集成电路试卷

1、集成电路考试一、填空题（10 x3）1、集成电路的出现电子设备向着微小型化、_智能化和低功耗、 _高速度发展，加快了人类进入信息化时代的步伐。2、 集成度大约是每18 月翻一番的增长规律，这就是著名的摩尔 定律。3、根据参与导电的载流子可以把MOS品体管分成两类：一类是n沟道MOS品体管，另一类是 p沟道MOS品体管。4、 现代先进双极晶体管的三个基本特征是_自对准工艺 、_ 多晶硅发射极技术和深槽隔离。5、 MOS品体管的阈值电压公式VT _ y 2（p + qbm。= FB F C OX，有多晶硅电阻6、MOS品体管交流小信号模型中，跨导gm_ _ Jd，有多晶硅电阻GS栅跨导g尸栅跨导g

2、尸mbD-。JV BS-7、与MOS工艺兼容的电阻包括扩散电阻n阱或n阱或p阱电阻8成电路的设计方法主要包括三部分内容：设计抽象.设计流程、_设计方法 。9、集成电路的设计方法包括_PLD设计方法、半定制设计方法、定制设计方法。10、 在集成电路的加工过程中，图形的加工是通过光刻 和刻蚀 工艺完成的。二、选择题（5x4）11、MOS集成电路都选择100品向的晶片，下列不是选取100品向 硅的原因是（A）A、品界面密度高B、缺陷少C、迁移率高D、有利于器件提高性能12、RTL电路的主要问题是（B）A、速度慢B、噪声容限低C、功耗低D、电路的关门电平高 13、从瞬态特征看，下列哪种反相器的性能最差

3、（D）A、耗尽型负载B、电阻负载命非饱和增强负载D、饱和增强负载14、下列哪项不是BTCMOS电路相对于CMOS电路拥有的优点（A）A、结构简单，所用器件少B、没有静态功耗C、噪声容限低。、输入阻抗高15、减少动态功耗最有效的措施是（A ）A、降低电源电压B、减少负载电容C、减少寄生电容D、防止电荷分享三、 判断题（10 x2）一16、SOICMOS可以喝体硅CMOS 一样采用LOCOS隔离工艺，但是不需要 场区注入。（）17、增大栅氧化层厚度将将减少阈值电压，提高衬底掺杂浓度可以增 大本征阈值。（X ）18、对NMOS 一般可能存在负衬底偏压，负衬底偏压会使阈值电压增 大。（）19、 MOS

4、品体管的饱和区电流公式I=K （Vgs-Vt）2。（ V ）20、提高沉底掺杂浓度，减少栅氧化层厚度有利于抑制短沟道效应。（V21、饱和区的有效沟道长度随漏电压的增大而减小，使饱和区电流恒 定。（X ）22、CMOS反向器件的PMOS管事作为开关器件，在输出高电平时只有 PMOS管导通，在输出低电压时，只有NMOS管导通。（V ）23、NMOS器件中的热载流子效应比PMOS器件严重。（V ）24、逻辑电路属于可恢复逻辑电路，它能使偏离理想电平的信号经过n 级电路逐渐收敛到理想工作点，即最终达到合格的逻辑电平。（X ）25、电路单元包括准单元，宏单元和IP等。（V ）四、简答题（10 x1）解释MOS品体管的短沟道效应。MOS晶体管沟道越短，源漏区p n结耗尽层电荷在总的沟道 区耗尽层电荷中占的比例越大，使实际由栅压控制的耗尽层电荷 减少，造成阈值电压随沟道长度减小而下降，这就是短沟道效 应。五、计算题（10 x1）1、在交流小信号模型中，已知I=1mA, V=26mV,。=100, V =20V,求跨导&，输入阻抗r，输入电阻r基极-集或极电阻rA。mn0u解：10-3,gm = VC = 26 10 A / V = 38mA /v2010