DB13-T 5631-2022 电子专用材料单晶硅生长用石英绀蜗生产技术规范

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5631—20221范围工艺过程、环境要求和管理要求。本文件适用于电子专用材料单晶硅生长用石英坩埚工艺技术。2 规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用适用于本文件。GB

50034 建筑照明设计标准GB

50073 洁净厂房设计规范GBZ

工作场所有害因素职业接触限值（第一部分

化学有害因素）GBZ

职业健康监护技术规范GBZ/T

189.8 工作场所物理因素测量 第83 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。电弧熔制

利用高温电弧熔融石英砂原料的过程。涂层

在石英坩埚内壁或外壁涂覆特种材料的过程。4 从业人员职业健康应按照GBZ

188个体防护用品，保证从业人员符合职业健康安全管理要求。岗位技能从业人员应通过三级安全教育、岗位技能培训，经考核合格后方可上岗。5 设备熔制设备应具有电极开闭、升降、旋转、冷却、弧变、除尘等装置。外表面处理设备应具有喷砂、研磨等功能。ALCaMgBaCrCuFeNiMnLiNaZrTiGe7.70.80.050.20.10.20.11.40.7<0.116.01.20.10.10.10.10.50.10.11.01.01.00.52.02.00.10.12.0DB

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5631—2022切边倒棱设备应具有对中、切制、内倒角、外倒角等功能。纯水清洗设备5.4.1 手动纯水清洗设备应具有纯水冲洗等装置。5.4.2 自动纯水清洗设备应具有产品自动化传输、纯水自动冲洗等装置。涂层设备应具有加热、旋转、喷雾、冷却专用涂层等装置。6 原辅材料石英砂石英砂杂质元素含量应符合表1的规定。表1表1

石英砂杂质元素含量

应符合以下要求：a)

体积密度：≥1.65

g/cmb)

电阻率：

≤8.5µΩ•m；c)

灰分：

≤

µg

；d)

抗压强度:≥35

MPa；e)

抗折强度：≥15

MPa。涂层原料涂层原料主要有：氢氧化钡、碳酸钡；试剂纯度≥99.99%。纯水电阻率≥16

Mcm。7 工艺过程偏壁度1.51.0305<D<4572.013D>4572.51.5DB

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5631—2022熔制7.1.1上料成型利用65～100转/分的离心力和成型装置，将石英砂原料在旋转的石墨模具、球磨铸铁模具内形成一定的形状和厚度。表2

表2

尺寸公差

7.1.2 埚坯电弧熔制外表面处理坩埚端口朝下放置于作业平台，利用研磨设备或各类喷砂设备去除坩埚外表面未完全熔融的石英砂。切边倒棱利用切边倒棱设备的对中装置对坩埚进行校正后，按高度要求用切断装置对坩埚进行切断，再利用内、外倒角装置，按要求对坩埚切断端面进行倒角处理。纯水清洗7.4.1 手动清洗将坩埚浸入盛放纯水的浸泡池内，10min～20min内取出，用高压冲洗设备对坩埚内、外表面及端口进行纯水清洗。7.4.2 自动清洗将坩埚放置于自动进料传输平台，按相应工艺参数对设备进行设置，然后对坩埚内、外表面及端口进行纯水清洗。烘干用温度200度的烘干箱，烘干35min～40min。涂层7.6.1 手动涂层人工利用手动涂层装置将配比好的特种材料涂覆在坩埚内表面和（或）外表面上。7.6.2 自动涂层按相应工艺参数对设备进行设置，自动将配比好的特种材料涂覆在坩埚内表面和（或）外表面上。8 环境要求总则所噪声、粉尘、废弃物排放应在适宜的范围内。

RH/%

GB

161016101610

GB

1610

GB

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5631—2022洁净度、温度和湿度应符合表3的规定。表

3 各工序工作洁净度、温度和湿度范围照度表

3 各工序工作洁净度、温度和湿度范围照度通风换气作业场所应通风良好，设置适宜的局部排风除尘设施和新风补偿设施，应保证每人不小于20m³/h

的新风量。作业场所噪声作业场所噪声应符合GBZ/T

189.8的规定。粉尘粉尘应符合GBZ

2.1的规定。9 管理要求作业现场应建立管理制度，设置人员专用安全通道，明确提示、禁止标识。作业现场的设备及器物应采取