度低关闭窗或通知外围对室内温度进行调整新网板网孔没张开用酒精布擦拭第55页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五印刷表面的检测56生产过程中要不定时检查是否有隐裂各个机台要保证印刷图形的完整：不偏移，印刷平滑，无不良状况、无印刷缺失三号机还易出现粘板、断栅、虚印、栅线加粗等问题第56页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五烧结的原理印刷成型

33、完的电极经过烘干流程后,在接近熔点的高温作用下,通过坯体间颗粒相互粘结和物质传递,气孔排除,体积收缩,强度提高,逐渐变成具有一定的几何形状和坚固整体的过程烧结是一个自发的不可逆过程，系统表面能降低是推动烧结进行的基本动力表面张力能使凹/凸表面处的蒸气压P分别低于和高于平面表面处的蒸气压P0，并可以用开尔文本公式表达(球形表面)：57固体颗粒,其凸处呈正压,凹处呈负压,故存在着使物质自凸处向凹处迁移表面烧结可以通过流动,扩散和液相或气相传递等方式推动物质的迁移第57页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五温度对烧结体性质影响举例58 烧结温度对烧结体(铜粉)性质的影响 l一比电

34、导 2一拉力 3一密度比电导(-1cm-3)温度(C)拉力(kg/cm3)密度(g/cm2)第58页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五烧结过程示意图59粉状成型体的烧结过程示意图第59页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五烧结的SEM照片参考60 a)烧结前 b)烧结后 烧结的SEM照片第60页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五 烧结温度的设定61温区Dry1Dry2Dry3Dry4FRN1FRN2FRN3FRN4FRN5FRN6带速温度200250270300400445570675837872230 inch/min温度可根据

35、实际情况作出10的调整，一般很少做大幅度的变动当工艺初始化、更换浆料型号、特殊规格的硅材料，可考虑采用差异较大的烧结温度进行烧结第61页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五 烧结步骤描述62区域功能组成加热元件温度范围烘干区对3#丝网印刷后硅片表面浆料进行烘干Dry1Dry2Dry3Dry4加热元件为电热丝各温区单独可调通常温度不超过300烧结区去除浆料中的有质粘结剂铝背场及珊线烧结预烧结区FRN1FRN2FRN3FRN4主烧结区FRN5FRN6加热元件为近红外线加热管14区加热管功率为1600W56区加热管功率为2700W，各温区温度单独可调14温区可设置到70056温区

36、可设置到1050冷却区硅片冷却冷却区水冷给水温度在2025各区域间各有一个隔离炉膛(风帘隔离)隔离炉膛防止相邻区域中的过程气体相互混合第62页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五 烧结对电池片的影响银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和FF的影响铝浆烧结可形成良好的欧姆接触背面场经烧结后形成铝硅合金，杂质在铝硅合金中的溶解度要远大于在硅中的溶解度，通过吸杂作用可减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应(提高内量子效应)烧结后的氮化硅表面颜色应该均匀，无明显的色差电极无断线背场无铝珠电池最大弯曲度不超过1mm63第63页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五测试主要数据64T 测试温度 E 测试光强 Pmpp 最大输出功率 Umpp 最大输出电压 Impp 最大输出电流 Uoc 开路电压Isc 短路电流FF 填充因子 Rs 串联电阻Rsh 漏电电阻 Eff 电池效率 Irev 暗电流测试温度在2327之间测试光强在950W/m21050 W/m2 之间使用前需用标片对测试机进行校准第64页，共70页，2022年，5月20日，23点59分，星期五测试数据参考65晶体LineEff. (%)Yield (%)Uoc (mV)Isc (A)FF (%)Rs (mOhm)Rs