微电子工艺习题总结

第章．ｉa？Whaasubstａte？Ｗｔｄ片,什答硅是由晶切的片芯也为管（数复芯或成路);硅圆片通称衬Ｌiｓttheｔｒａjoｒｒｅｎdｓｔwithｖｅｅｉmicrochipfaｔｔｅｎology,ａｇashｏtｄｅscriｐtiｏｏeachtｒｅnd.趋要描答提芯性：件得小在片放得紧密芯的度就提.提芯可性:芯片可性力趋芯寿的能能。提器的靠性不断分制工。降芯成:导微片价一持下。Ｗhatｉｈipｌｄｍension(CＤ？Ｗｈiｓtｈｄｓｉoｎipｏ答芯的键寸Ｃ是指片的小征寸因我将CD作为义造杂水的标,也就如你有硅某CD的力那就加其所特尺,于这尺更，此容产。Dｅｓｃriｂscaｌｉngitｉｐｒaichｉｐｄesiｇn。答按例小芯上器尺寸应小按例行重性为优学能多尺必同减小按例小。ｓlaａｔdoesｉｅｔ？答摩定当格变,成电上容的体数月每18个月便增１,性也提１。预在块片的体数约隔年一。第章６Whatｉtheｇａlliumarsｅｉoversilicｏ？答优:有硅高电迁移;小生容信损的性;成路速比硅路快材的阻更.Ｗhatiｓpriｍｒydiｓａdvantａgeｏｆgalｌmａrsｅneｏｖerｓilｉcon?答主缺:乏然化；料脆；成比高０；剧性设备工和废清设中别制

第章．Whaｔｔivｅｏｎtwoexamplesｏfthiｓ

typｅofｃｏｅｔ．答有器：不要加源条下就可显其性电元。例：阻电。。ａtａresomeｎotｅｈaｒactersticsｏfｏteｃhnologｙWｈａｉｓｂiggstｂacktoｉpoａtｅｏloｇy?答显特：速耐性功控能。最缺：耗。10ａrethebenｆioffildｅcttrｔＦET)?答低压低耗１．WataretwｏｉcofFＥisｒdifferencebeｔweenｔhm?FET,答类：型J和金—化型ＭＳFET)导。区:MOSFET作场应晶输端栅由层薄质晶管其两绝缘JＥT的极实上晶管他极成理ｐn结２．WhatareｈtｗcａteｅsｆMOSFETs?HowareｈｅyｓｕiｓhａbleａｎothｅＴ答类:nMOS沟）ｐＯＳ(p沟道)区方：有自件多载来别13twＩＣtechnologieｓareｉＢＣ答采了MOＳ和极术１４。Whaｕldｉgital（Ｄ/A)conｖｅcｈipｅusｅdfｏｒＷhatcoudａｎａｄigitａl(A／ｉｐuｓedｆoｒ模答数模化芯可来供用电机设的制拟动号模数换芯可来量拟动号输出

15.Epｌainｅdifｅrenｃｅｂtweenaｎeｈancement—modeｔraniｒｍodeａnsitowithｇarｄoｔｅirｄｙcｏndition。答增强型体很地作数陆应中,需要极输信控场应体管耗型已存的合道分启第章16。Whyisｉnecｅssａrytoｈaｅmoｎocrystalｓiliｃonfoｒwaｒａbｒicaｔｉｏｎ？答半导体芯片工要净单硅构,这是因单重的晶构够供作工艺器特所要电和械质糟的体构缺导致缺的成１7．Whiｃｃrystaｌorieｔａtionmost

ｃommonＭOS?ｉｍｍmonfｒｂi？MOS答：(100)的片

双型(1１１)面硅１８。ｅｃｇroth.ＷhatiｓtheCZmethodｆcrytalｒowh?答晶生:把导级的晶块换成块的晶。Ｚ单生法是化的导级液变有确向并被杂型或型固硅。19.Lｉｓtsevenｗｆerqualityｒｔｆoｓlicon。答物尺;整；粗度氧量晶体陷颗;电率20Wｈｎｔaxiallaｙer,andwｈyiｓｉｔuｅdwafｅｓ？,为答在种况需硅有常的衬底相晶结的表还保对质类和度控，要过硅面积个延来到原是延在化结击电的时低集极阻,适的流度提了件度外在集成路变重要来因随器尺不缩它将锁应到低外层常没玷的第章21htiseryusdina

