电工岗位技术比武题库(电子及电试继保知识选择题)

电工岗位技术比武题库（电子及电试继保知识选择题）选择题1.开关二极管的型号是(Ｃ)系列。(A)2AP(B)2CZ(C)2AK(D)2DW2.P型锗材料稳压管的型号是(Ｂ)系列。(A)2AV(B)2BW(C)2CS(D)2BZ3.一只二极管型号为2AP7，其中P的含义是(Ｄ)。(A)锗材料(B)硅材料(C)稳压管(D)普通管4.硅二极管的死区电压为(Ｃ)。(A)0.1V(B)0.3V(C)0.5V(D)0.7V5.锗二极管的死区电压为(Ａ)。(A)0.1V(B)0.3V(C)0.5V(D)0.7V6.不是二极管主要参数的是(Ａ)。(A)电流放大倍数(B)最大整流电流(C)最高反向工作电压(D)最高工作频率7.二极管工作频率的大小决定于(Ｄ)。(A)正向电阻(B)反向电流(C)工作电压(D)结电容的大小8.测量二极管正反向电阻，应选择万用表的(Ｃ)挡位。(A)Rx1(B)Rx10(C)Rx100或Rx1k(D)Rx10k9.测量时，一般二极管的反向电阻应在(Ｄ)以上为良好。(A)几十欧(B)几百欧(C)几千欧(D)几十千欧10.低频大功率三极管的型号为(Ｂ)系列。(A)3AX(B)3AD或3DD(C)3AG或3DG(D)3AA11.3AG和3DG系列为(Ｃ)晶体管。(A)低频小功率(B)低频大功率(C)高频小功率(D)高频大功率12.普通三极管的电流放大倍数一般在(Ａ)为好。(A)20-100(B)300～500(C)600～900(D)1000以上13.三极管的反向饱和电流Icb0,是指发射极e开路时，(Ｃ)之间的反向电流。(A)e极和b极(B)e极和c极(C)c极和b极(D)b极和o极14.晶体三极管极性判断可依据三极管的(Ｃ)。(A)电流稳定性(B)电压稳定性(C)电流放大特性(D)电压放大特性15.晶体三极管的(Ｃ)无法用万用表测试。(A)电流放大倍数(B)穿透电流Iceo(C)截止频率(D)晶体管的管型16.单向晶闸管内部有(Ｂ)PN结。(A)4个(B)3个(C)2个(D)1个17.可控硅的三个极分别称为(Ｂ)。(A)基极、集电极、发射极(B)阳极、阴极、控制极(C)基极、集电极、控制极(D)阴极、阳极、集电极18.从可控硅外层P型半导体引出的是(Ａ)。(A)阳极a(B)阴极c(C)控制极g(D)基极b19.要使可控硅导通，必须在(Ａ)间加上正向电压，同时加以适当的正向控制极电压。(A)阳极与阴极(B)阳极与控制极(C)阴极与控制极(D)两个控制极20.在规定条件下，维持可控硅导通所必需的最小正向电流称为(Ｃ)电流。(A)触发(B)正向平均(C)维持(D)额定21.用万用表R×1k挡测量可控硅阳极与控制极间电阻时，若其正反向电阻都很小，说明两极之间(Ｄ)。(A)开路(B)接线错误(C)测量方法错误(D)短路22.用万用表测试好的单向可控硅时，阳极与阴极间(Ｃ)。(A)正向电阻小，反向电阻大(B)正向与反向电阻都很小(C)正向与反向电阻都很大(D)正向电阻大，反向电阻小23.用万用表测试好的单向可控硅时，阳极与控制极间的(Ｂ)。(A)正向电阻小，反向电阻大(B)正向和反向电阻都很大(C)正向与反向电阻都很小(D)正向电阻大，反向电阻小24.晶闸管单相半波整流电路电阻负载的最大移相范围是(Ｃ)。(A)360°(B)210°(C)180°(D)120°25.晶闸管单相半波整流电路的输出电压平均值为(Ｄ)。(A)0～2.34U2(B)0～1.41U2(C)0～0.9U2(D)0～0.45U226.可控硅在单相全波整流电路中，在其承受正向电压的时间内，改变(Ｄ)的大小，可以在负载上得到不同数值的直流电压。(A)输入电压(B)输入电流(C)电阻(D)控制角27.单相全波可控整流电路中，可控硅的最大移相范围是(Ｂ)。(A)120°(B)180°(C)270°(D)360°28.只有一只可控硅的单相桥式可控整流电路中，可控硅的最大导通角为(Ａ)。