半导体行业发展分析报告

2017导体市场分析告

、半导体产业升催生产业转移的原力-4-、半导体产业转伴随着新兴终端市的兴起-5-2.1家电产业带动用半导体需求兴起半导体产业从美转向.............-9-2.2、重导体产业链半导体产业从美、转向韩、-10-、智能手机时代酿着第三次半导体业转移-153.1智能手机时代韩台半导体产业优地位巩固................................--3.2未来半导体产向大陆转移是否是势？.......................................-3.2.1、导投温，产业转移趋势彰显........................................-3.2.2、产转根本动力看半导体能成功向大陆转................-3.3关于承接产业移模式的选择问.-233.4总结：半导体业转移深入，国产良机将至................................图1产业转移动力的产生-5-图、全球半导产业链变迁与产业-图3美日半导产业变迁图-7-图4韩台半导产业变迁图-8-图、全球半导产业转移原因分析-图6美视机产量比较（万-10图7本年半导体产值额达21%亿美元）-10-图81980-2010年球存储行业场份额变-10-图9、崛半导体产业的..............................................................-11-图10、年全球出货量（百万台）..........................................-图、1986-2016年特尔营收（亿美元-12图、DRAM场周期波动大-图、DRAM术持续级-图、韩国采用大团IDM模展业-13-图、2000-2016年全球智手机出货量（百万台--图、2000-2016年通收（亿美元）-15-图17大陆智手机品牌全球市场额持续提升-图、中国半导体场增速远高于全球亿美元-图19中国半导体费全球占比持续提（亿美元）17-图20、年全球晶制造产能分布（千/，合成寸-17-图21年全球半导体消费市场布（产值，亿美元-17-图222017-2020年新增晶圆厂集中大陆（座）-图、国家集成电产业投资基金（大金）的成立与发展-图、大基金重点投资导体制造环节-图、大基金重点关注四大领域-图26NANDFlash技成熟后明显降低本-图27全球NAND量进........................................21-图28年3D三星占领先.............................................-图、中国半导体细分行业值（亿元--图、中国半导体细分行业图31中国IC计产在全球占比提....................................................-23-图32陆IC设市场按销售额占比-图、四种发展模式比..........................................................................-

图、中芯国际产能场份额排名............................................................-图35台逐成全球的半导体制基...........................................--图、中国半导体业链-图、半导体主要产品类：-图、年球集电路细分领域占.................................................-30-图、年球集电路终端应用占.................................................-30-图40、年球半导体市场增速有望升（亿美元-表、年球前十大半导体公司排名...................................................15-表2陆现12寸厂产能统-18-表3陆在12寸厂产能统-18-表4中国存储片投资情况-表、国内主要导体上市公司梳-

我研究发半体产业移有两大规律：

一是产业转是半导体产业发展升必然的结果，无法挡更无法逆转我们认为根本因为不同国家在产品命周期的不同阶段较竞争优势发生改变，催生产转移的原动力。二是产业转总是伴随着新兴电子品市场的兴起，这因为新兴市场技术升级或产业链的变化，造就行业重新洗牌的机，承接国若能商机，并结自身的比较竞争优势制定正确的策略，住商机，产业将应运而生产转移规具表：

家电产业带民用半导体需求兴起半产业从美转日重导体产业链，半体产业从美、日转向、台；智能手机时同样孕育着一波的半导体产机会，我们认为正是导体产业从美、韩台向大陆的转。大陆半导体业正从劳动密集型向本密集型过渡，我认为这是产转移深入的表现各国在半导产业发展的历史进程扮演着不同的角色发展半导体产的模式也不尽同。美国是“创新引”模式，日本是“化吸收、自主创新模式，韩国“集中式发展，品牌越”模式，台湾是与美国联，晶圆代工”式。关于中国发展半体模式的选择，中最初选取了与相似的代工展模式对于中国样的大国从角度切入是不够的，采用韩国IDM模的存储发展路，是大陆半导体发展必经之路。1升级移的任何产品都经历创新——成熟—标准化这生命周期，半导体不外。与产品生命周相应的是，行业的发遵循技术密集型——资密集型——劳力密集型的转路径。产品创新阶段技术垄断和产品差为特征，行业表现术密集型；到了成熟阶段，技术本稳定继而投入减，而资本和管理要投入增加，业表现为资本密集型最后产品到了标准阶段，成本控制成争力的主要束，行业就表现为劳密集型。行业不同阶生产要素的密集性发改变，使得各个国与地区的竞争力发变。在创新段，创新国因为技术势有明显的竞争力而到了成熟和标准化阶段，创新国要利用其它国家在资、劳动力领域的优保证产品的竞争力并开拓新的市，从而催生了产业转的原动力。

