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文档简介

反应离子刻蚀

ReactiveIonEtching

刻蚀方法简介RIE刻蚀原理RIE刻蚀术语RIE刻蚀的工艺优化RIE刻蚀机RIE刻蚀不足与损伤刻蚀技术湿法干法化学刻蚀电解刻蚀离子束溅射刻蚀（物理作用）等离子体刻蚀（化学作用）反应离子刻蚀（物理化学作用）刻蚀技术分类：ReactiveIonEtching什么是反应离子刻蚀？是一种微电子干法腐蚀工艺。原理：当在平板电极之间施加高频电压时会产生数百微米厚的离子层，在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应刻蚀。反应离子刻蚀（物理化学作用）•机理：物理性的离子轰击和化学反应相结合实现的刻蚀。离子轰击改善化学刻蚀作用。•设备：反应离子刻蚀机（RIE)传统的RIE设备结构简单、价格较低廉。通过适当选择反应气体、气压、流量和射频功率，可以得到较快的刻蚀速率和良好的各向异性。•特点：.选择比较高；各向异性较好；刻蚀速度较快离子轰击的作用

A.离子轰击将被刻蚀材料表面的原子键破坏使化学反应增强。B.再将淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉反应离子刻蚀在RIE设备中，使用非对称腔体。为了保持电流连续性，小电极处应有更高的电场(更高的RF电流密度）。自由基反应各向同性刻蚀，高能离子轰击各向异性刻蚀RIE刻蚀术语刻蚀速率选择比刻蚀均匀性刻蚀剖面条件

结果待处理材料通入气体刻蚀速率(nm/min)SiO2CHF3、O245.66GaAsBCl3400AlAsBCl3350DBRBCl3340Pt电极SF6、O212.4Si3N4CHF3、CF4、O240SiSF6、C4F8300RIE中的物理损伤和杂质驱进在含碳的RIE刻蚀后，顶部30埃由于大量的Si-C键缺陷引起大量损伤，严重损伤可达300埃深。三级式反应离子刻蚀机解决RIE离子能量随等离子体密度增加使得刻蚀效率变差的问题。它有三个电极可以将等离子体的产生与离子的加速分开控制。磁场强化活性离子刻蚀

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