(A)360°(B)270°(C)180°(D)120°29.只有一个可控硅的单相桥式可控整流电路主要适用于(Ａ)负载。(A)小功率(B)大功率(C)低电压、小电流(D)高电压、大电流30.只有一个可控硅的单相桥式可控整流电路中，可控硅承受的最大反向电压为(Ｃ)。(A)U2(B)1.41U2(C)0(D)2.45U231.三相桥式半控整流电路中，可控硅的最大导通角为(Ａ)。(A)120°(B)180°(C)270°(D)360°32.三相桥式半控整流电路中可控硅承受的最大反向电压是(Ｄ)。(A)0(B)1.41U2(C)2.34U2(D)2.45U233.如图所示的电路，已知IL=4A，IC=3A，则I=(Ｂ)(A)7A(B)1A(C)5A(D)10A34.如图所示的晶体三极管工作在(Ａ)。(A)放大区(B)饱和区(C)截止区(D)振荡区35.在求解较复杂的电路时，我们引用参考方向，参考方向(Ｄ)，在电路中用箭头表示。(A)与真实电流方向一致(B)必须为正值(C)必须为负值(D)可以随意选定36.当Uce为定值时，三极管基极电流Ib和发射极电压Ube之间的关系是(Ｂ)。(A)输出特性(B)输入特性(C)饱和特性(D)偏移特性37.当基极电流，b为一定值时，集电极电流与集电极和发射极间电压之间相互关系的曲线为(Ｂ)。(A)输入特性(B)输出特性(C)饱和特性(D)偏移特性38.由晶体三极管组成的三种组态放大电路，其输入阻抗较大的是共(Ｂ)电路。(A)发射极(B)集电极(C)基极(D)阴极39.功率放大器研究的重点是(Ｃ)。(A)电压放大(B)电流放大(C)输出功率(D)频率放大40.用于将矩形波转化为尖脉冲的电路是(Ｄ)电路。(A)LC振荡(B)积分(C)RC振荡(D)微分41.多谐振荡器能够自行产生(Ｃ)。(A)尖脉冲(B)锯齿波(C)方波或矩形波(D)尖脉冲或锯齿波42.运算放大器很少开环使用，其开环放大倍数主要用来说明(Ｄ)。(A)电压放大能力(B)电流放大能力(C)共模抑制能力(D)运算精度43.运算放大器是一种具有高放大倍数并带深度负反馈的(Ａ)放大器。(A)直接耦合(B)间接耦合(C)变压器耦合(D)单边耦合44.在晶闸管整流电路中，若用Um表示实际工作电压的峰值，则晶闸管的额定电压应为(Ｂ)。(A)Ue=Um(B)Ue<(2～3)Um(C)Ue=(5～10)Um(D)Ue≥10Um45.晶闸管阳、阴极间加上正向电压而控制极不加电压，此时晶闸管处于(Ａ)状态。(A)正向阻断(B)反向阻断(C)反向导通(D)正向导通46.晶闸管可控整流电路的共同特点是通过改变控制角来改变导通角θ，以达到改变(Ｂ)的目的。(A)交流输出电压(B)直流输出电压(C)交流输出电流(D)直流输出电流47.可控硅导通以后，流过可控硅的电流，决定于(Ａ)。(A)外电路的负载(B)可控硅的通态平均电流(C)可控硅A～K之间的电压(D)触发电压48.为了提高抗干扰能力，避免误触发，在不触发时，可在控制极上加上(Ａ)电压。(A)负1～2V(B)负3～4V(C)正1～2V(D)正3～4V49.要想使正向导通着的普通晶闸管关断，只要(Ｃ)即可。(A)断开控制极(B)给控制极加反向电压(C)使流过SLR的电流小于维持电流(D)触发电压50.为了使整流电路可控，要求阻容移相触发电路输出信号Usc与主电路电压Uab的相位关系为(Ｂ)。(A)Usc超前Uab(B)Usc滞后Uab(C)Usc与Uab同序(D)Usc与Uab同相位51.双稳态触发脉冲过窄，将会使电路出现(Ｃ)。(A)空翻(B)正常翻转(C)触发而不翻转(D)随机翻转52.阻容移相桥式触发电路流过移相电阻、电容的电流应(Ｃ)最大触发电流。(A)小于(B)等于(C)大于(D)无规定53.KC41C六路双窄脉冲形成器移相最大范围为(Ｃ)。(A)120°(B)140°(C)170°(D)180°54.KC41C六路双窄脉冲形成器输出及允许的负载电流为(Ｄ)。