图1产业移原动力的产生创新期•术密集

成熟期•资本密集型

标准化•劳动密集不同国家的争优势发生改变产业转移原力产生美国是半导芯片的发源地，美国导体产业一直保持在全球的领先地，其半导体产业发展与升级就伴随着计与制造的分离、造的转移。美国最初通过硅谷平台汇集各领域的人才与源，储备研发实力开发出电脑等跨时产品，借由端产品的创新，带动导体的需求成长。了成熟阶段，技术本稳定国到其生产方面的效不高心争力在IC设等高技术集环节，开始动将生产线外搬，采委外代工的模式，资本密集型和劳密集型的生产环转交日本、台湾、韩等具备资本与劳动优势的国家。这就着产业转移般从组装和制造等劳密集型的环节最先始，其次是资本集型产业的转移而技术密集型的设计节则由美国保留。全球半导体业的发展主要经历了次大的产业转移，一次是从美国日的转移，第二是美国、日本向韩国台湾的转移。美国导体产业向外转移以看做是半体产业在全球的扩展移带来了日等国家在造的反超，但美之后又开始将中心投新一轮技术的开发，也意味着新一轮期开始国将重点投向着重设计的ASIC和技持续处于领先地位，促进产业升，并借此又重回霸主位。总之，美国有最先进的半导体技，可以根据国家半体产业的发展重有选择的保留最心利力最强的节——在IC设半导体设备领域国据绝对主导位。对美国而言，半体产业的转移是有为之，也是产业升必然要求和果。2转移终端半导体产业历了两次产业转移，一次是从美国向日的转移，第二次从美日向韩台的移，我们研究发现，两次转移都与新兴端市场的兴起有关从美国到日本产业转移伴随着家电场的兴起，从美、向韩、台的产业转伴随着PC市场的兴。我们分析，这是为新兴终端市场兴起来了技术

创或级变了行业重新洗牌机会接能动抓住商机，定正确的策略，发挥身的比较优势，产转移将应运而生。图2全导体产业链变迁与产移从美国到日本

从美日到韩台终端产品半导体芯片求

1960军工时代军工电子

1970年代家电时代和存储

1980年代PC初期阶段存+微处理ASIC

1990PC及时代中央处理器

手机时代逻辑芯微理+存+拟电路代表厂商崛起

仙童TI

系统厂商：索尼、东芝IDM商：Hitachi

IC设计厂商：Xilin、nVIDIAIDM商三星晶圆代工厂商：积电

IP商ARMSynopsysIC设计厂商：高通、联发、海思IDM厂商三星、海力士圆代工厂商：台积电、联电、中芯国

IDM厂

Fabless产生

产业链变迁

IP商IC设

IC设IDMFab测

IC设IDM

ICIDM

ICIDM以前

至代

以后

IC-ASIC兴业证研究所从美国到日的第一次产业转移，美国将装配产业转到日本，日本装起家学习美国导体技术，并将半导技术创新性家产业进行对接的过，由此日本家产业与半导体产业发形成了良性互动，化了索尼、东芝等统厂商年子产业从家电进PC时催了对需求凭借在家电时代技术积累和出色的生管理能力现大规模量产实现反超美国半导体产业的繁荣持了将近20年1970-1990

80%43%80%43%图3美日半导体产业变迁图1970s

业变•军工崛起

••••

外转

•领产••将重点投的M

•MPU取地位•美国，Fabless

•Soc工，•美国卡位设计，包

100%

日本，

其他，60年代国动力消失后期

其他远欧洲东地区33%43%拉丁美洲18%

日本

0%

1984198719901991厂商美国厂

0%

197519801985199019951996北美厂商日本厂商其他国家厂商

欧洲，中国，

台湾，

美国，电

1974

A

占率

IC设

NEC得仙童面技术专实施权NEC/综企业开始ICTI构造专为条件与索合办设厂

美

日欧

100%0%

0%

19802005美国日本欧洲其他地区

7543210

643321IC接•装配起家•美IC•进IC合

1975•广阔家电展•VLSI计存储

DRAM反•VLSI供资•DRAM领先•M

本支滑•半导•90年美国地位

商中到1•日本厂商离•日本半导业变从美日向韩的第二次产业转移则产发展息息关。第二次产业转移一方面表现存储产业从美国转向本后又开始转向了国，另一方面也现为IDM式以外产生了单独的计公司（）逐立出来的晶圆工（），台湾切入晶圆工环节，并由此孵IC设计公司，实现半导体产业从美向台湾的转移。存储的转移因产带动术不断升级日本经济泡沫无力资、技术升级落后韩国造环节晶圆工独立出来则主因90代PC广泛用与普及IC业开进入以客户为导向阶段（为专门的而设计的集成电路）应运而，专门负责设计的公诞生，与制造分离因此我们认为从日到韩国的存储业的转移，与技术关；而制造环从美日向台湾的转移则与设计、制、封测这一分工模传统IDM式变化关。

图4韩台半导体产业变迁图1990s韩国半导体业变迁

至今•封装转移

•的DRAM•投入日的

•储芯•日本资支寸晶圆厂建设

•场的•竞争•韩国芯片圆厂LG财

其他三大财团

财团

美光

三星韩国初以组装、封为主

财团。三大财持续投D

三星D技术升级弯超车

海力士韩厂成DRAM场的（2015其他，台，

欧，

院

中国，

南，

北美，

IC设产值亿新台币）制造产值亿新币）

日本，，封产值亿新台币）台湾初以封装为主•体产•封装产出

政府大推进半导体业•ASIC代，设计紧抓商的•研院•圆代

台湾半体产业快速展•IC司成从设••入DRAM制19951997波价崩盘

台湾成最大的晶圆造基2016）•化发•圆制•代工球封•台湾半导体业变迁我们对两次导体产业转移的原因行总结产业转移的发生都是天、地利、人和共同结果，但其中还可以总结出一个共的规律，那便伴随着新兴终端市兴起带来的技术变化是产业链变化，这以参考下图的归纳

