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1、Z11302L22Z11302L22二二屮igbt驱动的欠压保护电路及过流保护电路作者:海飞乐技术 时间:2017-06-19 14:321.欠压保护电路一般情况下,IGBT栅极电压V需要+15V才能使IGBT进入深饱和。如果V低于10V时,IGBT将工作在线性区,并且很快因过热而被烧坏。GEIGBT驱动要求电源电压为正电压不低于10V,负电压不低于-12V,-般欠压保护常用稳压管检测电源电压以保护IGBT。欠压保护电路如图1所示,采用两只稳压值分别为12V和10V的稳压管Z1和Z2。U4A2.过流保护电路2.过流保护电路图1欠压保护电路当正负电压均不欠压时,三极管Q6进入饱和导通,比较器LM

2、193 反向端电压被拉低,比较器正向电压由电阻分压得到,为5V左山。所 以比较器输出高电平,无欠压故障信号。当正电压欠压时(低于10V),10V稳压管Z2不能被击穿,使得Q6 截止,比较器反向端电压升高,比较器输出低电平故障信号。当负电压欠压时(低于-12V),12V稳压管Z1阴极大于0,,使得Q6 基极电压被拉低而截止,比较器也会输出电平故障信号。通过对流保护检测及措施的研究,驱动电路采用如下过流保护电 路:(1)采用饱和压降v(s检测法,来检测过流和短路情况,并且过 流阈值可调,检测过流范范围iGBT额定集电极电流1.2倍到10倍;(2)过流保护采用软关断的方法。即检测到过流发生时,立即缓

3、慢 降低栅极电压,限制集电极电流继续上升,并软关断IGBT,经过固定 延时后,再硬关断IGBT(此时软关断电路退出,保证故障情况下可靠关 断 IGBT)。H 6YLZQIH 6YLZQI图2过流保护电路图2所示为设计的过流保护电路。其中RC_refA和PWM信号反向, 与IGBT开通时,RC_refA变低,比较器正向端电压V由RCA端电压ref决定,其中通过改变RCA电阻和电容值,可以调节V大小以及参考时 间长短(即电压下降时间),V可调范围为0V-15V。比较器反向端通过 连接检测二极管来检测IGBT饱和压降,IGBT关断时检测的V 上升 到稳压管Z3电压10V。ce(sat)由以上分析可知

4、,通过调节RCA处的RA电阻值,可以改变过流保 护时饱和压降阈值。根据IGBT数据手册中的输出特性曲线,可以确定 电流和饱和压降的对应关系,从而确定保护阈值。目前大功率IGBT驱动器的过流保护主要是针对短路保护设计,同 时为了增强抗干扰能力,一般短路保护阈值设置的会高一些。以下是过流保护电路工作原理: 正常情况下,比较器正向端V始终大于反向端V,如图3(a)所示,比较器输出高电平,过流保护逻辑使M0SFET(1hl和M2在任何时候都是一个开通而另一个关断,这样IGBT关断时通过低阻值 电阻R1来把推挽电路基极电压拉低至-15V,此则IGBT为硬关断;当lGBT开通过慢或参考时间过短(如图3(b

5、)、运行时短路(如 图3(c)以及开通过程中短路(如图3(d)时,比较器均输出低电平故 障信号。过流保护逻辑使M1和M2同时关断,推挽电路基极不经低阻 值电阻R1放电,而是通过较大阻值的软关断电阻R来缓慢放电,使ssdIGBT栅极电压慢速下降,限制短路电流,并软关断IGBT。通过调节R的值的大小,就可以调节栅极电压下降的速度。经过固定延时后, ssd M1导通,推挽电路基极经R1被迅速拉低T5V,硬关断IGBT。过流保 护逻辑如图3(c)所示。运行中短路,仿真电路图如图4所示,导通状态时闭合开关S,将负载 短路,直流电压为800A,IGBT模块选择运行中短路,仿真电路图如图4所示,导通状态时闭

6、合开关S,将负载 短路,直流电压为800A,IGBT模块选择BSM200GA120D,短路电流为额 定电流8倍。a吉图4短路保护仿真电路图当不加软关断电阻时,IGBT的栅极电压、集电极电流、集射极电 压仿真波形如图5所示。集电扱电谎案肘极屯压图5不加软关断电阻仿真波形无软关断电阻时,集射极电压最大为1331V,栅极电压快速下降,下降时间为0.4us,集电极电流从1540A下降到0所用时间约为0.8us。1600 yov电压1000:集电极电流iHM卜Vr t 2*31fepiiUIhiB i*jU|11 3taLAHJ 云:I: Z-. all .11 CE V ?_ = ::!时耐)图6软关断电阻10k仿真波形当推挽电路基极接入软关断电阻时,阻值为10k、如图6所示,集 射极电压最大938V,栅极电压慢速下降,持续时间3us后硬关断,而 此时集电极电流已降低到0,集电极电流从1540A下降到0所用时间 约为2us。由以上仿真波形可见,推挽电路基极加上软关断电阻后,IGBT关 断速度减慢,集电极电流下降时间变长,集射极浪涌电压大大减小。由于IGBT模块的输入电容不同,则软关断时栅极电压的下降速度 也会

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