霍尔效应的应用实验报告

一、目的：1．霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2．测绘霍尔元件—I线，了解霍尔电势霍尔元件工作HHMH电流Is，磁场应强度B及励磁电流IM之间的关系。3．学习利用霍尔效应测量磁感应强度及磁场分布。4．学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。二、器材：1、实验仪：（1）电磁铁。（2）样品和样品架。（3）Is和I换向开关及V、V切换开关。MHó2、测试仪：（1）两组恒流源。（2）直流数字电压表。三、原理：霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积形成附加的横向电场尔电。H如图15-1所示的半导体试样在方向通以电IZ方向加磁在Y方向即试样A-A/电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示N型试样，霍尔电场Y方向型试样则沿Y方向。即有E)0(N型)E)0型)显然，霍尔电是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场H与洛仑兹evB相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故H（1）H其E为霍尔电场是载流子在电流方向上的平均漂移速度。H设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为，则InevbdSEb

1IIBRSned

（2）

(3)即霍尔电（A／H

电极之间的电压）IB积成正比与试样厚d成

VdH反比例系VdHH

1ne

称为霍尔系数是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。只要测（伏）以及知I（安高斯）（厘米）可按下式计HSH（厘米3／库仑＝H（4）I上式中的8由于磁感应强B电磁单高斯其它各量均采用实用单位而引入。由于产生霍尔效应的同时，伴随多种副效应，以致实测的霍尔电场间电压不等于真实的，因此必需设法消除。根据副效应产生的机理，采用电流和H磁场换向的对称测量法基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。具体的做法是Is和B（即）的大小不变，并在设定电流和磁场的正反方向后，依次测M量由下面四组不同方向的Is和B（即I）时的，V，V，V，M12341）+I

s

+BV

12）+I

s

-BV

23）-I

s

-BV

34）-I

s

+BV

4然后求它们的代数平均值，可得：通过对称测量法求得的VH误差很小。另一方面，射载流子浓度为薄片厚度为d,则电流强度I与u的关系为：I，则可得到VBB

11，，Rnqdnq

IBd称为霍尔系数体现了材料的霍尔效应大小据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。在应用中，(6)常以如下形式出现VBB

IBH

，式中1KH

称为霍尔元件灵敏度，I称为控制电流。可见，若I、K知，只要测出霍尔电压H

BB’

，即可算出磁场B的大小；并且若知载流子类型(n型半导体多数载流子为电子，型半导体多数载流子为空穴),则由V

BB’

的正负可测出磁场方向，反之，若已知磁场方向，则可判断载流子类型。由于霍尔效应建立所需时间很短10-12~10-14s),因此霍尔元件使用交流电或者直流电都可。指示交流电时，得到的霍尔电压也是交变的I和V

BB’

应理解为有效值。

SM四、步骤：SM1、测量霍耳电与工作电I的关系。HS对测试仪进行调零。将测试仪的I调节”和I调节”旋钮均置零位，M待开机数分钟后显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位H器实现调零，即“测V-I曲线。将实验仪的VV”切换开关投侧，测试仪的HH“功能切换”，保I值不变（I=0.6V-I曲线。HMS2、测量霍耳电与工作电I的关系。HM实验仪与测试仪各开关位置同上。保持半导体的电流I不变（取I=V-I曲线。HM3、测V值。将切换开关V”投V侧换”V。在零H磁场下，I=，测。4、确定样品的导电类型。将实验仪三组双刀开关均投向上方，I沿X方向，B沿Z方向。毫伏表测量电压AA=I=0.6A，测V大小及极H性，判断样品导电类型。5、求样R，n，μ值。H六、记：1．测U曲线，保持I=~变，在表格中记录霍尔电压。HI()

()1,

()(mV)U(mV)24,

H

1342．测U曲线，保持Is=；Im=~0.800A不变，在表格中记录霍尔电压。HMIm/A

()U(mV)1,

(mV)3

()4

H

134

HH测得：VVh=七、据处理：1、根据数据表作出曲线图：Uh-Is曲线图0-2-4

012345

-6-8-10-12

Uh-Is曲线图0-2-4

曲线图00.40.81

-6-8-10-12

Uh-Im曲线图得

Uh/mV2、在零磁场下，I=，测V=3、确定样品的导电类型。测出霍耳电V=<0,故样品属N型。H4、求样R，n，μ值。HVdVd(1)HH分别求出表1R平均R，IBIIHHSSMH

6

)

(/)RH

(6.025.965.99)

AT=H

6.02)2

=6.09

）

1（2n|e6.09I（3=22.06(/)US

1.03

21

(AT/))H

22.060.13(T

)八、习思考题1、霍耳元件为什么要用半导体材料，而且要求做得很薄？霍尔电压是如何产生的？答：半导体材料的迁移率高，电阻，是制造霍耳器件较理想的材料。2、工作电流和磁场为什么要换向？实际操作时如何实现？答：为了把产生霍耳效应的时候所伴随的副效应的影响从测量的结果中消除。实际操作时通过切换实验仪三组双刀开关改变电流和磁场的方向。3、回I分别表示什么含义II的作用分别是什么？MH答I表示样品工作电流；I表示励磁电流表示存在磁场时的霍耳电MH压表示在零磁场下的霍耳电压。I的作用是改变电流大小和方向，I的作M用是改变磁场的大小及方向。4、霍耳效应有哪些应用？答：在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器。九、操作后考题：1、如何精确测量霍耳电压？本实验采用什么方法消除各种附加电压？答：设法消除产生霍尔效应时伴随的多种副效应。本实验采用电流和磁场换向的所谓对称测量法。2、磁场不恰好与霍耳片的法线一致，对测量结果有何影响？答：磁场不与霍尔片垂直，只有其法向分量能起作用，即霍尔片产生的霍尔电压会减小。3、能否用霍耳元件片测量交变磁场？若能，怎样测量？答：能。4、如何根I，B的方向所测样品为N型半导体还是P型半导体？H答：先设IB的参考正方向：例如设I从左向右为正垂直纸面H向内为正，正电荷向上偏转，V从下向上为正。然后将测量仪器按参考正方向H连接。电流表要左边接红表笔，右边接黑表笔，电压表要下表面接红表笔，上表面接黑表笔。然后将I，B调为正，观察电压表的正负。根据如果电压表为负数灵敏子导电型半导体果电压表为正数，空穴导电，P型半导体。5、

请根据欧姆定律推导

ILs（电导US

为电阻数答R

ULULLRI,