图5全球半导体产业转移原因分第一次产业转移美国转移情况

第二次产业转移美日转移原因原因归纳

日本半导体技术新：从军工到家技术变化

韩国存储技术升

台湾ASIC发展，设计、制造和封测专化分工的产业链新式出现产业链变化此外，我们究还发现，半导体产转移一般先从劳动集型开始，例如接美国外包的组、封装和测试等产业对半导体技术有了定的积累后，若承能抓住电子业终端市场兴起的半体需求（如日本抓了家电市场的需求国和台湾则住了PC时的机遇制确的策略、选择确的切入点、进行资本的集投资（韩国和台湾于两地资金实力、场空间、产业形等的不同，选择不同的切入点，韩国择了标准化程度高周期性强的存，而台湾则选择以销为主接国Fabless的代工订单把握自身的势，半导体产业实现快速发展，从劳密集型产业向资本集型产业过渡，这程也伴随着术积累的逐步增厚。、家电产业带动民用半体需求兴起，半体产业从美转向日年代到代是日本半导体产业兴盛时期后续年左70年代代中期，日本半导产业崛起，源于日本化吸收美国军工起的半导体技术，成功将导体技术应用于家电场；代后期和年本半导体产业的繁荣源于产发展，存储器产业从国转向日本，并且日成功反超美国。年同于美国军工动半导体产业发展，本作为二战战败国军事项目被全面禁止，本转而采用“民用家带动产业发展”的略，利用家电市容量大、技术壁低、价格有优势的特，切入半导体市场日本从收音机以及字视像设备等用设备入手，在初期开了与美国的竞争并成功占据全球电市场首位。同抓住家电市场兴起带的半导体需求，成了东芝、索尼、日这类系统厂商不仅成为全球家电市的龙头，也跻身全半导体产业的前列代是日本电业发展快的阶日电视产甚过了美；70年代也是日半导体迅速成长的阶年日本半导体产值达12.8美场份额达21%，美国美元，亦非常重要的半导体产国。

图6日美视机产量比较（万台

图7、日本1975年体产值份达21%亿美元）日,12.8,

美,36.4,

欧,11,日本

美国联合国，通产省，

日本电子协会，日本凭借在电领域的深耕，对半体技术有了一定的累。在美国进DRAM产业转移的候，日本成为最合适最有能力承接的国。存储芯片作为标化程度较高的品，发展初期对技术求尚低，得益于计，日本凭其出色的生产管能力及对精细加工的长，成功大规模量了存储芯片。年90代初期本过生优和电子的输出一度越了美国。美国导体产业的薄弱环节于产品制造和企业理：首先，生产方效率不高，产品不能很好地转化市场上可信赖的产；其次，企业间的联系较为松，企业在关键性产品的投入不足，重复技术开发造成了巨资源浪费1983-1998年日本续保持制的领先，超美国，市占率跃居全球位。图81980-2010全球存储行业场份额变化数据来源：2重半导体产业链，半导体产业从、日转向韩、台PC段内存）微处器）IBM公于1981年了第一部型号为的个人桌上型计算器，志着时代的到来PC出现以后的年个半导体市场基围绕展，而这其中最重要的两个成就是半导体内存

与处(MicroProcessor)。PC业的发展就伴着内存以及微处理器术的不断升级。

PC拓：中处理器CPU和ASIC进入年半体依然遵循着摩尔定律进PC应来越广泛，功能来越强大，时软件就起了决定性作用，微软Window操系大获成功。奠定了其PC件霸主地位，为之提供配套CPU等产品的Intel之崛起。此外PC代半导体产品的性要求也发生了变电到消费电子品异化竞争使芯片定制化程度更高IC产开始进入客户为导向的阶段一方面标准化功的IC已满足整机户对系统成本、可靠等要求，同时整机客户则要求断增加IC的度密片积系体积缩小，降低成本，高产品的性能价格比从而增强产品的竞力，得到更多场份额和更丰厚利润一面PC中微理器和存储是标准化品外芯片均是非准化的，造成了芯片间信号传递的延迟不稳定。由于两个原因，IC设计公司兴起为客户提供ASIC的服务，以实现统的整体优化；同时将制造包出去，形成了独立晶圆代工环节。图9PC崛半体产业的影存储技术升微处理器升CPUASIC

