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文档简介

1、应用笔硬件开使用入前电、时钟管理、复位控制、启动模式的设置和调试管理等。该文档说明了大容量和中容量产品使用方法,并描述了应用应用笔硬件开使用入前电、时钟管理、复位控制、启动模式的设置和调试管理等。该文档说明了大容量和中容量产品使用方法,并描述了应用目1供简 目1供简 备用电电压调压供电方复位及电源管可编程电压监测器系统复2时HSE 时 外部晶体/陶瓷谐振器(HSE晶体LSE 时外部源(LSE 旁路外部晶体/陶瓷谐振器(LSE晶体时钟输出能时钟安全系统3启动配启动模式选启动引脚连内嵌自举模4调试管简SWJ调试端口(SERIALWIRE和引脚分布和调试端口SWJ调试端口引灵活的SWJ-DP 引脚分

2、JTAG上拉和下拉电与标准JTAG连接器相连的SWJ调试端5建印制电路器件位 去耦其它信未用到的I/O及其特6参考设描时复启动模SWJ接供参考器1供简该要求2.03.6V的操作电压(VDD),并采1.8V的数字电1供简该要求2.03.6V的操作电压(VDD),并采1.8V的数字电源图VDDA和VSSA必须分别连到VDD和VSS独立 A/D 转换器供电以及参考电一个独立的VDDA引脚给ADC供以不受PCB100引脚和144引脚的封为保证低电压输入时能得到更好的精度,用户可以连接一个独立的外部参考电压到V,它的电压范围为V到VA。64引脚及更小的封备用电分别被连接到ADC的供电电源(VDDA)和A

3、DC的地(VSSA)VT引脚也给C单元供电,使得TC在主数字电源V)关闭时仍能正常运行。VTVT引脚也给C单元供电,使得TC在主数字电源V)关闭时仍能正常运行。VT的开关由复位模块内的掉电复位电路控制。电压调压供电方VBAT引脚必须被连接到外部电池(1.8VVBAT3.6V)。如果没有外部电池,这个引脚必须和 VDDA引脚必须连接到两个外部稳定电容(10nF陶瓷电容+1F钽电容)图1. 可选。如果在VREF+上使用单独的外部参考电压,必须连接两个电容(10nF和1uF)复位及电源管上电复位(POR)/掉电复位图上电复位/可编程电压监测器用户可以利用PVD对V图上电复位/可编程电压监测器用户可以

4、利用PVD对VDD电压与电源控制寄存器(PWR_CR)中的PLS2:0位进电通过设置PVDE位来使能PVD电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)中的PVDO标志用来表明VDD是高于还是低于PVD连接到外部中断的第16线,若该中断在外部中断寄存器中被使能,该事图PVD阀系统复可通过查看控制/状态寄存器(RCC_CSR)中的复位标志来识别复位源图2时三个不同的时钟源可以用来驱动系统时钟时钟信号2时三个不同的时钟源可以用来驱动系统时钟时钟信号PLL时STM32有两个二级时钟源40kHz的低RC,它可以驱动独立看门狗,还可选择地通过程序选择驱动RTC。用于从停机/32.768kHz的低速外部晶振,可选

5、择它用来驱动RTC(RTCCLK)图当使用HSI作为PLL时钟的输入时,所能达到的最大系统时钟为64MHzHSE时HSE(见图图图HSE时HSE(见图图图REXT的值由晶体特性决定。典型值的范围在5至6倍的RS(谐振器串行阻抗负载电容CL遵循以下公式:CLCL1xCL2CL1CL2Cstray。这里,Cstray是引脚电容以及PCB相关的电容。典型值在2pF到7pF 之间。请参阅第5章。外部时钟源(HSE旁路外部晶体 / 陶瓷谐振器(HSE晶体LSE时LSE陶瓷谐振器(见图外部源(LSE旁路在这种模式下,必须提供一个外部时钟源。它的频率必须为32.768kHz。外部信号(占空比50%的方波、

6、正弦波或三角波)必须连到OSC32_IN引脚,同时保证OSC_OUT引脚悬空。(见10和2.2.1)外部晶体 / 陶瓷谐振器(LSE晶体这个LSE晶体是一个32.768kHz的低速外部晶体或陶瓷谐振外部晶体 / 陶瓷谐振器(LSE晶体这个LSE晶体是一个32.768kHz的低速外部晶体或陶瓷谐振器。它的优点在于能为实时时(RTC)提供一个低速的,但高精确的时钟源。RTC可以用于时钟/日历或其它需要计时的场合图图REXT的值由晶体特性决定OSC32_IN和OSC_OUT引脚可以用作GPIO,但是建议不要在同一个应用中同时使用该引脚的RTC和时钟输出能 PLL时钟除以时钟安全系统连到了Cortex

