模拟电子技术复习试题及答案解析

7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。电流负反馈使输出成一个结，这是制造半导体器件的基础。7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。电流负反馈使输出成一个结，这是制造半导体器件的基础。避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。当三极管的静态工作点过分靠近区性，和型两大类。6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。电流，而电感滤波适用于电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。用。半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子同时，尽量保留其中的成分。一、填空题：(要求)是半导体，例如一、填空题：(要求)是半导体，例如和等。13集成运算放大器在()状态和()条件下，得出两个重要结论他们是：()和 单相桥式整流电路)中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=()V若;负载电阻RL=100Ω整,流二极管电流Id(av)=()A。二、选择题：1、PN结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。值得拥有降为0.7V。Uo图。V是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。值得拥有EQ\*jc3\*"Font:Arial"\*hps27\o\ad(\s\up15(),)A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真A.可能使失真消失C.可能出现波形两头都削平的失真。值得拥有路？路？A.共射电路B.共基电路C.共集电路2倍0.5倍4倍A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]_______的_方法来解决。_______的_方法来解决。年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题) (答案)值得拥有D不会产生线性失真22D不会产生线性失真22某电路有用信号频率为2KHz，可选用()24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是()C产生非线性失真C放大状态D线形工作状态A低通滤波器B高通滤波器A不用输出变压器B不用输出端大电容电路的输出电阻为： (答案与提示)B有可能产生幅度失真和相位失真 (答案与提示)B有可能产生幅度失真和相位失真A开环或正反馈状态B深度负反馈状态A开环或正反馈状态B深度负反馈状态CD无交越失真三、计算题CD无交越失真三、计算题 (1)Rb＝50kΩ时，uO＝？ (2)若T临界饱和，则Rb≈？值得拥有于多少时晶体管饱和？5、电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb'=100Ω。 (2)设Us＝10mV(有效值)，问Ui＝？Uo＝？若值得拥有66、电路如图下所示 (1)求出Q点 (2)分别求出 (3)求出Ro。共集电极电路，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。；RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的A&u和Ri；7、电路如图P2.13所示，晶体管的bb'bb'化？化 (1)求电路的Q点、A&u、Ri和Ro； (2)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变图图8、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。值得拥有RR＋UR3RuuOR21I解：利用虚断及虚短和叠加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的关系表达式。f_V_VV+_A210、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、(b)所示各电路的电压传输特性。RR＋uR3URuOR21I(a)同相滞回比较器(b)反相滞回比较器值得拥有((a)电路11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb'=100Ω，UBEQ12、判断图(a)所示电路的反馈类型，并估算图(a所)示负反馈放大器的闭环电压增益＋＋URb22＋V1RUoUi－e2－C＋2CVb21eR′CCCCRRRRRRefF21＋Uf－RfR＋Uo－((b)反馈网络值得拥有114:判断如图电路的反馈类型1616、倍压整流电路如图所示，求输出电压VL2的值。。值得拥有uu10.2k+v18+v1843_0Rf1+vo_R1_9696+v20+v20207_k07_5.1k.9k00RFR1--A--A+ou+i值得拥有、放大电路有哪三种基本分析方法？