日本的衰落韩国的崛起美IDM公英特尔崛起台湾切入晶代工环节下面我们对三类受益公司分别进分析，韩国的崛起台湾切入晶圆工环节则对应着第次半导体产业转移：计力的半公司首先益产起的受益者首先是拥有芯设计能力的公司——芯设计公司或者是IDM公司它接接下游需时成美芯公司尔（IDM说英特尔公司的成长基就是业的成长史。年英特尔营收长与全球PC货量都于快速成长期，两基本保持着一致的趋势2000-2011年着出增速的放缓尔营收成长放缓至出现衰退；年之后PC货在衰退，但英特营收稳中有升则主要益于英特尔面向后时型，如布物联网以及数据中心务器芯片等。

图10、1986-2016年球出（百万）400

图11、英特尔营收亿美元）700350300250200150100500

-10%-20%

6005004003002001000

-10%-20%-30%PC起DRAM求国抓住遇美国半导体业的优势主要是在技密集型的设计环节而在制造环节美却没有优势反技术转化为产品生产能力一直是美的弱势PC崛催生了对需求美国强大的科研能力其基据整个市但是由于转成生产的能力不高1979年本由划获成功抢先美国进入64K-DRAM时，DRAM场份额逐渐被日本占年代由于日本经济泡沫，无持续投资支持术升级8晶圆厂的设，产业式微，而国抓住这一机遇，韩三星、海力士崛起直到今天一直保持球的寡头地。韩国从切取得成，是因为DRAM行标准化程度高、周期强和技术更新的三大特征：标准化程度为后进者提供弯道超机会益DRAM块化变革其从计算机主上独立出来为具标准化接口的模块产品（存条得的者和生产的关联度降低，产标准化程度高，可替性加强生产能力可弥补技术能力的差距对后进者是一个很的切入点。周期性强要企业具备规模优势于DRAM市巨供需变化的影响波动性高于导体全行业水平，生者的收益就会随之化。在周期性低谷，小规模企业难支撑，只有大型企业以凭借规模优势降成本，并且拥有够的资金支持，度过低谷。技术更新速快需要持续的重资产入。终端市场对内容量要求不断提，根据摩尔定律发展进步才能来产品成本的下降DRAM技升级非常，需要持续的金投入以实现技术升，降低成本。

图12DRAM场周期性波动大

图13DRAM技续升级半导体率

DRAM率110.0%200120082009201020112012201320142015韩国选取DRAM用财团主的IDM式抢占地正是由于样的发展特点业适合韩国财团导的IDM式标准化程度高促进市场趋于完竞争，成本和技术成市场竞争的主导因，韩国大财团三、现代和LG的IDM展模式优尽显。凭借强大的资优势，韩国半导体商持续大规模投入逆势扩展产能形成规效应，产品成本优明显；另一方，韩国为了抢占先初期采用全面术移植模式的基础上用“官产学”行合作研发，极大得短了技术开发周期最快速度追赶际领先技术。而此，日本经济泡沫，无投寸晶圆厂，给韩的起飞带来了机会韩国大财团决策迅速国导业得到飞速发模1993年首度成为球DRAM产一上年先开发出256MDRAM益于亚洲金融机后的景气回升国存储芯片产业一飞天，至今仍牢牢据绝对领先地位。图14韩国用大财团模发DRAM产

发

韩国大财团IDM式

RAM256M抢先

韩国存储芯虽起步晚于日本，但些恰好免于和美国直接竞争，又日本衰退的时候趁崛起。同时，韩国的财团模式使其存储片行业不仅能御行业

低谷，更能势扩展，其崛起过程恰好经历了PC和手机两轮的爆发，存储芯片市场模在这过程中快速成。以此而言，韩国展存储芯片可踩准了每一个节奏才成就了今天的霸主位。PC动ASIC发，台湾创新圆代工模式ASIC在1980年出现ASIC得发展的根本因下需从转向PC比产消电子制化度高。美大在化品如DRAM消费品IC竞不日情况下，发挥美国在件技术，CAD技及创造性设计的传统优势发力于。ASIC的解决了非标准化IC带问题，让IC设更便。得益于年公首先实现设计了计算机助工程独立的IC设司营运而生类IC设司没有自己工厂IC的FablessASIC的出现推动IC产进一步由IDM解为垂直分工形态IC设与制造分离。台湾企业进半导体生产的途径，一是适逢美国无晶厂的设计公司的兴，从代工(OEM工)起，本岛及海外市，第一条切入途径取成功。其二是以标准产为重点效日本和国以记忆体别为重心把竞争能力集于投资规模，以及技、经验的累积上，最终以失败告终。第一条切入径的成功与台湾“半体教父”张忠谋发产业结构变化带来商业机遇息息关张谋在年确地在IDMfabless之的盾到利基所在，在湾当局的帮助下成立湾积体电路公司，为全世界第一家专的晶圆代工公创的半导体产模式IC制中核心的晶圆代工独立出来，构成球分工的一环。台湾半导体崛关键在于从制造节切入，采用晶圆工的模式，符合台的竞争优势。台于岛内市场狭，无力支撑产业成长实施外向型半导体展战略，寻求际市场，选择从生产造环节切入，通过圆代工，承接全球工合同，成功产业引入岛内并成功展壮大。同时，制分离可有效降低开半导体元件之金门槛，促成大量fabless型IC设公司开始茁，进而达成设计、制造封测之完整的半导体业链，建立独霸全的半导体制造基地而第二条切路径的失败使得台与韩国走上不同的半导体发展之路，这不是湾自主选择结果而是因为DRAM不符台湾竞争优势首先是金投入方面，产讲术创新和规模经济，韩可凭借财团雄厚的金实力促进产业发展而以中小企业为主的湾厂商在筹资能力面远不及三星、现大财团，因在和韩厂竞争时始终于劣势。其次是期性产业，撑得住因景循环造成的巨额亏损经及1997年波价崩盘后，因营风险过大遂渐渐退此市场，宁可选择率、风险皆较低的代工作为发方向。因们认承接国能否选取符自身竞争优势的切入，在产业转移趋势下自主抓住商业遇导业转移中必不可少的一。