7、-M3的NMI(如果HSE被直接或间接用作系统时钟(间接是指它被用作PLL输入时钟,而PLL时钟被用作效时,如果HSE晶振时钟是用作系统时钟的PLL的时钟输入(无论是否被分频),那么PLL被。细节请参上3启动配启动模式选在中,由BOOT1:0引脚决定了三种不同的启动模式,见表表块0(启空间,仍可以在相3启动配启动模式选在中,由BOOT1:0引脚决定了三种不同的启动模式,见表表块0(启空间,仍可以在相启动延迟过后,CPU从启启动引脚连器的0 x0000_0004指示的地址开始执行代码图11显示了图内嵌自举模上的应用笔X0主闪主闪器被选作启动01系系器被选作启动11内嵌4调试管简图12显示了主机和

8、评估板(STM3210B-EVAL板或STM3210E-EVAL板)的连图 内核集成了串行线/JTAG调试接口(SWJDP)。这是标准的ARMCoreSight试接口,包括JTAGDP接口(5引脚)4调试管简图12显示了主机和评估板(STM3210B-EVAL板或STM3210E-EVAL板)的连图 内核集成了串行线/JTAG调试接口(SWJDP)。这是标准的ARMCoreSight试接口,包括JTAGDP接口(5引脚)和SWDP接口(2引脚)JTAG调试接口(JTAGDP)为AHPAP模块提供5针标准JTAG串行线调试接口(SWDP)为AHPAP模块提供2针(时钟+数据)在SWJDP接口中,

9、SWDP的2个引脚与JTAG接口的5引脚分布和调试端口SWJ调试端口引的5个管脚可用作SWJ-DP接口引脚。如表2所示,表灵活的SWJ-DP引脚分复位(SYSRESETn或PORESETn)后,属于SWJDP的5入/串行数据输入/-时为WO信-SWJDP这表SWJI/O表3显示了不同情况下细节请参引脚上JTAG引脚上拉和下拉电SWJDP这表SWJI/O表3显示了不同情况下细节请参引脚上JTAG引脚上拉和下拉电注意:JTAG的IEEE标准对TDITMS和nTRST上拉,但是对TCK没有特别建议。然而,在中JTCKSWJI/O所有的SWJ引脚SWJJTAG-DPSW-所有的SWJ引脚SWJJTAG

10、-DPSW-除了JNTRSTJTAG-DP接口,允许SW-DP接JTAG-DP接口和SW-DP接与标准JTAG连接器相连与标准JTAG连接器相连的SWJ调试端图13显示了图5建印制电路出于技术的考虑,最好使用有专门独立的接5建印制电路出于技术的考虑,最好使用有专门独立的接地层(VSS)和专门独立的供电层(VDD)的多层印制电器件位接地和供电(VSS和要填充为地,以提供好去耦上每个电源引脚应该并联去耦合的滤波陶瓷电容C(100nF)和化学电 图其它信对于数字信号,为有效地区别2种逻辑状态,必须能够达到最佳可能的信号特性余量(译注未用到的I/O及其特为了提高EMC性能,不用的时钟、计数器或者I/O

11、管脚,需要做相应处理,比如,I/O端口应被设置为0或1(对不用到的I/O引脚上拉或者下拉);没有用到的模块应6参考设描图15显示的参考设计是基于STM32F103ZE(T6)的,是一个工作在72MHz的6参考设描图15显示的参考设计是基于STM32F103ZE(T6)的,是一个工作在72MHz的高度集成的微控U内核、512K闪存及高达64K字节的根据表6中给出的引脚对应关系,该参考设计可以裁减到不同封装的任意一款时。LSE:X1RTC的32.768kHz晶HSE:X2用于STM32F10复微控制器的8MHz晶图15的复位信号是低有效,复位源包括复位按钮启动模启动选项由开关SW2(Boot0)和SW1(Boot1)来配置。参考第3章:启动配置低功耗模式下(尤其是待机模式),启动引脚一定要能够和工具连接(需要从SRAM启动)SWJ接参考设计显示了和一个标准JTAG连接器的连接。参考第4章:调试管理供参考第1章供电参考器表表1105213141526271819112

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