举例说明。为结型型和绝缘栅型两大类。6、在本征半导体中加入5价元素可形成N型半导体，加入3价元素可形成P型半导体。7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。、放大电路有哪三种基本分析方法？举例说明。为结型型和绝缘栅型两大类。6、在本征半导体中加入5价元素可形成N型半导体，加入3价元素可形成P型半导体。7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。但各项动态技术指标。9电、压负反馈使输出电压保持稳定因，而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保联负反馈则减小了输P行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作掺有少在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变号进点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。场效应管分流串联式和电流并联式。10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路串联联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路 四、问答题四、问答题复习题答案说明：将鼠标放在答案两字位置即有显示复习题答案说明：将鼠标放在答案两字位置即有显示真值得拥有电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低脉动成分。电流。在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低脉动成分。 (答案))状态和()条件下，得出两个重要结论他们是：()和滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。电容滤波适用于小负载电流，而电感滤波适用于大负载Av1是()放大器，Av2是()放大器，Av3是()放大器。()极管电流Id(av)=()A。 (答案)二、选择题：1、PN结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。 (答案与提示) (答案与提示)降为0.7V。 (答案与提示)图。值得拥有 (答案与提示)V (答案与提示) (答案)是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 (答案与提示)值得拥有 2V得信号电压幅度，在选 (答案)A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 (答案与提示) (答案与提示)A.可能使失真消失 (答案与提示)C.可能出现波形两头都削平的失真。路？路？值得拥有大的电流，应在这个信号源后面接入A.共射电路B.共基电路C.共集电路 (答案与提示)CCe使β由50改为A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍 (答案与提示)A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] (答案与提示)_______的_方法来解决。_______的_方法来解决。 (答案) (答案)年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)值得拥有VVB有可能产生幅度失真和相位失真D不会产生线性失真(答案)22某电路有用信号频率为2KHz，可选用()C输出电阻大D输出电阻小 (答案)三、计算题 (答案与提示)电路的输出电阻为：A低通滤波器B高通滤波器A有可能产生相位失真C产生非线性失真CD无交越失真A输入电阻大B输入电阻小C放大状态D线形工作状态 (答案)21.在考虑放大电路的21.在考虑放大电路的频率失真时。若Ui为正弦波，则Uo()C带通滤波器D带阻滤波器A开环或正反馈状态B深度负反馈状态(答23A开环或正反馈状态B深度负反馈状态A不用输出变压器B不用输出端大电容A不用输出变压器B不用输出端大电容A电流串联负反馈B电压并联负反馈C电流并联负反馈D电压串联负反馈2(6值得拥有 (1)Rb＝50kΩ时，uO＝？ (2)若T临界饱和，则Rb≈？解：(1)Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为I=VBBUBE=26μABRbI=I=2.6mACBV CSR5cI临界饱和基极电流：I=CS=29.4ABSR=BBBE=44.2R=BBBE=44.2kbI0.0294值得拥有 (2)当VBB＝1V时，因为VUI=BBBEQ=60μABQRbI=I=3mACQBQu=VIR=9V (3)当VBB＝3V时，因为VU (3)当VBB＝3V时，因为VUI=BBBEQ=160μABQRbI=I=8mACQBQu=VIR＜U所以T处于饱状。CQCBE4、电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则.CCBE=CC.CCBE=CCBERRR=RbC所以，b=100时，管子饱和。