00000000001111111000000000011111113代酝半导？、智能手机时代美韩台导体产业优势地巩固苹果在年出，了智能手机的时代，智能手机的及率迅速上升。处器、ROM、基带、频、摄像头、管理IC等片蓬勃发展处理器AP和与应用和用户体验息相关，每代产品都在不断提射端则由于从2G逐级至全网通，单机的射频需求量不断增；手机手机进入存量争时代，拍照性能求不断提高，要求不断提高ISP先从中离内到中因性能提升将ISP片独立出来能机从增量时代逐渐入存量构级续促进半导体的发。我们认为智手机终端市场带动的导体需求，首先最益的是美国设计公这从历史中经得到证明。高通公的成长史基本就对着全球智能手机行成长，2009-2014年能机快速成长，高通收也保持着相应地强成长。图15年智能手货万）图162000-2016年通营收（亿美元）1600

250%

3001400120010008006004002000

200%150%100%50%0%

250200150100500

-10%-20%002

102

202

302

402

502

602

702

802

902

002

102

202

302

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1002

2002

3002

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6002

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9002

0102

1102

2102

3102

4102

5102

6102另外，智能机也造就了持续繁荣今天的韩国、台湾导体产业。韩国存厂商三星和海士始终保持在全球龙的地位，台湾则在IC设计环节培育了科晶圆工环节培育了台积电在环节培育了月矽全球举足轻重的半导体商。在2016年球前大导体厂商中美国占了家，韩国占了家台湾占了1家表12016全十大半导体司排名排序12345678910

公司Intel三星台积电高通博通海力士美光TI东芝NXP

国家美国韩国台湾美国新加坡韩国美国美国日本欧洲

销售额（亿元）

市场份额17%13%9%5%5%4%4%4%3%3%数据来源：IC，

2未来半体产业向大陆转移是否是趋势？我们在第二中的研究发现，电子业新兴终端市场的起都伴随着半导体的转移电对应的是半导体业从美国向日本的移PC崛形成了美国把控设计产移到韩国、晶圆代转移到台湾的全球业链分工这样的历史律来看，智能手机终市场的兴起也极有能孕育着半导体产新一轮产业移。大陆积极布局半体，业界逐渐形成识，半导体产业正在向大陆转移。业界对这一问题的分普遍停留在现象，不是深入到根本原我们在本节对半导体产业转移的象进行分析，同时深入分析半导体产大陆转移的本动力是否存在。2.1、体投资升温，产业转移趋势彰显市场：本给不足，陆为半导体制造的投资地中国半导体需求旺盛，主要益于大陆智能手机终的兴起，大陆智能品牌全球市场份持续提升2016年品牌智能手机出货量达6.38球智能手机出量为亿部。年智能手机品的市场份额已经从2013年的提了，俨然已为全球最重要的智能机生产地，催生了半导体的强劲求。图17陆能手机品牌全球市持续提升出货

出货

0

digitimes，从需求来看中国正成为全球最重的半导体市场。从地区市场占比16年中国消费半导体价值已经超过1千美元全量的了美国、欧洲和日本成为全球最大的市场从成长性来看，中半导体市场同增速持续高于全球今年月份中国半导体市的同比增速略超，历史新高，且高出全球导体市场增速将近个百分点。

图18国导体市场增速远高亿美元）图19国体消费球比提亿美元）

占比

和其他

同比350300250

1000900800700

200150100500

-5%-10%

6005004003002001000

207226

243241235244254253238248

284305数据来源：SIA

数据来源：SIA而从供给来，中国地区晶圆制造能仅占全球10.8%；种需系显失衡使得中国场成为半导体制造厂的“兵家必争之地图202016全球晶圆制造产能布（千/月，折图212016年半体消费市场分布（值，合成8寸

亿美元），，

，，

647

和其他

，，

995，，105332%

327320数据来源：IC，

2925

数据来源：SEMI，本土供需失使得大陆正成为全球导体制造投资的黄圣地SEMI预～2020年将有62座的圆入营运座厂中，7座发用的晶圆晶厂均是产型厂房区陆年将有26座的圆入营运新增晶圆厂比重高达美增晶圆厂有10座台湾有9座均达陆地区新增晶厂房数量的一半。图22、2017-2020年球增圆中在（座）86420数据来源：SEMI，

