基于Cadence的电路版图绘制及验证课件

Exp#3基于Cadence的电路版图绘制及验证中国科学技术大学软件学院Exp#3基于Cadence的电路版图绘制及验证Contents版图设计流程与工艺1CMOS反相器版图设计2CMOS反相器后端仿真验证3中国科学技术大学软件学院Contents版图设计流程与工艺1CMOS反相器版图设计22芯片设计流程电路设计前端仿真版图设计后端仿真其它中国科学技术大学软件学院芯片设计流程电路设计前端仿真版图设计后端仿真其它中国3版图设计完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形

中国科学技术大学软件学院版图设计完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形中国科学技术4设计规则：设计者和工艺工程师之间的接口中国科学技术大学软件学院设计规则：设计者和工艺工程师之间的接口中国科学技术大学软件学5基于Cadence的版图设计工具：VirtuosoLayoutEditor设计规则检查DRC版图原理图一致性检查LVS从版图中提取电路网表，然后将这个网表同电路原理图进行比较版图寄生参数提取LPE提取出包含寄生参数的spice网表，用于带有寄生参数的后仿真中国科学技术大学软件学院基于Cadence的版图设计工具：VirtuosoLayo6CSMC双硅三铝混合信号工艺TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底TO：ThinOxide，有源区，作为mos的源漏区GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极SP：P＋注入区SN：N＋注入区W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔A1：铝1，第一层金属W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔A2：铝2，第二层金属W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔CP：bondpad，pad开孔IM：第二层多晶硅电阻阻挡层PC：polyCap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅PT：ptub，p阱，作为nmos器件衬底中国科学技术大学软件学院CSMC双硅三铝混合信号工艺TB：tub，n阱，作为pmos7CSMC05MS工艺库文件中国科学技术大学软件学院CSMC05MS工艺库文件中国科学技术大学软件学院8CMOS反相器版图设计与验证中国科学技术大学软件学院CMOS反相器版图设计与验证中国科学技术大学软件学院9中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院10版图绘制中国科学技术大学软件学院版图绘制中国科学技术大学软件学院11设计规则验证DRC中国科学技术大学软件学院设计规则验证DRC中国科学技术大学软件学院12指定输入输出文件中国科学技术大学软件学院指定输入输出文件中国科学技术大学软件学院13查看DRC结果并调整Layout中国科学技术大学软件学院查看DRC结果并调整Layout中国科学技术大学软件学院14一致性验证LVSDRCProject下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节，文件归类存储中国科学技术大学软件学院一致性验证LVSDRCProject下创建DRC、LVS、P15一致性比对文件指定中国科学技术大学软件学院一致性比对文件指定中国科学技术大学软件学院16等待并查看LVS验证结果Net描述中国科学技术大学软件学院等待并查看LVS验证结果Net描述中国科学技术大学软件学院17参数提取PEX中国科学技术大学软件学院参数提取PEX中国科学技术大学软件学院18指定输出文件格式中国科学技术大学软件学院指定输出文件格式中国科学技术大学软件学院19Map与输出布局设定中国科学技术大学软件学院Map与输出布局设定中国科学技术大学软件学院20指定提取参数与原理图中模型映射关系中国科学技术大学软件学院指定提取参数与原理图中模型映射关系中国科学技术大学软件学院21生成后仿电路config图源文件目标文件中国科学技术大学软件学院生成后仿电路config图源文件目标文件中国科学技术大学软件22(1)指定新文件类型中国科学技术大学软件学院(1)指定新文件类型中国科学技术大学软件学院23(2)获取源文件中国科学技术大学软件学院(2)获取源文件中国科学技术大学软件学院24(3)生成config图中国科学技术大学软件学院(3)生成config图中国科学技术大学软件学院25运行后端仿真中国科学技术大学软件学院运行后端仿真中国科学技术大学软件学院26实验报告完成CMOS版图设计，DRC检查无误完成LVS检查，获得正确结果完成PEX，生成寄生参数图完成后仿电路中CMOS反相器的DC、Trans仿真，记录结果，并与实验一比对，提交至教辅系统，截止时间4月15日24:00中国科学技术大学软件学院实验报告完成CMOS版图设计，DRC检查无误中国科学技术大学27ThankYou!ThankYou!Exp#3基于Cadence的电路版图绘制及验证中国科学技术大学软件学院Exp#3基于Cadence的电路版图绘制及验证Contents版图设计流程与工艺1CMOS反相器版图设计2CMOS反相器后端仿真验证3中国科学技术大学软件学院Contents版图设计流程与工艺1CMOS反相器版图设计230芯片设计流程电路设计前端仿真版图设计后端仿真其它中国科学技术大学软件学院芯片设计流程电路设计前端仿真版图设计后端仿真其它中国31版图设计完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形

