第1章2部分三极管1、结构上三个区域是什么

1 2一、BJT的结构简介 BJT常称晶体管，种类很多,但从外形看，BJT都有根根据结构不同，BJT可分成两种类型：NPN型和PNP型结构上可分区。两个PN结：发射结、集电结3（一）（一）双极型半导体三极管的结称为集电区和集电称为发射区，电极称为发射极用C或c表示（Collector）用E或e表示称为基区，加上电极称为用B或b表示02.01两种极性的双极型三极综上所述,得如下PIE=IEN 且有P及

且有IC=ICN+ICBO

传输I

形成的电

=(ICN+ICBO)+(I得:IE得:IE结论结论问问晶体管是通过什么方式来控制集电极电流3.三极管极间的电流关系为：IE1种组态三极管有三个电极，两个为输入,两个为输出，必有一个极是公共电极。共有三种接法也称三种组态__

ICNI ICN=IC- I

IcboI

IC；（0I各极电流之ICIC I1B11ICB 1ICIB(1ICEO (1)ICBO9定义共发射极接法直流电流放大系数=IC/IB=(ICN+ I1 I1 1 1

因为：1 所以：IC=βIB

输入电压Ui输出电压共射极电路的电压增益为AU

IcRL

RLii

Ibr r

若：rbe=1k,RL=1k则：AU=100有很小的Ui引起Ib明显的变化，导致Ic而引起较大的Uo变化，PN结注入到基区，以形成基极电流调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数表2.1-00IE=IB+由于基极电流很小，因而IE≈IC

II

I II (1)I通常 I I

由表2.1还可知 由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能起，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大测得工作在放大状态的三极管两个电极的电流如估算其β③管脚的发射极电流为流出，故该管为（3）由于IB0.1mA，IC4mA 4 例2.2若测得放大电路中工作在放大状态的三个三U1=U1=-U1=-

U2=6VU2=-3VU2=-

U3=1.8VU3=-2.7VU3=0V由于U13U1U30.7V，故该管为硅管，且1、由于∣U23∣=0.3V，故该管为锗管，且2、3由于∣U12∣=0.3V，故该管为锗管，且1、2二.二.共发射极接法三极管的特性曲线输入特性曲线输出特性曲线——iC=f(uCE)B是输入极，C是输出极，E公共极曲线是共射极接法的特性共发射极组态伏安特性曲1.

当UCE=0V时:相当于PN结的正向特性曲线。(发射结:区复合ICIB增大，特性曲线将向右移动一些。（基区3).UE≥1V或再增加时曲线右移效应;右移不明显说明基区调输入特性曲线的分区①死共射接法输入特性共射接法输入特性③线性iC=f(uCE)共射极接法的输出特性曲线:(如图所为以iB为参变量的一族特性曲线，现以任何一条为(1).当UCE=0V集电极无收集作用，iC=00<UCE<1时iC主要由UCE决定共射极接法输出特性（即Uce较小共射极接法输出特性较大的变化（2）.UCE≥1V（3）.UCE再增行的区域；共射极接共射极接法输出特性(动画2-3.3.IC不随UCE增加，曲线水平曲线略有共射输出特性曲共射输出特性曲 严格说严格说来，β不是一个与iC实际上，仅在iC的一定范围内，β随iC的变化很小，近似认为是常数。而超出这个范围时，β

例如例如，当iC过小时，由于发射结阻挡层内载流子的复合以及生表面复合的影响，致使基极电流增大，从而造成β下iIP、β发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的IC/

此时，发射结反偏，集电结反偏54 放

IB2B1

放大区——iC平行于vCEIB 0截止IB

0.7V左右(硅管 VCE三极管放

IC/54 放

IB2

1

0

放大特点

三极管有放大能力，ic＝βi

IC/饱和5饱和区VCE比较小，也 是IC受VCE显著控制区。即 输出曲线直线上升和弯曲部 划为饱和区

IB2放大B1IB0截止三极管饱发射结正偏：VBE0,VB

VCE ≥集电结正偏：VBC0,VB

三极管饱当VCE

IC/饱和5

集电结收集载流子的能力减弱， B2造成发射结“发射有余，集 结收集不足”，集电极电流IC

放大B1区再服从IC=βIB

0截止三极管饱和时的等效电路：

VCE

+-+-+-ee不考虑管压降时的等效电 等效于开关闭三极管截

IC/54 放

IB2B1发射结、集电结均反偏。

IB0截止

VCEeIB0、e

所以可以利用三极管饱和、截止状三极管PN结四种偏置方式组发射结(be结集电结(bc结工作状正反放大状正正饱和状反反截止状反正倒置状四、BJT的主要参数 1．电流放大系数共射极接法时的电流直流电流放大系数：ICIB交流电流放大系数：ICIBααα和β之间的关系 四、BJT的主要参数 (1)(1)共发射极直流电流放大β=IC/IB四、BJT的主要参数 (2)(2)共发射极交流电流放大系数四、BJT的主要参数