武汉(武新芯武汉(武新芯尤其是12寸厂纷纷向国祭出合作旗的策略本土厂商奋起直追。寸圆厂成为全球半体制造的军：根IC计，年前寸(200mm)晶是IC制主流，但2008年12(圆就经取而代之，年寸晶圆占据全球晶产能的比重已达2017年全球投入运的55量产型晶圆厂外，有34座晶圆厂，测年12寸晶圆占据球晶圆产能的比重将加至。寸厂产能持续向国转移：基于中国广的市场，国际半导制造巨头纷纷在中国设。大陆地区12寸圆厂现有产（按设计产能）为/月约占全球12寸圆产的有中自韩国厂商30%来陆本土厂商，10%自美国商，10%来台湾厂商。表2大陆现有晶圆厂产能计厂商中芯国际中芯国际中芯国际华力微

地点北京北京上海上海

设计能（千片/月

生产项目晶圆代工晶圆代工晶圆代工晶圆代工汉新芯英特尔三星海联电

武汉大连西安无锡厦门

NOR/NANDNandNandFlash晶工半导体制造能向大陆转移已成为可逆转的趋势，转的动力一是来国际厂商持续在大设厂二大本厂政府和大基金支持下积投厂。目前在建的12寸圆厂共10条据现有规划，达产后新增能65片/月有产的1.2倍增的寸产能中来自大陆圆厂9%来自台湾晶厂3%美国晶圆厂。表3大陆在建12圆厂产能计厂商地

能

生产项目

投资金额

预计产进中芯国际上

(千/晶代工

亿元

中芯国际深华力微上4

图像传感器辑路

亿元

底长江存储NOR/Nand晋华集成泉6DRAM嵌入式

亿美元亿元

初投，预计/德科玛淮

COS传感芯片

亿元紫光深

Flash+10k

亿美元

工工台积电力晶Globalfoundri

南京合肥重庆

一期：

晶工板动晶圆代工（期：CMOS艺；二期：FD-SOI艺）

亿元亿元亿美元

下半，一期：2018Q4投产；：2019Q4投产大金重资晶圆代工存储，支持本土厂商起国家集成电产业基金简称为大基，于年式成立2015年底首募资规模将近亿，2016承投资项目将近个，承诺投资额将近700。图23、家成电路产业投资基大基金）的成立发展动地方设立基国业》2014年6月

2014年月有

产业有限2014年月

2015年年

近407002016年年为率

1387.2随着国家集电产业基金的投入中国半导体产业进投资密，动密业密型业而是转接的常现根DRAMeXchange统大基金重点投资了集电路制造业，预计大金在集成电路制造环节投资额不低于总规模60%；比次高的是设计端，设端投资占比不低于规模的27%。家投入制端是因为制造是产发展的基石，也是国家实半导体自给率快速提这一目标的必然选。截止2016年年，国家大基金已经资了国内半导体设、制造、封测、设备大领域的龙，分别为紫光集团、芯国际、长电科技中微半导体，投资为亿民币亿港元亿亿民币，总规模折合人币约150亿元。除了持龙头企业外，大基在设计和制造领域扶持了一些特色企如设计端的斗（导航系统芯片纳（打印机片端兰8英寸产线光电（化合物半体产线在所有的投领域中，大基金未来重点推进的有四大域，包括了半导体链中晶圆代的先进制程级和存储国产化两大领域；外还包括了推进半导体发展的两大术手段，一是推进高芯片联盟的“产学用”融合；二是理与国际并购通过资本运作的手段入国外的技术和人，推进产业的发展

图24、基重点投资半导体制节

图25、大基重点关注的四大领重视集成电路制造业推进存储器国产化建立高端芯片联盟理性参与并购

•芯迅速形成规模产力•2/20nm、量，研10nm•局DFlash、DRAMXPOINT、PCRAMRRAM等技术•长存储、福建晋、合肥、深圳存储基地•涵产业链重点企、著名院校和究院所的联盟，现“产学研”融合•是PUFPGA、存MEMORYAD/DA、传感MEMS等品•乏济技术强大的济主体时，理参与国际并购，仅是资本运，更要考虑产能否落地数据来源：eXchange

根据大基金总经理丁文武发言整理，2.2、业转移的根本动力看半导体能成功向大陆转移新兴终端孕着产业转移的根本原，一是技术的变化二是产业链的变化家从晶圆代和存储两个角度发展导体产业，能否成也主要是看能否抓促进产业转移技术变化和产业链变这两大商机。对存而言，主要是要住智能手机带来3D技术升级需求；对晶圆工而言，产业链发了利好大陆半导产业的变化——大广阔的智能手机市场化出了大批的IC设公司，通过IC设孵化薄弱的制造环是未来的发展之重NANDFlash向3D，技术级放缓，提供中国道超车机存储技发展到现在始处于放缓趋势，一面是由于制程的提带来价比下降，另一面是由于Flash发展陷了瓶颈，开始转向3DFlash新技术的研时间较短，大部分的家还处于研发试验段，短期内无法量。存储芯片除要求速度提升，内存大之外还需要关注能的稳定性，制程带来了速度提升，却降低了存储片的稳定性。为了决稳定性的问题同时适应小体积等市场需求DH造术技发展DNANFLASH通增体硅层的办法高位面积存储密度善存储单元性能。3DD不能加容量，也可以将成本在较低水平。整来看NAND比2Xnm级品量密度高，读速度快，耗电量节省