中国科学技术大学软件学院版图设计完成集成电路加工所需的各个掩模版上的图形中国科学技术32设计规则：设计者和工艺工程师之间的接口中国科学技术大学软件学院设计规则：设计者和工艺工程师之间的接口中国科学技术大学软件学33基于Cadence的版图设计工具：VirtuosoLayoutEditor设计规则检查DRC版图原理图一致性检查LVS从版图中提取电路网表，然后将这个网表同电路原理图进行比较版图寄生参数提取LPE提取出包含寄生参数的spice网表，用于带有寄生参数的后仿真中国科学技术大学软件学院基于Cadence的版图设计工具：VirtuosoLayo34CSMC双硅三铝混合信号工艺TB：tub，n阱，作为pmos器件衬底TO：ThinOxide，有源区，作为mos的源漏区GT：gate，多晶硅1，作为mos栅极SP：P＋注入区SN：N＋注入区W1：接触孔，金属1到多晶硅和有源区的接触孔A1：铝1，第一层金属W2：通孔1，金属1和金属2的接触孔A2：铝2，第二层金属W3：通孔2，金属2和金属3的接触孔CP：bondpad，pad开孔IM：第二层多晶硅电阻阻挡层PC：polyCap，用作多晶硅电容上极板和多晶硅电阻的第二层多晶硅PT：ptub，p阱，作为nmos器件衬底中国科学技术大学软件学院CSMC双硅三铝混合信号工艺TB：tub，n阱，作为pmos35CSMC05MS工艺库文件中国科学技术大学软件学院CSMC05MS工艺库文件中国科学技术大学软件学院36CMOS反相器版图设计与验证中国科学技术大学软件学院CMOS反相器版图设计与验证中国科学技术大学软件学院37中国科学技术大学软件学院中国科学技术大学软件学院38版图绘制中国科学技术大学软件学院版图绘制中国科学技术大学软件学院39设计规则验证DRC中国科学技术大学软件学院设计规则验证DRC中国科学技术大学软件学院40指定输入输出文件中国科学技术大学软件学院指定输入输出文件中国科学技术大学软件学院41查看DRC结果并调整Layout中国科学技术大学软件学院查看DRC结果并调整Layout中国科学技术大学软件学院42一致性验证LVSDRCProject下创建DRC、LVS、PEX用于版图设计不同环节，文件归类存储中国科学技术大学软件学院一致性验证LVSDRCProject下创建DRC、LVS、P43一致性比对文件指定中国科学技术大学软件学院一致性比对文件指定中国科学技术大学软件学院44等待并查看LVS验证结果Net描述中国科学技术大学软件学院等待并查看LVS验证结果Net描述中国科学技术大学软件学院45参数提取PEX中国科学技术大学软件学院参数提取PEX中国科学技术大学软件学院46指定输出文件格式中国科学技术大学软件学院指定输出文件格式中国科学技术大学软件学院47Map与输出布局设定中国科学技术大学软件学院Map与输出布局设定中国科学技术大学软件学院48指定提取参数与原理图中模型映射关系中国科学技术大学软件学院指定提取参数与原理图中模型映射关系中国科学技术大学软件学院49生成后仿电路config图源文件目标文件中国科学技术大学软件学院生成后仿电路config图源文件目标文件中国科学技术大学软件50(1)指定新文件类型中国科学技术大学软件学院(1)指定新文件类型中国科学技术大学软件学院51(2)获取源文件中国科学技术大学软件学院(2)获取源文件中国科学技术大学软件学院52(3)生成config图中国科学技术大学软件学院(3)生成config图中国科学技术大学软件学院53运行后端仿真中国科学技术大学软件学院运行后端仿真中国科学技术大学软件学院54实验报告完成CMOS版