RAM的一般结构和读写过程

精心整理一的一般构读过1.RAM的一般结构它由三部分电路组成：1)行列地址译器：它是个二进制译码器，将地址码翻译成行列对应的体地址，后去选通地址的存储单元，对该元中的信进行读出作或进行写入新的信息操作。例如：一个位的地址A4A3A2A1A0=00101，B4B3B2B1B0=00011时，将对应于第5第3列的储单元被选中。2)存体：它是放大量二制信息的“仓库”，该仓库由成千上万个存储元组成。每个存储元存放着一个二进制字息，二进字可能是位的，也可能多位。存储体或RAM的容量存储单元的数*每个存储元中数据位数。例如，一个位地址的RAM，有210个存储元，若每个存储单元存一位二进信息，则RAM的量就是210()×1()=1024字位，通常称1K字位容量)3)I/O及读写控电路：该部分电路决定存储器是行读出信操作还是写入新信息操作。输入/输出缓冲起数据的锁作用常采用态输出的电路结构此RAM可以与它的外面路相连接现信的双向传输(即可输入，也输出)，使信息交换和传递分方便。2.RAM的读出信息和写入新信息过程读/写过)：时序访问某地址元的地址有效，假你想去访问的具体地址：如A9～片选有效

=0，选该片RAM为工作状态。读写操有效：二RAM的储元

＝1，读出信息＝0，写入信息按照数据存的方式不，RAM中的存储元分为两种：静态存储单元—静态RAM(SRAM)；态存储单—动态RAM(DRAM)。1.静态储单元SRAM)：它由电源来持信息，触发器，存器等。静态存储单(SRAM)的典型结：T5、、T7、T8都是门控管，要栅极高电平，这些管子就工作在可变电阻区当作开关其中，存储元通过T5、T6和据线(位线)相连；数据又通过T7T8和经输入输出缓冲电路输入/输出线相连接，实现信息传递和交。写入信息的操作过程，在第一次入信息之储单元中信息是随机信息。假定要写入息“1”：1)地址加入，地有效后，对应的行选线X和列线Y都高电平，T5T6T7、导电；

精心整理2)片选号

有效(电平)；3)写入号有效，时三态门G2、为工作态，输出高阻态，信息1”经G2、T7T5达到Q端；经G3反后信息“”经T8T6达假定要读出息“1”：

。T4导，T3止，显然信息“1”已写入存储单元。1)访问地址单元地址码有；2)片选效=03)读操有效R/出。

=1；此：三态门G1工作态G2、G3高态，存储元中的信1”经T5、G1三态门读除上述NMOS结构的态SRAM以外，有以下几种类型的SRAM。CMOS结构的SRAM功耗更低，存储量更加大。双极型结构SRAM：功耗大，存取度更加快。2.动态储单元DRAM)静态存储单存在静态耗，集成做不高，所以，存储容量也做不大动态存储元，利用栅源间的MOS电容存储信息其静态功很小，因存储容量可以做得很大。静态功大，密低，动态RAM功耗小，密度。动态RAM需要定刷新，使用较复杂。动态存储单(DRAM)的典型结：门控管T4、、T6、T7、，C1、C2为MOS电容。DRAM的读写操作过程：1)访问存储单元地址有效2)片选号有(未画)；3)发出读信息或写入新信息的控制信号。读出操作时令原信息Q=1，C2充有电荷，地址有效后，行、列选取线高平；加片信号后，读出信号R=1，W=0；、、T8导电，经T4、、T8读出。写操作时，定原信息“0”，要写入信息”，该存单元的地址有效后，、Y为高电平；片选信号到达后，加写入命令W=1R=0，即“1。信息T7T5T3对C2电。至一定电压后导电，C1放电，截止，以，Q变为高电，“1”信息写到了该存单元中。果写入的信息是“0”，则电容上的荷不变。动态RAM的刷新：由于DRAM靠MOS电容存储信息。该信息长间

精心整理不处理时电容上的电荷将会因漏电等原因而逐渐的损失从而造成存储数据的丢失及时补充电荷是动态RAM中一个十分重要的问题。补充充电的过程称为“刷新”—也称“再生”。补充充电的程：加预电脉冲、预充电管、T10导电C01，很快充至VDD，

撤消后，C01，C02上的电荷保。然而进读出操作地址有效，行、列选线XY高电；R=1，W=0进行读出操，如果原息为Q=“1”，说明MOS电容有荷，C1有电荷即T2导电，T1止)；这时C01上的电荷将C2充充电，C02上的电荷经导电管放，结果对C2实现了补充电。读出的数据仍为，，则DO=1。实上在进一读操作前必对DRAM按排次新即加个充电冲然进读操。同在进任操时也应该隔定间动行次充电一是间)，弥补荷失三静容扩通常微处理的数据总为8位、位或32位，地址总线16位或24不等当静态的址线和数据线不能与微相匹配时可用地址扩展、数据线扩展或地址和数据线时进行扩的方法加解决。1.RAM容量的扩展-位数扩展据线扩展如SRAM211410位地址，位据线，其容量=210××4=4096字位(4K)。例：用4K容量的RAM2114，实一个容量为1024×8(≈8K字位)字位容量RAM。解1024×8字位容量其地址仍十位，故只要进行数据位扩展即可选用RAM2114两，将两片地址线，读/写线及片选并联片的位分别作为高位据和低4数据组成8位数据线即扩展的电路如图所示：2.SRAM容量的扩---字位展，地址展，数据位扩展。例：用RAM2114，扩成容