(A)≤500mA(B)≤600mA(C)≤700mA(D)≤800mA55.KCOS移相集成触发电路在移相控制端加入2～8V的可变电压，就可以保证移相范围为(Ａ)。(A)0°～180°(B)0°～150°(C)0°～120°(D)0°～90°56.集成电路中具有记忆功能的是(Ｃ)。(A)与非门电路(B)或非门电路(C)RS触发器(D)K触发器57.译码器属于一种(Ｂ)。(A)记忆性数字电路(B)逻辑组合数字电路(C)运算电路(D)放大电路58.数字电路的特点是(Ｂ)。(A)输入、输出信号都是连续的(B)输入、输出信号都是离散的(C)输入信号连续，输出信号离散(D)输入信号离散，输出信号连续59.如图所示的电路为(Ｂ)电路。(A)与门(B)或门(C)非门(D)或非门60.如图所示的电路为(Ａ)电路。(A)与非门(B)或非门(C)导非门(D)与或非门61.有源逆变时，控制角α(Ｃ)，保证晶闸管大部分时间在电压负半波导通。(A)>30°(B)>60°(C)>90°(D)>120°62.变频器按工作电源的种类可分为(Ａ)两类。(A)交-直-交变频器、交-交变频器(B)直-交-交变频器、交-交变频器(C)交-直-交变频器、直-交变频器(D)交-直变频器、交-交变频器63.在负载谐振式换流电路中采用(Ａ)并联，使负载电路呈电容性，就可组成并联谐振逆变器。(A)补偿电容与负载(B)补偿电容与电阻(C)补偿电容与电感(D)补偿电容与普通电容64.高压绝缘杆的检验周期是(Ｃ)。(A)3个月(B)6个月(C)1年(D)2年65.35kV绝缘杆交流耐压试验标准是(Ｂ)。(A)5倍于线电压(B)3倍于线电压(C)2倍于线电压(D)35kV66.绝缘靴的检验周期为(Ｂ)。(A)3个月(B)6个月(C)1年(D)3年67.绝缘靴的耐压实验持续时间为(Ａ)。(A)1min(B)2min(C)5min(D)10min68.绝缘手套的检验周期为(Ｄ)。(A)1年(B)3年(C)3个月(D)6个月69.绝缘手套的耐压实验持续时间为(Ｄ)。(A)30min(B)10min(C)5min(D)1min70.6kV绝缘棒的试验周期为每(Ｄ)一次。(A)1个月(B)3个月(C)6个月(D)12个月71.长度为0.9m的35kV绝缘棒进行工频耐压试验时，要求的工频耐压值为(Ｂ)。(A)45kV(B)95kV(C)175kV(D)220kV72.35kV以下绝缘夹钳的试验周期为每(Ａ)一次。(A)12个月(B)9个月(C)6个月(D)3个月73.35kV以下绝缘夹钳交流耐压值为(Ｂ)。(A)线电压(B)3倍的线电压(C)相电压(D)3倍的相电压74.绝缘靴的工频耐压试验要求的泄漏电流不大于(Ｄ)。(A)2.5mA(B)5mA(C)9mA(D)10mA75.绝缘手套的试验周期为每(Ｂ)一次。(A)12个月(B)6个月(C)3个月(D)1个月76.高压绝缘手套的交流耐压试验值为(Ａ)。(A)8kV(B)6kV(C)4.5kV(D)2.5kV77.绝缘靴的试验周期为每(Ｃ)一次。(A)1个月(B)3个月(C)6个月(D)12个月78.绝缘靴的交流耐压试验值为(Ｃ)。(A)40kV(B)35kV(C)25kV(D)18kV79.6～10kV验电器的交流耐压试验值为(Ｂ)。(A)60kV(B)40kV(C)30kV(D)15kV80.验电器的试验周期为每(Ｃ)一次。(A)1个月(B)3个月(C)6个月(D)12个月81.对于无分路电阻的FS型避雷器，测量其绝缘电阻的主要目的是检查(Ｂ)。(A)绝缘是否击穿(B)是否因密封不严使内部受潮(C)绝缘是否损坏(D)瓷质部分是否有裂纹82.对于有分路电阻的FZ型避雷器，若并联的分路电阻老化、断裂或接触不良,则绝缘电阻比正常值(Ｃ)。(A)略大(B)略小(C)大得多(D)小得多83.对FS型避雷器在整体大修后或运行(Ｂ)进行一次工频放电电压测量。(A)半年(B)1～3年(C)3～5年(D)5年84.测量阀形避雷器工频放电电压时，三次试验间隔时间应不小于(Ｄ)