答等子一种性高能,离子的气,包中原或子，带电子自电。RF能量使可产一高效等子。第章、hesiinesiaferandgshripionr6答扩：散一认是行温艺薄沉的域光:使用黄莹管明得刻与片中的他个明不。刻：在片没光胶护地留永的形离注：用电和场控并速子薄生：要责产个骤中介层金层沉积抛:为了硅表面坦是过硅表突的分薄下部的度现23tfythethreeprioaeashtroatedwaferscanbefo答:光刻区刻区离注区24ｉtftetchces?Nosdin答:目的：片没光胶护地留永的形常设:等离子蚀,等离体去机湿清设。

theco25Whａresonsforteteannelcsftrti答:可裸的片面长层的挡化层高温得质硅移;可注引的伤到复使质子硅子的价被活使杂质子为格构的部。ioTWhapdtpleST,答:浅槽隔是衬制的晶管源之隔区一可工。取了域化艺第章27thedifcebetwgronaited答:在升温境，过部给纯气之硅底应，以硅上到层生

长氧层沉的化可通外供氧和源使们在体反，而硅表形一薄。28Deefieldoxider,andstatitrangeof答场化：制属的荷积厚化范：０～12000*１0＾—10（A上面个)间Wgateoxidealy答:因为栅与下有质和定的点栅氧般过生获。0applicatiosforinfabricatdaefoapplicat答金层绝阻层用做金连间保层注屏氧层用减注够和伤势化：氧硅冲以小力掺阻层:作掺或入质硅中掩材料阻氧层保有器和免后工的响栅化:用做MOS晶管和漏间的质31Ｉfoxilyerygroritobe2Athi,hwinii答:９20(每长000A的氧物就４60Ａ的被耗32.Lisfrtyegesi02/i02种氧化答:正的电。的荷界陷电。移氧物荷33Givetwoadvantｕnateddurigox答:优点:可中界处电堆;能使氧速提１%到。34Whaｔｅｆｔｏｐiｎgａveｏnｏｉｇrowｔｈ？答重杂硅比掺的化率。35Eｘｐlaiｎtheeffectｆｍcrｙｔａｔioｎonoxiｄｇｏｗ答线氧物率赖晶的因是１11)的原密比(０0）面的大.此在线阶,硅单的化率将(10０)稍,是111)的电堆更.

６、ｓｓｆfectonoxidｅｇrｗth?答生速随压增而大高强使原更地越正生的化，对性抛线率数增很要.７、Ｗhatａｒethefiｅｃｏｍｏｓｉnｅrticalｃｓｔ？答工腔硅传系，体配统尾系,腔系38ｈａtａrapiｄｌpｃｏＰ？ｔａreｓｉxｄｖｎｔｇｅitｓoverconvetifurnacｅ？其6答快热理在常的间内将个片热400~1３00摄氏范内一方法优：小预.中质动小减玷污这功冷壁热由较的体体,以到洁气。短加时。大梯度３8Desｃribehowａaｗｆ。

IsanＴＰａlｌyｗａｌｌｏrcolｄｌlｈｉngRTＰ如答是壁统第一39Listｄｒiｂｅhrestagesｏfthinfiｌｗ。答第一步是晶形：束稳小核成这一步生起少原或子应结起，成着硅表的离小层时候晶直接成硅表，薄进步长基;第二步聚成,称岛长这随方的束照面迁移和密来长岛不生直第步形连的,这些岛汇聚并成固的层延铺衬表。40Lｔfiｖeｍajortechniquｅforｉｉｎ。答化气淀（cvd电镀

物气淀(ｐvd或溅）

蒸

旋方１、ExplainAPCVD。WhatiｓtheｐrincipalｄisaｄvanagewｈＡPCVD，usｇsilaｎａasouce?CVD,使答常压化学气淀；统这膜常为间质IＬD)，保护盖或表面坦；是用烷为应

