纳米薄膜的外延生长

1、纳米薄膜的外延生长第1页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二外延生长（Epitaxial Growth）工艺 概述 气相外延生长的热动力学 外延层的掺杂与缺陷 硅气相外延工艺 小结参考资料：微电子制造科学原理与工程技术第14章（电子讲稿中出现的图号是该书中的图号）第2页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二外延层界面衬底一、概述 按衬底晶相延伸生长的新生单晶薄层 外延层。 长了外延层的衬底 外延片。 同质外延： 异质外延： 掺入杂质可改变外延 层的电学特性。 交替生长不同的外延 层可制作超晶格结构。1、外延工艺的定义：在单晶衬底上生长单晶薄膜的技术。2、 外延

2、工艺的分类：(1) 按材料第3页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二三种外延工艺的示意图(2) 按晶格畸变程度第4页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二a. 气相外延工艺（Vpor-Phase Epitaxy）b. 液相外延工艺（Liquid-Phase Epitaxy）超高真空蒸发3、 外延层的作用：独立控制薄膜晶体结构（组分）、厚度、 杂质种类及掺杂分布(1) 双极工艺：器件隔离、解决集电极高击穿电压与串连电阻的矛盾(2) CMOS工艺：减小闩锁（Latch-up）效应(3) GaAs工艺：形成特定的器件结构层(4) 其他：制作发光二极管、量子效应器件等

3、d. 其他：RTCVD外延、UHVCVD外延、离子束外延等等c. 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）(3) 按工艺原理第5页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二二、气相外延生长的热动力学与氧化模型类似，假设粒子穿过气体边界层的流量与薄膜生长表面化学反应消耗的反应剂流量相等。其中，hg是质量传输系数，Ks是表面反应速率系数，Cg和Cs分别是 气流中和圆片表面的反应剂浓度。外延薄膜生长速率可写为：其中，N是硅原子密度（51023cm-3）除以反应剂分子中的硅原子数。Ks hg时， R由气相质量传输决定Ks 0因此，系统处于外延生长状态。第15页，共30页，

4、2022年，5月20日，10点8分，星期二a. Cl的含量增加后，超饱和度下降，当SiCl4含量为2030时， 由外延生长转为刻蚀。b. 当SiCl4含量为10左右时，外延生长速率有一个最大值？超饱和度模型未能预测，因为低浓度下外延生长速率是受气相质量输运限制的。c. 超饱和度的值过大，会影响单晶薄膜的质量（与薄膜生长模式 有关）。结 论第16页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二4、薄膜生长的三种模式：(1) 逐层生长（Layer Growth）理想的外延生长模式(2) 岛式生长（Island Growth）超饱和度值越大，吸附分子主要在台面中心结团生长。(3) 逐层+岛式

5、生长（Layers and Islands Growth）第17页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二5、硅片表面的化学反应(1) 在化学反应限制区，不同硅源的化学反应激活能是相似的。(2) 一般认为，硅外延速率受限于H从硅片表面的解吸附过程。(3) 硅片表面的主要反应剂是SiCl2，反应剂是以物理方式吸附 在硅片表面。第18页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二图14.8 不同硅源外延淀积速率与温度的关系第19页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二三、外延层的掺杂与缺陷(1) 无意识掺杂源：衬底固态源、气态自掺杂。a. 衬底固态源在外延过

6、程中的扩散决定了外延层-衬底分界面 附近的杂质分布。当外延生长速率时，外延层杂质分布服从余误差分布。b. 气相自掺杂：衬底中杂质从圆片表面解吸出来，在气相中 传输，并再次吸附到圆片表面。其杂质分布的表达式为：其中，f 是陷阱密度，Nos 是表面陷阱数，xm 是迁移宽度。1、外延层的掺杂：无意掺杂与有意识掺杂。第20页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二(2) 有意掺杂：最常用的掺杂源B2H6 AsH3 PH3外延层掺杂的杂质分布示意图第21页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二(1) 外延层中的缺陷种类：体内缺陷与表面缺陷 a. 体内缺陷：堆跺层错与位错，由

7、衬底缺陷延伸或外延工艺引入 b. 表面缺陷：表面凸起尖峰、麻坑、雾状缺陷等 通过改进衬底制备工艺、清洗工艺和外延工艺条件，可极大 改善上述缺陷密度。2、外延生长缺陷(2) 外延层的图形漂移： 外延生长速率与晶向有关，111面的图形漂移最严重。第22页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二四、硅的气相外延工艺1、 反应原理：外延工艺一般在常压下进行氢还原反应：硅烷分解反应：反应温度、反应剂浓度、气体流速、反应腔形状结构、衬底晶向等。低缺陷密度、厚度及其均匀性、掺杂杂质的再分布最小2、 影响外延生长速率的主要因素：3、 外延层的质量：第23页，共30页，2022年，5月20日，10

8、点8分，星期二(1) 化学清洗工艺：高纯度化学溶液清洗高纯度去离子水冲洗 高纯度N2甩干SC-1的主要作用是去除微颗粒，利用NH4OH的弱碱性来活化硅 的表面层，将附着其上的微颗粒去除SC-2的主要作用是去除金属离子，利用HCl与金属离子的化合作 用来有效去除金属离子沾污SC-3的主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶），利用 H2SO4的强氧化性来破坏有机物中的碳氢键结4、硅外延前的清洗工艺：去除表面氧化层、杂质（有机物、无机物金属离子等）和颗粒第24页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二DHF的主要作用是去除自然氧化层b. 外延生长：SiH2Cl2H2c. 冷却：惰性气体

9、冲洗腔室，降温到维持温度。图14.25 在VPE反应腔内生长1m厚度硅外延层的典型温度/时间过程(2) 硅外延加工工艺的过程a. 预清洗：H2、H2/HCl混合气氛或真空中去除自然氧化层第25页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二a. 快速热处理工艺：SiH2Cl2在高温下进行短时外延b. 超高真空CVD外延： 低温低气压下，硅烷分解形成硅外延层图14.26A RTCVD外延系统示意图(3) 先进的硅外延工艺：第26页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二a. 卤化物GaAs气相外延：HCl+AsH3气体流过加热的固体Ga源， 生成GaCl气体，输运至圆片表面生成GaAs。b. 金属有机物化学气相淀积（MOCVD）：用于生长高质量 （具有原子层级的突变界面）IIIV族化合物c. 分子束外延（MBE）技术：生长厚度精度为原子层级，膜质 量为器件级的外延层(4) 其他外延工艺第27页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二图14.14 各种外延生长技术的温度和气压范围第28页，共30页，2022年，5月20日，10点8分，星期二 硅的气相外延技术： VPE的热动力学：Deal模型与连续步骤模型。 SiC