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附 录 A(资料性附录)宽带人工网络(BAN)的设计A.1 示例图A.1给出了BAN的示意图和装配图。图中:aC-旁路电容器 ;-连接器1:BNC连接器或类似的射频连接器;-连接器2:连接DUT电源/负载支撑电路;-连接器3:连接DUT;a -推荐的最佳旁路电容器为 0.047 μF单片陶瓷电容器。图A.1BAN的示意图和装配图-侧视图A.2BAN的串联阻抗A.2.1BAN的串联阻抗(电流不大于8A)见表A.1。表A.1BAN的串联阻抗(电流不大于8A)频率范围最小阻抗MHzΩ0.25~0.50200>0.50~250500>250~500200A.2.1BAN的串联阻抗(电流大于8A但不大于30A)见表A.2。表A.2BAN的串联阻抗(电流大于8A但不大于30A)频率范围最小阻抗MHzΩ0.25~1.0200>1.0~150400>150~2502004GB/T33014—.7-××××250~500 100A.3BAN的插入损耗(端口 1、端口3到端口2)的插入损耗(电流不大于 8A)见表A.3。表A.3BAN的插入损耗(电流不大于 8A)频率范围 最小插入损耗MHz dB0.25~1.0 20>1.0~500 35的插入损耗(电流大于 8A但不大于30A))见表A.4。表A.4BAN的插入损耗(电流大于 8A但不大于30A))频率范围 最小插入损耗MHz dB0.25~500 20A.4BAN的旁路BAN的电源/负载支撑电路的末端应旁路到地。 应具有最佳值电容, 使其在试验频率范围内提供足够小的阻抗。使用的线束长度应取最短。A.5 承受的电流BAN的承受电流应包括在其设计参数中。 如果BAN中使用了铁氧体或粉末铁芯, 其饱和特性是影响 BAN承受电流大小的重要因素。A.6 设计建议表A.5、表A.6和表A.7分别给出了0.5A、2A和30ABAN的设计建议。表A.5磁芯绕组信息(0.5A的BAN)线圈磁芯型号匝数LfcHμHMHzOe(奥斯特)L1--1218031.43L2--41720.83L3--40.61000.83L4--40.21500.83L5--40.22000.83注1:导线直径近似为0.40mm,长度近似为1m。注2:磁芯材料为铁氧体。表A.6磁芯绕组信息(2A的BAN)线圈磁芯型号匝数LfcHμHMHzOe(奥斯特)L1—88622.72L2—620502.885L3—611004.98L4—40.21503.32L5—40.22253.32注1:导线直径近似为0.64mm,长度近似为1.3m。注2:磁芯材料为铁氧体。注3:对L1,L为10kHz时的测量值;对L2~L5,L为计算值。表A.7磁芯绕组信息(30A的BAN)线圈 磁芯型号 匝数 LμHL1—1538L2—1215L3—52.4注1:导线直径近似为1.61mm,长度近似为1.5m。注2:磁芯材料为铁粉。A.7 组件的绕制和安装组件绕制推荐采用一根完整的导线。 留出足够的导线用于连接 L1上的电容端子,L1磁芯上绕组要紧密缠绕。L2的磁芯距离L1约为6mm,L2上的绕组以反方向紧密缠绕,且平行于 L1的绕组。L3~L5上的绕组以同样的方式绕制,并成 Z字型。见图A.2结构图所示,留足够的导线把 L5连接到BAN的凸耳上。把组件安装在销钉上, 然后使用非金属螺钉把销钉组装到支撑的凸耳上。 所有的连接应使用最短的线束。图中:aC-旁路电容器 ;a-推荐的最佳旁路电容器为 0.047μF单片陶瓷电容器。图A.2典型的绕组结构-俯视图6GB/T33014—.7-××××附 录 B(资料性附录)功能特性状态分类(FPSC)推荐的试验严酷等级和频段分别见表B.1和表B.2。FPSC详细说明见GB/T33014.1-2016。表B.1推荐试验严酷等级试验严酷等级试验电平WL10.1L20.2L30.

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