C5、电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb'=100Ω。 值得拥有 解：(1)Q点：VUI=beI=I必1.86mAU必VI(R+R)=4.56VCEQCCEQcebebb'IibbeurR=R=3k (2)设 (2)设Us＝10mV(有效值)，则RiR+Rssioui若C3开路，则值得拥有R=R∥[r+(1+)R]必51.3kibbeeuReiR+Rssioui (1)求出Q点； (2)分别求出R (1)求出Q点； (2)分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的A&u和Ri； (3)求出Ro。解：(1)求解 (2)求解输RL＝∞时RL＝3kΩ时VUI=CCBEQ必32.3μAbeBQR+(1+beI=(1+)I必2.61mAEQBQ入电阻和电压放大倍入电阻和电压放大倍数：ibbeeur+(1+)RbeeibbeeLur+(1+)(R∥R)beeL (3)求解输出电阻：R=R∥sboe1+值得拥有7、电路如图P2.13所示，晶体管的bb'bb'化？化 (1)求电路的Q点、A&u、Ri和Ro； (2)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变图图解：(1)静态分析：RBQR+RCCb1b2UUI=BQBEQ必1mAEQR+RfeIU必VI(R+R+R)=5.7VCEQCCEQcferrmV.73kbebb'Iur+(1+)RbefR=R∥R∥[r+(1+)R]必3.7kib1b2befR=R=5koc 8、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出输e入的表达式。值得拥有解：利用虚断及虚短和叠加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的关系表达式。f_V_VV+_A2解：416020V=V=V；V=V+V+5i2180i1180O1又因为虚短，则：V=V+36所以：V=V8VO15i2i1365i2i1(a)、((a)、(b)所示各电路的电压传输特性。RRR1＋1＋uURRRI＋uURRRIu22uOO＋u22uOOuUuIRR3R3IRR3(b)反相滞回比较器((b)反相滞回比较器值得拥有uuOOUUO21OuuIIuuOOUUO21OuuIIORu=R2u+R3uR+ROR+R12323当uI值就是阈值,即33_R2UTH1(R)R3R_2UROHTH2(R)R3UU2U(a)同相滞回比较器(b)反相滞回比较器11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，rbb'=100Ω，UBEQ解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：值得拥有 RU+I.W+2IR=VBEQEQ2EQeEEEQRW＋2R2eAd和Ri分析如下：bebb'IRA=c必97be212、判断图(a)所示电路的反馈类型，并估算图(a所)示负反馈放大器的闭环电压增益12、判断图(a)所示电路的反馈类型，并估算图(a所)示负反馈放大器的闭环电压增益ibeW＋＋URb22＋V1RUoUi－e2－C＋2CVb21eR′CCCCRRRRRRefF21＋Uf－RfR＋Uo－(a)电路(b)反馈网络解由于是串联电压负反馈,故Ui≈Uf。由图(b可)知,输出电压Uo经Rf和Re1分压后反馈至输入回路,即Uf必UoUUR+RRA=o必o=e1f=1+fufUURR11fe1值得拥有使流过反馈电阻的电流使流过反馈电阻的电流If增加，消减了T1的基极电流，所以为负反馈。 (2)从采样端，Vo端接，由于T2发射极电流存在，所以仍有反馈量影响输入信号，所以构成了电流源，作为T1管发射极的有源负载。14:判断如图电路的反馈类型答：输入信号加在T1管基极，输出信号取自T1管发射极，因此构成了电流源，作为T1管发射极的有源负载。14:判断如图电路的反馈类型解：(1)利用瞬时极性法判断反馈极性解：(1)利用瞬时极性法判断反馈极性Vi(Vb1)⊕→Vc1(-)→Vc2⊕→Ve1⊕结论：电压串联负反馈。解：(1)判断反馈极性Vb1⊕→Vc1(-)→Ve2(-)为电流负反馈。值得拥有结论：电流并联负反馈。 (3)从比较端，由于反馈信号是以电流并联形式影响输入信号，所以为并联负反馈结论：电流并联负反馈。16、倍压整流电路如图所示，求输出电压VL2的值。为3V2。为解：(1)当开关K置A，在输入回路IB×Rb+VBE=Vcc，可得IB=Vcc/Rb=0.3mA (2)当开关K置B，同样的方法可判断三级管工作在放大区，IC=β×IB=1.92mA (3)当开关K置C，三级管工作在截止状态，IC=0H数幅频特性曲线图。18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为Aum=-1000H数幅频特性曲线图。请画出该放大电路的对答案：20lgA•/dB7值得拥有+v1_+v2_的交越失真等都+v1_+v2_的交越失真等都是非线性失真。消除的办法是合理设置静态工作点和输入信号范围，保证晶体管工作在线触电位差(即欧姆接触)，所以二者相互抵消。 (U)不是直线。