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文档简介
2-6。一填空2-6。
3、玻氢原子模型的点假设是:定假设、率
2、在金属的光电效实验中,测得如图1所1电质极化有两种,一是位移极化二是取向
条件、动量量子化设。
曲线,该金属的
红限频极化。
4、维无限深势阱模的基本内容是阱壁势能无限
率
14
,
逸出功2在基中掺进了3价素锑,则形成P型半导体,杂质能级叫主能级。
大,阱为零或
x
00xax,xa
A=2.07eVeV.3率的光
子的静3频为光子的能量h量ν静质量0
字表述或数学形式或图形表示均可5、已知粒子在一维无限深势阱中的波函数为
止质量0,能量为
,动量。4在下给出的条件中些是产生激光条件,将其标号出(
sinx
,则子的第一激
4晶中粒子结合力形式有离子键共价键金属键、德瓦尔斯键(1自辐2受辐3粒数反(4)两能级统()谐振腔5在阳电池中,本征半导体锗的禁宽度是
发态在
3处出现概率密度为。
5、在量子数n=4的子态中,角量子数l的能取值0,1,2,36、固能带论中价带指价电子分裂形成的能带。0.67eV,它能吸的辐射的最大波长
6、在NaCl晶体中,一个离子周围6个近邻异
7、由粒子一维含时定谔方程的数学形式为:1.85×10m。6放性变的三种形式是、。
(同异性子最邻原子间距为
i
m7光效中从铝中逸出一个电子最少要4.2eV的能量铝的红限波为。8在喇晶体点阵分类中,三维晶格布喇菲胞共有14种原子中的电处于量子数l的子态,
晶其立方边长)7、固中3p能可纳6个子个子组成的固体8、本半导体的本征流子为电子、空穴对在本征半导体掺入价素可变为型导,在P
8、N型半体中的多是电子,是由质产生的。9玻氢原子模型的点假设是定假设频率假设、动量量子化条件10、介质中无极分子极化机理是无极分子位移极化则该电角动量的为。
型半导中,空穴是子(多子,少
2、不定性关系的数表达式是
x
2
.1、爱斯坦狭义相对的两条基本原理是()义相对性原理所有物理定律在一切惯性
9、电质的极化有两一是无极分的电子位移极化,二有极分子的向极化
3波函数满足的标准化条件有单值,限,连.4、一维力场中定态薛定谔方程的形式是系中都有形同的数表达形式;()光速不变原理:在真空中的播速率在一切性系中都具有
22610、知88
Ra
的半衰为1200年,衰变常量为
d2
V)
E
.相同的。2、狭义相对论中动能用
12
mv
表示,应是
1、普朗克量子假设的内容为
5、氢原中电子的能量量子化公式是me18hn
mc
m
nh
n1,2,3
。
.、产生光的两对基本矛盾是受激辐与受激吸收
9lt002的矛盾受激辐射与发辐射的矛盾9lt0027立方晶包括简单立方;面心立方;心立方.8内建电的作用是阻碍子的扩散进少子的漂
需吸收的能量,求将原子从基态激到能级需多大的抽运量?
4一电子光子的波长都为,不考虑对论效应,他的动量和能量各为多少?移(阻或促进9根物的磁性可物质分为抗磁性质顺
Eh
.6310
310632.810
性物质铁磁性物质10用粒打击4
产生
并放出个新粒子,
3.1410.81.96
p10
6.6260.210(kg)
写出核应方程
+91n0
3设粒子一维无限深势阱中运动,波数为;求粒子第一激发(n=2中率最大的位置
(1)写出度函数)求几率最的位置。
pc3.31310
。一静止长度l的箭(可看作恒速0度u相对考系S运某刻从火箭部A发一光信号(1)对火上的观察者,光信号从火箭头部A到达火箭尾部B所需的间?)对系中的观察者光信号从火箭部A达火箭部B所的
2(x))0aa
9.939(J6.21210(eV(3.313)m9.16.031()eV)
时间?解)(2)
2w()sin(x)a
5一原链链上原子间距分布最邻原子间的力常相间地β和10子质量等为m。(1)画出维单原子链型图(要求表出原子位移及力常数(2)写出第个子的振动方程t
ux2
dwdx2
sin(cox)0a
(
lucc
(
0
))
cl0cc
ax0,,,2
a
2在氦氖激光器中氖的到能级跃时辐射的光知将氖原子基态激发到3p级
x
f)2t21.2eVahJ,)0x5、232.03821uf)2t21.2eVahJ,)0x5、232.03821usix0aBA(3)(4)dtf)22n右12d]]12n2n2
dx
,可得
a4
,
34
.4、已硅的禁带宽为,计算硅能吸收的辐射能的大波长。1匀形薄板止测得长和宽别为a,b,质量为m若沿其长度方以v=0.8c的度相对地面运动,地面上观察测得
4、已硅晶体的禁带度,入适量5价元素后,施主能级和导带的能量差
解
hc