1010图263DNANDFlash技术后明显成本Micron，，技起不中国追赶仍有会3DFlash技先者是三星，在年在西正式投产接存头先后开始在进行技术发止到2016年半依旧只有三星够规模化量产，且在3D品中市占率为61%，遥领先2016年半年，其他厂为了维持竞争优相继加大力度对进投开始逐渐片在3D上一枝独秀但是也仅仅领先业界2年右中厂过加大技术投和研发合作，追赶际主流技术。图27球NAND3DNAND量进度

图2820163DNANDFlash三占体厂

3D

3D量产度

西安厂

161718b2b5b6M12M14IM大连厂

量产量产转移及中动量产量产

美光/英特尔26%东/闪迪海力士

三星61%国内储存阵基良好，技术进展未展明国展阵长江存储旗的武汉新芯基础较好有一定的追赶基础长江存储是国家力发展储存行业中心有10年闪存制造经验纳了经验丰富的国际化理团队和大量的专储备人才时参与全球化竞争的知产权平台备发3DFlash技基础。武汉新芯采技术合作和专利授权可的方式快速切入Flash研发前研发进展较顺利。一方面，武新芯长期和中科院电子研究所通过产

度结合的模，展开Flash的合技术研发；另一方面武新芯和半导体设计公司签订NAND授协合动NAND划2017年底就能取得48层证，2018年量产。目前江存储的层F产已经成功实了工艺器件和电路计的整套技术验证过电学特性等项指标测试预要求已样品提以中国未来3DFlash技赶前景明朗NANDFlash成未来发展体或此赶据DRAMeXchange预年体NANDFlash产NANDFlash产重攀升至，年6%的速有显著增长NANDFlash晚将于年超越整体Flash市场的一半来市场的主体至2020年中国整体Flash需求维持每年40%增长率凭借3DFlash的高增长，路赶超国际巨头，实存储行业的腾飞。大陆IC快崛起，有望带动制造国化IC计是大陆半体速最快的环节，产首次过封测业年IC设计产值为622亿则达到了亿合增长率为27.5%去装业在中国导体产值中占比过半由于设计业增速明高于封测业，大陆体产值逐渐成了“设计—制造—封”两头大中间小结构2016年，大陆封测业产值为亿元，计第一超过了封测业。图29国导体细分行业产值元

图30、中半细分行业增速CSIA，

CSIA大陆IC设产值在球的比重也断高2016首次超过台大IC设产值在全球场的占有率逐步提升2009仅7.1%，2015年。根据CSIA数IC设产值在年首超过台湾IC设业产值年紫光展锐手机芯片出货量超过6亿，全球占率约30%；期联发科出货量为亿颗。海的“麒麟”芯片性能高通“骁龙”相当成为华为高端智能机的差异竞争特点。年的智能电视芯片到万，比增长78%市占率约2016年大陆的海思营收联发科；思和展锐均超过台湾设计二大厂商联咏。

图31国IC计产业在全球比升

图32、2016大设市场按售额占比，

ICInsights，时虽然中国是很的PC制基地，但中国半导体产业没有受益于本土市起湾半体产业占了先机发大智手机时代，大陆同样是强的制造基地，但与时不同，大陆目已经孵化出了大量的IC设公，望制造环节，带晶圆代工的发展。、关于承接产业转移模的选择问题①美创新领式从半导体军时代—家电时代PC时—手机代家时被反超外，美国托创新始终引领着全半导体产业的发展但由于美国制造能较差，创新产进入成熟期后，需要助他国的资本、劳力和市场优势，拓产品市场。美国通过创带来的先发者优势，控着全球半导体产链中附加值最的环节—IC计和半导体高端备，在每个时代都生了全球最顶尖的导体公司：如军工时代德州仪器PC时的英特尔智能手机时代的高。②日吸自主创新模式日的起先源自府的“官产学”推以及美国的持，承接了美军半导体后，看了产业轮动和经济切，民用市场需求不打开，成功地用在战后兴盛起来家用电器承接DRAM产日的成功离不开内生金人才以及外部持、技术引进，消化收前人的积累，开新市场并且自主创这是最强的发崛起模式。在日本陷入济困境时，美国进行坏性创新重回半导霸主行业，过于依吸收美国技并消化的日本，此时成为美国的主要竞对手，自身又无力持续地大规投资。由于产品的单性和技术及成本优的丧失，日本很快半导体衰退。目前日本致力于技创新，力求转型。③韩中式展牌超越战略

