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文档简介

栅极负责施加控制电压源极、漏极负责电流的流进流出导电沟道一、单个MOS管的版图实现有源区栅导电沟道有源区注入杂质形成晶体管，栅与有源区重叠的区域确定器件尺寸，称为导电沟道1、图形关系只要源极、漏极以及导电沟道所覆盖的区域称为有源区。芯片中有源区以外的区域定义为场区。版图图层名称含义NwellN阱Active有源扩散区PselectP型注入掩膜NselectN型注入掩膜Poly多晶硅cc引线孔Metal1第一层金属Metal2第二层金属Via通孔常用图层注意：不同软件对图层名称定义不同；严格区分图层作用。版图图层名称含义cc（或cont）引线孔（连接金属与多晶硅或有源区）Via通孔（连接第一和第二层金属）MOS器件版图图层

——PMOSN阱——NWELLP型注入掩模——PSELECT有源扩散区——ACTIVE多晶硅栅——POLY引线孔——CC金属一——METAL1通孔一——VIA金属二——METAL2PMOS版图结构图3.70截面观察MOS器件版图图层

——NMOSN型注入掩模——NSELECT有源扩散区——ACTIVE多晶硅栅——POLY引线孔——CC金属一——METAL1通孔一——VIA金属二——METAL2NMOS版图结构图3.74NMOS截面版图设计中不需要绘制基片衬底材料以及氧化层2、阱与衬底连接通常将PMOS管的衬底接高电位（正压）；NMOS管的衬底接低电位（负压），以保证电路正常工作衬底材料导电性较差，为了保证接触的效果，需要在接触区域制作一个同有源区类似的掺杂区域降低接触电阻，形成接触区。衬底半导体材料要与电极接触，同样需要引线孔（CC）；二、CMOS倒相器的版图特点：Vin作为PMOS和NMOS的共栅极；Vout作为共漏极；VDD作为PMOS的源极和体端；GND作为NMOS的源极和体端VVinout反相器的逻辑符号若输入为“0”(Vin=0V)：VGSN=0V，VGSP=－VDDNMOS截止，PMOS导通输出“1”(Vout=VDD)1

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