所以只要直流基础(电路的静态工作点Q)不同，则其直流电阻也不同，其交流电阻随 19、在图5所示运算放大电路中，已知v1=10mV，v2=30mV，推导输入输出表达式，并vo?110.2k430Rf1+voR1U252k5.1k.9k00009867_RRR341问答题：在交直共存的电路中(如放大电路)既有直流基础又有交流工作状态对于非线性器件来说，伏安特性I=f在交直共存的电路中(如放大电路)既有直流基础又有交流工作状态对于非线性器件来说，伏安特性I=fQ不同也发生变化。三极管模型中等效电阻rbe是交流电阻，注意不能用来进行电路的静态工作点计算。Q不同也发生变化。三极管模型中等效电阻rbe是交流电阻，注意不能用来进行电路的静态工作点计算。值得拥有中电抗器件(如耦合电容、旁路电容、极间电容等)，各电路的输出与输入间就会存在附加相移，若附加现并满足电压叠加的关系)和并联反馈三个信号以电流形式出现并满足电流叠加的关系)。在输出端根据电容量很大(所谓大电容)，而Vi中电抗器件(如耦合电容、旁路电容、极间电容等)，各电路的输出与输入间就会存在附加相移，若附加现并满足电压叠加的关系)和并联反馈三个信号以电流形式出现并满足电流叠加的关系)。在输出端根据电容量很大(所谓大电容)，而Vi幅值很小，因此可认为在输入信号Vi变化的一周期内，电容C1两端的的。消除的办法是合理选取电路的通频带，保证电路的输入信号频率范围处于电路的通频带中。相移达到180度或更大，则原来设计的负反馈电路就成为正反馈电路，即反馈极性发生变化。采样信号的取法，分为电压反馈(反馈信号与输出电压成正比，并稳定输出电压)和电流反馈(反馈信号来分析。在输入端根据输入信号、净输入信号及反馈信号的关系，分为串联反馈(三个信号以电压形式出 线性失真也叫频率失真，是由于电路中存在的电抗器件(如耦合电容、旁路电容、极间电容等)所引起性区线性失真也叫频率失真，是由于电路中存在的电抗器件(如耦合电容、旁路电容、极间电容等)所引起A：答：不正A：答：不正确。因为对反馈放大电路的类型应分别从电路的输入端(也叫比较端)及输出端(也叫采样端)与输出电流成正比，并稳定输出电流)。与输出电流成正比，并稳定输出电流)。产生自激振荡。产生自激振荡。在稳压区中，没有R不仅很容易烧坏管子且稳压效果极差，所以，稳压管稳压电路中必须有限流电阻R。在稳压区中，没有R不仅很容易烧坏管子且稳压效果极差，所以，稳压管稳压电路中必须有限流电阻R。析方法。析方法。值得拥有值得拥有PNPN进点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和PNPN进点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失3、真半导。体二极管就是利用一个PN结加上”，，与出两个电极；制成的。它的．–特点是，有：。：很大，管子两；的电：–：。很”，利用这种特性可以。成。：管。为结型型和–，；型两大擊。6、在本征半导体中加入5”元素可形成N型半导体，加入3”元素可形成P型半导体。使放大軒数–。Av1是()放大器，Av2是()放大器，Av3是()放大器。13，成；軒放大器在()；态和()艱件；，恥出两个重–结。他。是：()和–的电：–」Av=();电流。在．；工作中》》；二者结合起；，以–进一；–：–；成分。‘–；,入电。。在．；的，；馱放大电。中，有以；，种基本的；馱.态：电：。–、、电：；–、、电极管电流Id(av)=()A。性，在电。中可以起.流和–：等作用。半导体二极管工作在；。；；区时，。使流过管子的电流–4、；．应管利用；馱：畝电：的电；．应；擊制馱极电流，是一种电：擊制器件。；．应管分5、多极放大电。》用的。合；、有三种：。容。合、；擊。合和–：器。合。P结，这是制造半导体器件的基础。行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。当三极管的静态工作 是半导体，例如硅；。：。，；–大了输出电。。。–，；馱–大了放大电。的输入电。；；–，；馱。。”了输；。：。，；–大了输出电。。。–，；馱–大了放大电。的输入电。；；–，；馱。。”了输，一个RC–。电。；––在一起，可以.成；。；：器。，一个RC–。电。；––在一起，可以.成；。；：器。()14：。；、.流电。中，–输入电：14：。；、.流电。中，–输入电：V2=30,。输出电：Vo=()V–;，载电。RL=100。.,流二‘–；,二、：––：1、PN结”加_。电：时，；畝电流_______鄭。电流，–––_______。‘–；，：；,值得拥有 (答案与提示)降为0.7V。 (答案与提示)Uo图。 (答案与提示)V值得拥有 (答案与提示) (答案)是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。 (答案与提示)择静态工作点时，就应保证|ICQ|≥_______，|VCEQ|择静态工作点时，就应保证|ICQ|≥_______，|VCEQ|≥_______。 (答案)A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 (答案与提示)值得拥有 (答案与提示)削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小RL的值，将出现什么现象？A.可能使失真消失 (答案与提示)C.可能出现波形两头都削平的失真。