韩国模式最著的特点是抓住利基场、集国家力量充发挥竞争力，养核心优势业波动的供需占市场主导地位有表性的便是行业。韩国日本衰退时期，抓住遇，投8晶圆厂并培育出寡头三星、力士等厂商。韩国这种自而下、投资主导的模，由大财团、大企主导，优点在于集量办大事，造出知名品牌。但韩模式的局限也正是此，资本过于集中储器，韩国导体产值80%以来存半导体，非存储型半的国产化率只有左。存市场景气的时候韩国半导体成绩十靓丽。但在存储器不景气时，类半导体行业离不开大的资本实力来渡寒冬。④湾—国，发展晶圆代模式湾模式是基台湾有限的内需市场，发展外型经济为主导。台积华电子为代表的厂，开创晶圆代工模，促进原有的产业分工，深深嵌全球市场，成为美乃至全球半导体产业不可或缺的一个环。本质上而言台湾模式是通过改变有半导体企业经营式，实现产业链利重配，从全球半导体市场中分一杯，并培育出实力不小觑的代工厂、封厂和设计商，成独特竞争力，仅台电一家获取了晶圆工行业的利润。台湾从晶圆代入手通过晶圆厂渐培育相关的产业群化IC计带动下游封测。联发科及联咏正是联电向纯粹代工厂型过程中先后剥出来的设计商，月光和矽品，则成为大的封测厂。图33种展模式对比

DRAM

最产1970-1990代

1990年-

最产1990年-代数据来源：中国最初选了与台湾相似的半导产业发展模式，台模式简单地说是建一个服务模，先启晶工业务包积(TSMC)和华电(UMC)等公司，作航空母舰。与此同时发展与增值服务有的业务，范围覆盖了设计服务、封、设计维修和晶圆级试公司等。然后这母舰再孵化出众多IC设计公司——形“舰队设、制造、封装完整的半导产业链。对中国而言台湾模式是一个很好切入点，因为大陆导体产业的很多情当时的台湾似，如从劳动密集型封装起步，政府推力度强，采用研结合

的模式等。鉴台湾发展模式，目已取得初步成果，圆代工环节大已经培育出了中芯际12和8晶圆厂的产能中际份额都身前十。图34、芯际产能市场份额排全球寸晶圆厂产能排全8寸厂产能排

全球6寸圆产进入前

TSMC*

TI

Hynix

Micro

UMC

Intel*

TI数据，

台湾使用这模式花了15年得芯片的费和生产达到均衡事务部领导的台湾亚米项目是从年始的助湾建立起了英的晶圆设计和制造术，进而推动了台湾导体行业的投资增，台湾半体出口量终于过了总的进口量。图35、逐步成长为全球的半制基地单位：十亿美元

设计制造司台湾创意电子和智原科发展壮大台IC口超过总进口量

日月光代表的台湾IC封装测试公，位列世界第一IC制球金融海啸业模型风靡球

(E)

由台积电化出联发科等众IC计公司

台湾亚微米项目启动，自拥有8寸

全球互联网沫

的晶圆设计制造技术

立交通大学台湾一家导体厂

联华电子积电成立，立，开I货供专I制造服务美R公司技术转移

亚洲金融危机63

19791991199520052009中国学习台模式过代工和封的旗舰联盟一化IC设对中

储芯储芯国这样的大代工角度切入不够的湾用一花了才得芯片的消费生产达到均衡。中国样一个大国，芯片费已经占全球的3上，与台湾土市场狭小有着质的别，依靠“代工”一条腿走路道且长。学习韩国模则可以缓解“大国之挥大国之韩国是通过储切入半导体领域的我们前面分析台湾国走上不同的半导发展之路，是台湾主选择，是因为DRAM

不符台湾竞争势。先是资金投入面，DRAM业讲求技术创新和规经济，韩国可凭借团雄厚的资金实力促产业发展，而以中小业为主的台湾厂商筹资能力方面远不及三星、现代大财团。其次周期产业，需要能撑得因景气循环造成的巨额亏在经过1997年波价盘后经险过大遂渐渐出此市场，宁可选择率、风险皆较低的圆代工作为发展方而中国这样个大国，资金实力雄、政府支持半导体厂建设，不存在台领的争势此D是大陆竞争优的，是另一个实半导体国产化好的切入点。国家大力投存储芯片圆代工存储芯片两条腿走合国和台湾经，这一模式符中国的竞争优势，中半导体产业崛起的度大概率超过年的台湾和韩国。表4国储芯片投资情况企业三星海力士英特尔长江存紫光国长鑫晋华

地点西安无锡大连武汉北京合肥泉州

产能原原60k60k

投资额43亿美元36亿美元55亿美元240美元600元494元亿美元

量产时间2018H220102018H22018H2

项目3DFlash，二期存储器3DFlash3DFlash存储器存储器存储器、总结：半导体产业转深入，国产化良将至半导体制造中国转移，中国半导产业正从劳动密集向资本密集型转变随着电子产新兴终端的兴起先的是美国卡位IC设第次产业转移除外因为产业链尚未形成确分工，设计、制和封测一体化国的生产能力直是弱项，因而催生制造和封测环节向转移的原动力，其家迎来半导产业转移的机遇。半体产业变迁的历史本是这一规律的演。日本从装配家，引入美国半导体术，并整合进家电品中。家电市崛起，抓住这一机的日本半导体产业迅崛起场崛起先益的是英特尔等IC设公，国湾分别抓住了储和晶