42WhaCDtｏoliｓｕsedtoｄepｏｓitthepolｙsiiｃｏｇｔeｉＬｉstsixｒeasｏnｓhyｐolyｓｉliｓａgateｅｌｃtrode具答采用Ｌ工具1。通掺可到定电阻２.二化硅良界特;3和续温艺兼性;4.比属极高可性5。陡的构淀积均性6实栅自准艺43SｔatｅsixadvａｔｇｔoｉｓｉｇCＶCVD答１.更的艺度（４50℃）;2对的宽间有的充力用高度等子)３.淀的对硅有良粘能;。的积率；。少针和洞因有的密;。艺度因应广。44ｗhatHＤPCVDｉs.ａreinａnced？ＨIＣ中答高度离体学相积ＣV在I中优是良的间能，并以在０0-4０0℃低淀温下,制备能填高宽间的.４5、DｉｂｔeffectａfrｂiａsinghasonＰＣＤｄｃtionalｉP答使DPCVＤ能淀得的可填深比3:到甚至高间46ExplaｉnsiultaneusｄｐsｉtionandeforHDPCＶ。Watistｈvａlueforｉｃｄep-etcｈrａtio?HDPCVD答它采材填高宽的隙且空形的础３:147ａｔareＣＯanSTI（写中英文全称WhyrｅｐｌａcedＬOCOSforｄｅICｓ?ListthprocesingsｔforＴI。是O,为什中TILOCOS,列STI答LOＣOＳ:的部化离looｘidationsiｌｉcon：槽离shａllｏwtrｅncｈｓolａtiｏ原:1.有的件隔的要尤是Ｍ器而对晶管离言,面显减。超强闩保能。对沟没侵。与ＭP的容步:挡和性化第三48Desｃrｉｂｅｈｅdｆｎａｒｃａｐｍask

答投掩版包了在片重生的形这图可能包一管,可能几光膜通称掩版包了于个片说定工层所的整芯列.49ｐlainｔhediｆfｅｒbetweennｉａｉｖlithogｒｐhy.答负光把膜上形反图复到片,性刻与膜上同图形制硅上主区是用刻的类同50Ｄｅｃｒｉeｅｍskａndａｄｋ-fildｍｓk答如果一个掩版,其石英上部被覆，就的暗场膜。场膜有大积透的英而有细的图。51Ｌistthｅｅｉｓｔ

ｏfphotoｌiｔｏgraph,

ａ

ｇivｅshoｒtｅｘｌanａｔesep.的8答１相底：一是洗脱和片面底处2旋涂:成底后硅要即用转膜方涂液光胶料3软烘光刻胶涂硅表后,必要过烘除刻中溶对准曝：掩版涂胶硅上正位置对。曝光烘:于紫（duｖ）刻胶100到110的板进行光烘是要。显:刻上可解域化学影溶，可的或窗图留在片面7坚烘:影的烘的就坚烘提光胶硅表的附性８影检：旦刻在片形图,要进检以定刻图的量52Giｖeｔｗｏｓaphoｔｏｔinａfｅｆｂriｃatｉon.答1.将膜图转移硅表顶的刻中2在续艺保护面材。53Lｓtａddesrｉｂｅｅtwotyｏfｏrｅｔ。答负光胶正光胶负光胶负相掩图形在刻上正掩图形现光胶54Ｗｈatiｔｈｅrｓolutｉtofｖｈichresistiｓｕsedfoｂmicｒｏｎlｉtｒｐh?答由显时变和胀负光胶常有2μm的分辨。正光胶５５。Lｔaｎｓribeｔefourｃmoneｎｔａｉ－linｅｉｔ。述I答１.树。光胶脂一惰的合基质用把刻中不同料在起粘剂。光剂是刻材中光成，对形的射会发反3.剂使刻保液状，到被在片底4添剂是用学品用控和

改光胶料特化性或刻材的响特56aretwoｄisadvantagｅofａｇｔｅphotｏresisｔ负的大点什。答在影曝区由剂起泡胀曝时刻可与气应而制交57Waｅreｓiｓｔtｈicｓｓvaｒy答粘越转越,刻就厚58ｔfourreaｓonfrsoftｋe.的4答将硅上盖的刻溶去；．强刻的附以在影时刻可以好粘;．和旋过中刻胶内生应力防光胶在备第四59Ｄｅscribeｅｒｔioｎsｈｗeeｎ

lｉgｔｅxposureｖelｅｔｉｍｅｓoｌｕtioｎ.答较的长以得刻上小寸分辨60ListdｅｉｅthetwoUVexｐosuresourｃｅoptiｃllithogra．答汞和分激61Whａtｐｅｎｓtｒesisｔ

ｅwiftｃｉresistliｇｈｂｃｅ？答如光胶吸过，刻底接的光度会顶的很，导图侧墙斜62ｅlasｅrｕｓｅdａ2４8ｎlghtsource?Aｓnmlｇhtsoｕrｃ2４８ｎm，193nm的答通用深外刻的分激器波长２48n氟氪KrＦ)光，１９3nm的化激器概作曝源准子光63Wａｔatypicalｄosｅｅpｏsuｒｌatitｕdeｆrａｒｓ答深外刻的光容是量化围1％右64ｌensmatｅｒｉａlｉsuｓｄaｔtheＵＶｅｒ？

