我国前驱体行业发展现状分析

我国前驱体行业发展现状分析一、前驱体概述前驱体是薄膜沉积工艺中的关键材料。按照用途，前驱体产品分为高介电常熟前驱体（High-K）、氧化硅及氮化硅前驱体和金属及金属氮化物。High-K前驱体产品具有热稳定性好、工艺可靠性高、挥发性强等特点，可使器件漏电减少10倍左右，大幅提升了处理器的良品率。氧化硅及氮化硅前驱体产品主要用于双重微影技术、侧壁空间层等，以保护集成电路栅极的电学性质。金属及金属氮化物前驱体产品主要用于半导体存储、逻辑芯片中的电容电极、栅极过渡层、隔离材料以及相变存储器中的相变材料。半导体前驱体分类二、前驱体行业现状随着芯片制造业快速发展，前驱体市场近年来快速增长，根据富士经济数据，2014年全球前驱体销售规模约7.5亿美元，2019年约12亿美元，CAGR达到10%。先进制程使得在芯片薄膜沉积工艺中起关键作用的前驱体材料需求扩张。其中，高介电常数（High-K）产品主要用于在45nm及以下半导体制造工艺流程，预计2024年ALD/CVD前驱体High-K材料市场规模将达到9.5亿美元。2014-2019年全球前驱体行业销售规模国外企业寡头垄断前驱体市场，雅克科技通过收购UPChemical进入该领域。前驱体材料具有技术门槛高、开发难度大的特点，国外企业深耕领域已久，目前全球IC前驱体主要生产商包括德国默克、法国液化空气集团以及韩国UPChemical、DNF、Mecaro等，国内雅克科技通过收购UPChemical切入该领域。全球半导体前驱体行业主要企业相关报告：华经产业研究院发布的《》三、SOD产品SOD产品是STI中可以用于沉积绝缘层、填补浅沟槽的解决方案，与前驱体高度相关。隔离技术是IC制造中的关键技术，用于IC相邻器件不受干扰。随着器件向亚微米发展，原有隔离技术逐渐表现出不足，浅沟槽隔离（STI）应运而生。STI能实现更安全、更强效的隔离，在0.25微米以下被广泛使用，如Logic、DRAM和NAND等高密度逻辑及存储电路。SOD由于绝缘性能好、填洞能力强、IC制造工艺整合性高等特点，在STI技术中作为隔离填充物。目前全球仅有三家厂商实现了半导体存储芯片SOD产品稳定量产，分别是德国默克、三星SDI以及UPChemical。德国默克为全球主流存储器生产商供应SOD产品，三星电子的SOD产品用于子公司自用，UPChemical主要供货于SK海力士。存储芯片是一个高度垄断的市场市场，三星、SK海力士、美光合计占据全球DRAM市场95%左右的份额。2019年全球DRAM芯片市场格局NANDFlash经过几十年的发展，形成了由三星、铠侠、西部数据、美光、海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局，SOD生产商作为存储芯片上游，呈现寡头垄断格局，同时与下游客户绑定程度较深。2019年全球NANDFlash市场格局四、UPChemicalUPChemical主要客户为世界知名存储、逻辑芯片生产商，如韩国SK海力士、三星电子等。2015-2017H1，SK海力士一直是公司的主要客户，三星电子也给公司贡献了部分收入。目前，UPChemical已经与LGDisplay、SamsungDisplay、昆山国显光电有限公司、上海和辉光电