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文档简介

第五章

存储器随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）半导体存储器(内存储器、一般采用MOS管）随机存储器（RAM）：静态随机存储器（SRAM）动态随机存储器（DRAM）⑴SRAM的典型芯片

2114逻辑符号6116逻辑符号5.1

典型的存储器芯片按位扩充SRAM的扩展按位扩充SRAM的扩展字节扩充2164逻辑符号⑵ＤRAM的典型芯片⑶

只读存储器典型芯片

5.2

存储器地址译码方式⑴

全译码方式（全译码法）A19－A13=1010100⑵部分译码方式（部分译码法）⑶线性译码方式（线选法）例：8片6264（8K×8，SRAM）构成一个64K的存储器，分配在E0000H～EFFFFH的内存空间。E0000H～E1FFFHE2000H～E3FFFHE4000H～E5FFFHE6000H～E7FFFHE8000H～E9FFFHEA000H～EBFFFHEC000H～EDFFFHEE000H～EFFFFH5.3

存储器地址译码电路的设计一、专用译码电路的地址译码器例：20位地址、8位数据系统中，一片2764（8K×8位）ROM芯片和一片6264（8K×8位）SRAM芯片构成16KB内存，其中，RAM的地址范围为0B2000H～0B3FFFH，ROM的地址范围为0BA000H～0BBFFFH。试用74LS138译码器设计该存储器系统。二、ROM译码器（自学）例63S241（512×4位）PROM芯片（9条地址线）为译码器，4片6264（8K×8），构成32K地址空间E0000H～E7FFFH的存储器系统。63S241的070H～073H为：（070H）=1110B（071H）=1101B（072H）=1011B

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