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文档简介
第4章重要定理和原理惟一性定边界面上nEnH结论:区域V JE,V
nE 证明:假设有两组解(E1和(E2H2)H JE1,2 m
, J
H1,2
E1,2E0E1E2H0H1H2
E0
H
,E00,H0 且nH0n
SnSn
SnSn
SS t0
t0
t00,
t0
t0
t0 2
H2)dV E2dV
(E
)dtV(2
S S(nE0)H0dS S(H0n)E0dS 2
H2)dV
E2dVdtV(2
(E2H2)dV(t=0) (E2H2)dV0 E2H2 E1E2,H1H2S(EH)dSj[(j)HHV
(j)EE]dV EEVjV[(j)HH(j)EE]dVVEE
dV(0 0
E2
2)dV
E00(0
E2
H2)dV
H0(附加条件:所有源位于有限区域内。
(E0H0)ndSn
Sn
Sn
Sn
Sn
Sn
S2k21)边界S上的给定或2)边界S上的n则区域中的是由源唯一确定2k2
u2vdV
uvdVSuSuv*Sk22
2dVV得 Im(k2)V得
S
影响边值问题转换为 镜像电流元Il
RIl
EE0 dRrIldRr E
sine0sine0
R Il在边界面z0上:0
EE0EIldRdIlrIldRdIlrREE,1R1R1kRkrkdIlrEdIlrEdxdIl
j0Ilsinejkrejkd
sinejkrejkd 故E j0Ilsincos(kdcos)edRrdRr镜像电流元IlIlIlE0
j0040
sinejkRIl
E
4R
sin
ejkR合成波电场:EE0 在边界面y=0上 eyEIlIlRdIlE0dIldRrdIlER0
π1R1R1kRk[x2(yd)2z2]1krkdsinsinkRk[x2(yd)2z2]1krkdsinsinIlRdIlRdIlE0d
j0Ilsinejkrejkdsinsin4πE
j0Il4πr
sinejkrejkdsinsin E0
02πr
sinsin(kdsinsin)e
EE0E
j0
sinsin(kdsinsin)e。E理导J。E理导J电 磁流元(电流元)
JmE
;JJmEa
a,b
V(Ja
JmHdV——源ab a,bb,EEa,Ha;Eb,SJ,JVaaSaJ,JSbbb(EH)(EH)(JEJE)(JmHJmH ) m)mmb[(J b[(J VS(EaHbEbHa)dab Ha)]dVb(J aab Ha)]dVb(J aab
HEHJmjH
EbHaEbJajEbEJm
HEHJmjH EaHbEaJbj HEEHj(HHEE)HJmE HE
HEbEa)EbJHJ
S(EaHbEbHa)dV E)(JmbaabJmH)]dVba源在体积V[(JaEbJE)
JmH)]dVSS(EaHbEbHa)dS
mm
JaE,HnSaaVE,JbbbJbS为无限大球面时,面SE0HS(EaHbEbHa)dS0SEaEb)dS 源在体积V
S(EaHbEbHa)dSV[(V[(J bba)(J mab Ha)]dVmab
S(EaHbEbHa)dS (Ea
EbHa)dSEa,HaJaJanSSEa,HaJaJanSSVVJbJbEb,H dV dV 若J J 0,则Jm dV
Jm SenEaenEb0S(EaHbEbHa)dS
EJE)(Jm JmH)]dV JS导Eb表面的电流源JS不产生辐射场。证明:设JS产生的场为EHIbl
,
SJSEbdSVJbEdVIbl在电壁上,EbJSEb0IblE0,由于IblE0。JEJE,H2J2E,nSJ1J11J2J2nE,HE,HSJm(ESV1Jn(ΗV2S n(ΗΗ (EE)mSS
J,J JE,JE,H2J2E,nSJ1J11J2J2nSJmS(EE21VJSn(Η22将区域VJJm用分界面SJ
E JSnH来替代,且将区域V1内的场设为零,则区域V2讨论:若区域V2内无源,则其中的场由分界面S JmE 和 nH nnE,HJmEnEHSSJnSH(r)1
nH(r)ejkRdS
E(r)
1
nE(r)ejkRd
E(r) H
H(r) E
SchelknoffS区域内V2的场由2Jm产生SE(r)1nE(r)ejkRdJmJmESJSnnE0HV2 H(r)
E(r)?SSH(r)1nH(r)eE(r)
JmJmESJSnnE0HV2? 的均匀平面波E=exE0e-jkz在z=0面S的等效源为JS-exE0/Z0JS
-eyE0,证明此等效源在0
EZ0H
H1kZ考虑
2Ek2E
zS考虑JS
(ˆHˆH)J
zs 2Hk2Hs
ˆE)J
z(ˆHˆH)
z
z
ˆ
ejkz zE
H
ejkz z
ejkz z
SJ S
ejkz z
ˆ
ejkz zE
H xˆE0ejkz z
0ejkz z
jkz
0ˆE0ejkz0
zE z
H z