ｗｖｅｌ

DUV答一种合适的镜料熔石,他是深外长围的少光收氟化正作一可的选镜料65ｐlaiｎｈowｌenscompactionoccursaｄwａｔｅｍitcｒｓ。它答透镜压缩是镜料构的新列致镜料密,压缩生透材料，括融英可增激束过域透材的射，将导图质的失66ｎｅｒapｔuｅ（NA)?Staeitinｃluｄｉngｔｈapｐroximaｔ(ＮA答透收衍光的力称透的值径，NＡ＝(n)t透的径以镜焦长67Sｔateforulaｒｓoｕｔ。ｔｅeｌithogｒａｐhｙ

ｍｅrsｔｅｔ答R=K*入/Ａ１波入数孔NA３,艺子K68Listexｐlainｔｔoｐｉｍａryｒoflightｌｅctｉｆrｏthewafr。答两种主要的反问是射口反驻,在蚀成的直墙面反光不要光光胶就形反切,刻一光反和涉例是波象驻本上低光胶像分率69Whａｔａppｓtoｓoluｔｉifｔhｅｌｅｅｓ？ＩfNA？A增答光长小辨提。如N增分率提70ＣalcｕｌtheresolｕtionｓcaneifX=2nｍ，A0，ａk=是248nm,＝0。６5,Ｋ答0。6*248/０.65=22８。9R＝K*入/Ａ71ｉｅtheequatｔｃｌｔＯ．答DOＦ=(＊NA)72Whaｔhａｔofｔiｏinreass?答焦减

７2、Wmtｅrｉalusedtoｍrｅtcle?Whaｔｌ

ispatｔｅrnedoａｅ投影掩答最要是于微光的影膜衬底料熔石。透材是薄铬第五４、Explainｅｉviｙａｎdwｈｔｉｏuｌdｂhigｈorlow。答显也具选性高的影择比味显液曝的刻反得。要比低７5、Whｙａｏ－ｖｉｉnｐｆｏrmed?答为查光胶成图的陷,鉴别并去缺的片,用来检光工的坏为学刻艺产员供于正信答。减小外光波;2提光光工的值径;3．学大紫光刻;。分率高术;５硅平化6。学刻备先进。77Lstｔｅｏｒｈｙmethodsｕｔionｆｒ－gｎerａｌ。中答１极外刻术EU．离束影刻技（Ｌ)3.角限投影子光刻术ＳCALＰEL射线刻术第六78Ｗｔistheｇｏetchinｇ答目是涂的片正地制膜形79Listｔｔｅｅｊormｉaｌｃｔegｏrｉesｆdryｃh答金刻、质蚀硅蚀80Deｓcｒibｅｏｐｉcanaiｓｏtropcetchprofilesanｗareｄeｓiｒｅｄｓｒａbleａｃtsａｈprofile．,答各向同性的蚀面所方上相的蚀率行蚀,将带不望线损。向性刻剖即蚀在直硅表的向行,只很的向蚀希剖面各异的

81.Isadryprｏｉleisotｒopiｃ,anisoｃbtｈWhatｔaｅｔｃhprofｌe?各答两都。情见１6.182.Dｏesdryｅｎgｈｇoｏｒ

sｅlｅｔiｉ答干刻通不提对一材足高的蚀择83Liｓｔｈadvantagesｆdryetｒwetetchｔ

ｒｈｖａｎtagesdryｅtc?答优：。蚀面各异,有非好侧剖控好的CD控。。最的刻脱或附题。好片、间批间刻均性５较的学品用处费。缺：下材的的蚀择、离体来器损和昂的备84成功的干法刻蚀要求是哪些方Lｉstsixｒequrementｓforｃｌdryｅｃh.答１.对需要蚀材的选比获得接的能刻蚀率好的壁面制好的内匀低的件伤６.宽工制窗85gasｃｅｍｉｕfｏsｉdｉｏxide,ａluminum，ｓｎｄｔoresist?,硅答刻硅用化气为CF4／Ｏ2和CＬ。蚀氧硅用化气为CHＦ3。刻铝用化气为CＬ2和ＣＬ2。蚀刻采的学体O286Ｄescribetheｇｔｅｔchbackｏceｓ答首在间质氧硅刻通窗，然再盖TiN阻挡层通窗中积W,最进干等子反刻掉余钨覆层制出满的孔87gaschemistriｅsareｕｌyuｓeｆｏｒetchingpolｙiliconａｎwyｉflorinechemistries?答氯、气氯溴

原:因为