GB/T 32815-2016硅基MEMS制造技术体硅压阻加工工艺规范

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技术

体硅压阻加工工艺规范

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Specificationforcriterionofthebulksiliconpiezoresistanceprocess

2016-08-29发布2017-03-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T32815—2016

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

工艺流程

4…………………1

概述

4.1…………………1

硅片选择

4.2……………1

硅片压阻区制备

4.3……………………1

硅片隔离区制备

4.4……………………5

硅片背腔腐蚀

4.5………………………6

硅片引线制备

4.6(G)…………………10

玻璃片金属电极制备

4.7………………12

硅玻璃键合

4.8-………………………14

键合片硅面刻蚀

4.9……………………15

工艺保障条件要求

5………………………17

人员要求

5.1……………17

环境要求

5.2……………17

设备要求

5.3……………17

原材料要求

6………………18

安全操作要求

7……………19

用电安全

7.1……………19

化学试剂

7.2……………19

排放

7.3…………………19

检验

8………………………19

总则

8.1…………………19

检验方法和要求

8.2……………………19

Ⅰ

GB/T32815—2016

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准主要起草单位北京大学中机生产力促进中心大连理工大学东南大学北京青鸟元芯微

:、、、、

系统科技有限公司

。

本标准主要起草人张大成王玮李海斌杨芳黄贤何军刘冲刘伟周再发刘军山李婷

:、、、、、、、、、、、

姜博岩

。

Ⅲ

GB/T32815—2016

硅基MEMS制造技术

体硅压阻加工工艺规范

1范围

本标准规定了采用体硅压阻工艺进行器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求

MEMS。

本标准适用于硅基制造技术中基于背腔腐蚀和硅玻璃键合的体硅压阻加工工艺的加工和

MEMS-

质量检验

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

测量管理体系测量过程和测量设备的要求

GB/T19022

微机电系统技术术语

GB/T26111(MEMS)

洁净厂房设计规范

GB50073

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T26111。

4工艺流程

41概述

.

体硅压阻工艺流程包括硅片压阻区制备硅片隔离区制备硅片背腔腐蚀硅片引线制备玻璃片电

、、、、

极制备硅玻璃键合以及键合片硅面刻蚀等部分其中的关键工艺用表示

、-,(G)。

42硅片选择

.

421硅片材料的选择应结合所制造的器件的性能要求和后续工艺需求确定如型轻掺杂电阻率

..,n、、

为等

2Ωcm。

422硅片晶面的选择应以后续的工艺选择为依据当后续工艺步骤中使用了氢氧化钾或四

..