路？路？A.共射电路B.共基电路C.共集电路 (答案与提示)CCe使β由50改为值得拥有电路的输出电阻为：C产生非线性失真B有可能产生幅度失真和相位失真A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍 (答案与提示)A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)] (答案与提示)_______的_方法来解决。_______的_方法来解决。 (答案) (答案)年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题)年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题) (答案) (答案与提示)A有可能产生相位失真 (答案与提示)A有可能产生相位失真值得拥有C效率高D无交越失真C效率高D无交越失真C输出电阻大D输出电阻小 (答案)三、计算题C放大状态D线形工作状态A不用输出变压器B不用输出端大电容A低通滤波器B高通滤波器23工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在()A开环或正反馈状态B深度负反馈状态A输入电阻大B输入电阻小(答案)(答案)C带通滤波器D(答案)24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是()A电流串联负反馈B电压并联负反馈C电流并联负反馈D电压串联负反馈行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的()2(6行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的() (1)Rb＝50kΩ时，uO＝？ (2)若T临界饱和，则Rb≈？值得拥有VUVUI=BBBEQ=60μABQRbI=I=3mACQBQu=VIR=9VOCCCQC所以T处于放大状态。 (3)当VBB＝3V时，因为 (2)当VBB＝1V时，因为解：(1)Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为I=VBBUBE=26μABRbI=I=2.6mACBV CSR5cI临界饱和基极电流：I=CS=29.4ABSR=BBBE=44.2R=BBBE=44.2kbI0.0294VUI=BBBEQ=160μABQRbI=I=8mACQBQu=VIR＜U所以T处于饱和状态。所以T处于饱和状态。时晶体管饱和？VUVU.CCBE=VUVURRbRRbCbC所以，b=100时，管子饱和。C5、电路如下图所示，晶体管的＝60，rbb'=100Ω。 (2)设Us＝10mV(有效值)，问Ui＝？Uo＝？若解：(1)Q点：VUI=beI=I必1.86mAU必VI(R+R)=4.56VCEQCCEQce值得拥有bebb'IibbeurR=R=3k (2)设 (2)设Us＝10mV(有效值)，则RiR+Rssioui若C3开路，则R=R∥[r+(1+)R]必51.3kibbeeuReiR+Rssioui (1)求出Q点； (2)分别求出R (1)求出Q点； (2)分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的A&u和Ri； (3)求出Ro。解：(1)求解Q点：值得拥有VUIbeI=(1+)I2.61mAEQBQ (2)求解输入电 (2)求解输入电阻和电压放大倍数：RL＝∞时U=VIR7.17VR=R∥[r+(1+)R]110kibbeeA(1+)Re0.996ur+(1+)RbeeRL＝3kΩ时RRrRR6kibbeeLA(1+)(Re∥RL)0.992ur+(1+)(R∥R)beeL 7、电路如图P2.13所示，晶体管的＝100，rbb'=100Ω。 (1)求电路的Q点、A&u、Ri和Ro；化？(2)若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变图图解：(1)静态分析：值得拥有RBQR+RCCb1b2UUI=BQBEQ必1mAEQR+RfeII=EQ必10μABQ1+U必VI(R+R+R)=5.7VCEQCCEQcferrmV.73kbebb'Iur+(1+)RbefR=R∥R∥[r+(1+)R]必3.7kib1b2befR=R=5koc 8、电路如下图所示，判断反馈8、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。解：利用虚断及虚短和叠加定理RRR (a)U=u+fu=0;u=fRRRR+Ro1R+RIo1RIff(b)uo=uI(b)uo=uI;u=fuR+R2o2RIfVo入Vi1、Vi2的关系表达式。f值得拥有RR＋UR3RuuOR21I _+V+_A2VO解：5i2180i1180O1O15i2i110、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、(10、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、(b)所示各电路的电压传输特性。RR＋uR3URuOR21I(a)同相滞回比较器(b)反相滞回比较器RuR2uR3uRROR