6.631.1
3
1.13um()长为多少?()宽为少()质量变为多少
D
0.045
,试计能吸收的辐能的最大波
1。一原子链中原子距离分布,相距a,原子解)b()mm()
m513
长)导出波长计算公式(2)代相应数据计(,C8/s1.6JE解:(1)E(2)
量为若1第2n个子与第2n+1个子间的力常数,2是2n个原与个原子之的力常数,设第,,原子偏平衡位置的位移分uu别为n,,2、设粒子在一维无限深势阱中运动,波函数nxsxa,,若该粒子于第一发态,则
hc6.632.7610m0.0451.6的子质量为求:(1)计
2n-1个原对第2n个子的作用力大小。(个原子对2n个原子的作力大)第2n个原子受到的合)2n个原的振动方程。(1)的值为多少()求粒子的概率分布函数(子在第一发态中概率最的位置。
E原子核总结合能B。
解()
左
n
n
()解:)2(2)n22sinsinaad44()dxaa3xk0,,a且4
(2)计原子核的平结合能(比结能解:(BmMeVHnE
)(2)
Fn2F()u合12muu2、有温度不同的两个黑体,已知T293K,TK,用特藩-玻
w以cmc222)AiiAxAbiwzmh则可能的值为0r(2兹曼定求两黑体向间辐射能量(w以cmc222)AiiAxAbiwzmh则可能的值为0r(2
()归一化的波函概密粒子出现何处概率最大.解:1)在一空间里归一化条件为
(1)电轨道角动量L的值为多少)这角量在轴的分量哪些可能值?
L解;(1)MT()M4.461010MTlm3某人测一静止棒长为质为0,设该棒的速度棒长方向相于此人运动,则此人测得()棒的长度为多少?2)棒的质量为少?解)ll(1v/c)0.8l()m//cm5、波为.10m的子与一静止的自由电子弹性碰(康顿散射在入射角成方向上察问该方上散射波波长改变量为多少hcos.43解:1.设粒子一维空间运,它的状态可用波函数
x,tdx,t)dxdxdx亦即b2代入已的表式,得exp()exp(Et)cos(dx2b()即2A所则归一波函数为2)xt)exp(Et)cos()(//2)b()率密度为(x/2)(t)t)()/2)b(3)粒子出现概率最大的方,满足
解:)电子绕核运动的角动量数值hhLl(l2(2)轨道角动量在轴的分量2mhh,.m23设某双原子分子的两原子间相互能由ABu(rrr表示,原间的平衡距离A,分子结能为(D表计和。解:按题意r,D40Au(r)r2r00(1))A10()0rr,t)
(x2,x/iexp()(2x/2)
来描述
d2x(())dxb求得在处找到粒的概率最大
1由(2式得将式()入式1解得
()式中,A任意常数E均确的常数求
2、氢子中的电子处于
n4,l3
的状态问:
A
J
2
2第271H1744解)E*rr2第271H1744解)E*rr0n,3EEh
7锂(
Li
)原子生裂变反应产生了两个完相同
按以下序,分析普通光源为何不发光1原子光的三个基过程为自发辐激吸4、一原子链,链上子等间距分布,相距为,最近邻原之间的力常相间地等于和各子质量等,写出原(2n)和n1)的动方程。解:第个子受力)))))个原子力为)))于是运方程为(1011u)u10u)5已知硅体的禁带宽度,入适量价元素后,施主能级和导带底的能量差
的粒子并放出大量量。(1写出裂变反应式(2反放出的能(Li4He位取量核(2)质量,子1)质量)HLiHeQ122(2)量:(7.0164.0026uQ217.3MeV1你学过的相关识分析激光产的基本原理。()用图或文字描原子发光的三个过程。(2)产生激光过程是哪一?如何突出该程?()原子发光的三过程:解)自发辐射、受激吸收、受激射自发辐:1.由高低2.频条件
收、受辐射2三个本过程中生激光的基本程是受激辐射3、产激光的两个基物理条件是受吸与受激射的矛受激吸收占主导(2)自发射与受激辐的矛,自发辐射占主导1N型导体硅中含有杂质磷原。在计算施主能级时作为初步近似,可看作一个子围绕离子实动组成一个氢原子,浸在无限大的硅电质中,已硅的相对介电常数r,这半导体的施主能D(取)。解:设子绕匀速圆周运,则有mr()D长。
,试计能吸收的辐能的最大波
3随发生h受激幅:1.入光频率2.全光子频.动方向相均
又设电圆周运动的角动量满足量子条件:hn2
(2c解:由,ch
2.76
27.6
相同受激吸:1.由到高2.入光减弱()生激光的过程哪一个?如何突出该过程?
由式(1解得2r0r
(3)三应用11932年科可洛夫瓦尔顿用加速的质子轰击
受激幅1、实粒子数反转
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