zSS
=(2)磁壁,紧贴磁壁的电流源为JS-exE0Z0Z0为波阻
JJ
考虑
Sn(ˆH)
z
z EeEe
H
E0ey0E (ab) ln(bJmEnee
zln(b
ln(b bImSezπ db SzS
πU(b2a2
终端开路同轴
2ln(bEe
ImSk
kU(basinejkre kU(ba 4rln(bEEiES、HHiH
Ei,HES,H
nE, 散射SJ n(HSH)Jmn(ESE SiJSJ nHiJS
mnE
EiEi,HnE,散射SES,HJmnEiSJHinSE,nS散射ES,HESES,HJmESnSnE H电 nHSV2:E=H=表面:n(ESEiSS等效源:Jm nEi,JSS
nH
由式★:E=H=n(HSHi
nH
,mnE
由式EES,HnE HJmESnS磁 nHSV2JSJS
JSn
JmE
JS Hi
JmnEiSSSS
EiH为入射场(已知设定,可应用空间的
能应用空间的公式计算例:设理想导电小球的半径为a,且ai ezE0ejkxiEkEka由于a JmnEiee 0对于球面上宽度为dlad0d(I
mS)
madπa2
sin2
πa3Esin3S总等效磁流环:ImSS
d(ImS)
πsin3d00
πa3E
IljImSj4πa3
IlIlj4πa3 ESe2
Il
sine
2k2a3Esine HSeES散射总功率:PS
Re(EH)dS16πk4a6E2S J,J,JnEd,Hd,0,VSEdE0Ep,HdH0J,JJ,JeeS,000,,m ed0 med0 )nd01m)n0d1J,J
E0H0(无介质情况
H
J
jE0EdHd(有介质情况)令HpHdH0EpEdE00
E0JmjH0HdJjEd0EdJmjHJ,Jn,V0,HpHdJ,Jn,V0,0jEdj(EdEp0j()EdjEp e ed0 EpEdE0jHdjH0jHdj(HdHp)j()HdjHp me med0 n(BdBd)n[Hd(HdM)]n(HdHd)nM 0 0m
n
n(H
Hd
n(
B1
(11)n
()nH0 0
n(DdDd)n[Ed(
0n(E2E1)nPnJ,JnJ,J,,V00Sd nPn(EdEd)n( 2 1
(11)n
()nE00 0
Ap(r)Ap(r) J(r)G(r,r)dV
0 Jm(r)G( Jm(r)G(r,r)dV
(r,
pm(r)1 m(r)G(r,S 0
S 0Ep
jAp1nJnJ,J,,V00S1Hp
jApm 0Ed
E
jAp
10
HdH0pmjApm1 EieEejkxcosysin斜投射到位于yoz平
Jm
eEejk(xcosysin eeEejky xOzyjkE0dzdycosejkysinejkrxOzy jkE0dzdycosejkysinejkrysindEez
E0
cosejkrysinysinEejkE0cose
ejkysinsinejkE0cosejkr 2r
a/za/
a/ya/
ejkysinsinsinkasinsinEa2
2 e
ejkr
a SnSn2(r)k2(r)SS(rG(r,rS0
G0(r,
SSG(r,rSG(r,rS(r0
SSE(r)SE(r)G(r,rE(rS[E(rS0G(r,r0SH(r)S[H(rSG(r,r0G(r,rS(r0nnEk2EjJJHk2HjJmE(r)
[jJ(r)Jm(r)]G(r,r)dV S[jnHS(r)nES(r)nES(r)]G0(r,H(r)[
m(r)
(r J(r
]G0(r,
S[jnES(r)nHS(r)nHS(r)]G0(r,E(E(r)S[jnHS(r)nES(r)nES(r)]G0(r,H(r)S[jnES(r)nHS(r)nHS(r)]G0(r,E(r)jVJ(r)G0(r,r)dVSG0(r,r)[nE(r)]dSjSG0(r,r)[nH(r)VJ(r)G0(r,r)dVE(r)SG0(r,r)[nE(r)]dSjSG0(r,r)[nHE(r)SG0(r,r)[nE(r)]dSjSG0(r,r)[nHHH(r)jSG0(r,r)[nE(r)]dSSG0(r,r)[nH哪一种公式均要求表面S必须是封闭。如果仅对非封闭表 空间辐射电磁波。因此,在S内填充理想导电体和导磁Hj(rEj(r)H(H)(E)E(r)E(r)ejk0L(r设 H(r) (r)ejk0L(r E(r)[E(r)jkL(r)E(r)]ejk0L(r E(r)[E(r)jkL(r)E(r)]ejk0L(r LE0H0/k0(1jk0)L(E0)(1jk0)(L(H)(1jk)(H
LH0E0/k0LE0H0/k0L LH0cE00L0L
cH0 L L(LE)n2 L(LE)0
L2 n2 0(L2n2) 0L n 1Re[EH]1 H 1Re
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