全半导体工艺实操100问答

半导体工艺实操100问答1.硅片、芯片的概念1.硅片、芯片的概念硅片：制造电子器件的基本半导体材料硅的圆形单晶薄片芯片：由硅片生产的半导体产品1. 什么是微电子工业技术？微电子工业技术主要包括哪些技术？微电子工艺技术:在半导体材料芯片上采用微米级加工工艺制造微小型化电子元器件和微型化电路技术。包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等1. 集成电路制造涉及的5个大的制造阶段的内容集成电路制造阶段：硅片制备、芯片制造、芯片测试/拣选、装配与封装、终测1.IC工艺前工序，IC工艺后工序，以及IC工艺辅助工序IC工艺前工序：薄膜制备技术：主要包括外延、氧化、化学气相淀积、物理气相淀积（如溅射、蒸发）等掺杂技术：主要包括扩散和离子注入等技术图形转换技术：主要包括光刻、刻蚀等技术IC工艺后工序：划片、封装、测试、老化、筛选IC工艺辅助工序：超净厂房技术；超纯水、高纯气体制备技术；光刻掩膜版制备技术；材料准备技术1. 微芯片技术发展的主要趋势提高芯片性能（速度、功耗）提高芯片可靠性（低失效）降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模）1. 什么是关键尺寸（CD）?芯片上的物理尺寸特征称为特征尺寸特别是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD半导体材料

1.本征半导体和非本征半导体的区别是什么？1.本征半导体和非本征半导体的区别是什么？本征半导体：不含任何杂质的纯净半导体，其纯度在99.999999%(8~10个9)1. 为何硅被选为最主要的半导体材料？硅材料：硅的丰裕度——制造成本低熔点高(1412OC)——更宽的工艺限度和工作温度范围SiO2的天然生成1. GaAs相对硅的优点和缺点各是什么？优点：比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信抗辐射能力强——军事和空间应用电阻率大器件隔离容易实现发光二极管和激光器缺点没有稳定的起钝化保护作用的自然氧化层晶体缺陷比硅高几个数量级成本高圆片的制备1. 两种基本的单晶硅生产方法直拉法（CZ法）、区熔法1. 晶体缺陷根据维数可分为哪四种？a）点缺陷一空位、自填隙等b）线缺陷一位错c）面缺陷一层错d）体缺陷3.画出圆片制备的基本工艺步骤流程图，并给出其任意三个步骤的主要作用晶体生长、整型、切片、磨片倒角、刻蚀、抛光、清洗、检查、包装磨片和倒角：切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以除去切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦；硅片边缘抛光修整（又叫倒角）可使硅片边缘获得平滑的半径周线切片：对于200mm的硅片，切片是用带有金刚石切割边缘的内圆切割机来完成的。对于300mm的硅片，用线锯来切片，厚度一般在775±25微米。清洗:半导体硅片必须被清洗使得在发送给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态沾污控制净化间污染分类净化间沾污、颗粒、金属杂质、有机物沾污、自然氧化层、静电释放（ESD）半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则必须小于最小器件特征尺寸的一半金属污染的主要来源a）化学溶液b）半导体制造中的各种工序，如:离子注入c）化学品与传输管道反应d）化学品与容器反应超净服的目标超净服系统的目标是满足以下职能标准:对身体产生的颗粒和浮质的总体抑制超净服系统颗粒零释放对ESD的零静电积累无化学和生物残余物的释放5.什么是可动离子污染金属杂质以离子形式出现，且是高度活动性危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属。如钠，就是最常见的可移动离子沾污物，而且移动性最强6.静电释放的概念及带来的问题静电释放（ESD）:也是一种形式的沾污，因为它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移，可能损坏芯片半导体制造中特别容易产生静电释放，因为硅片加工保持在较低的湿度中静电释放带来的问题：发生在几个纳秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流蒸发金属导线和穿透氧化层击穿栅氧化层的诱因吸附颗粒到硅片表面颗粒越小，静电的吸引作用就越明显器件特征尺寸的缩小，更需要严格控制硅片放电7.芯片生产厂房的7种污染源空气、人、厂房、水、工艺用化学品、工艺气体、生产设备8.硅片表面的颗粒数与工艺步骤数之间的关系图工艺步骤数1.清洗清洗清洗清洗工艺步骤数1.清洗清洗清洗清洗9、硅片清洗的目标硅片清洗的目标一一去除所有表面沾污、颗粒、有机物、金属、自然氧化层工艺腔内的气体控制1.工艺用气体通常分为哪两类？通用气体：氧气(02)、氮气(N2)、氢气(H2)、氦气(He)和氩气(Ar)，纯度要控制在7个9(99.99999%)以上特殊气体:指一些工艺气体以及其它在半导体集成电路制造中比较重要的气体，纯度要控制在4个9(99.99%)以上2.常见的初级泵和高级泵常见的两种初级泵：a)干性机械泵b)增压/调压泵：可处理大量气体而不需要润滑剂，增压器通常被称为罗茨增压泵常见的两种高真空泵：a)加速分子泵(涡轮泵)：是一种多用途、可靠的洁净泵，运作机理是机械化的压缩功冷凝泵：是一种俘获式泵，它通过使气体凝结并俘获在泵中的方式去除工艺腔体中的气体3.质量流量计(MFC)的概念利用气体的热传输特性，直接测量进入腔体的质量流量比率，来控制进入腔体的气流4.残气分析器(RGA)最常用的用途和基本构成用途：用来检验残留在已清空系统中的气体分子的类型、检漏、工艺中的故障查询。基本构成：一个离子发生器、一个孔径、一个分析器和一个探测器。氧化1.氧化物的两种生产方式热氧化生长、淀积2.氧化层在芯片制造中有哪几方面的应用？保护器件免受划伤和隔离污染限制带电载流子场区隔离（表面钝化）栅氧或储存器单元结构中的介质材料28.金属导电层间的介质层】3.表面钝化的概念SiO2可以通过束缚Si的悬挂键，从而降低它的表面态密度，这种效果称为表面钝化。能防止电性能退化，并减少由潮湿、离子或其他外部污染物引起的漏电流的通路。4.关于热氧化的两个化学反应干氧氧化在没有水汽的氛围里进行，化学反应方程式为：Si（固）+O2（气）-SiO2（固）湿氧氧化有水汽参与，氧化反应速率较快，化学反应方程式为：Si（固）+2H2O（水汽）-SiO2（固）+2H2（气）5.氧化物生产初始阶段：O与Si反应，在硅表面生成二氧化硅生成继续氧化：生成的SiO2将阻挡O原子与Si原子直接接触，所以其后的继续氧化是O2原子通过扩散穿过已生成的二氧化硅层，向Si一侧运动到达界面进行反应而增厚的线性阶段氧化物生长厚度：X=(B/A)t抛物线阶段X=(Bt)1/2X：氧化物生长厚度B/A：为线性速率系数，温度升高系数增大B:抛物线速率系数t:为生长时间掺杂1.掺杂的两种方法热扩散:利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构。这种方法受到时间和温度的影响离子注入：a通过高压离子轰击把杂质引入硅片b现代晶片制造中几乎所有掺杂工艺都是使用离子注入2.列举半导体制造中常用的四种杂质，并说明是N型还是P型。磷N砷N硼P镓P3.扩散发生需要的两个必要的条件浓度差、过程所必须得能量4.热扩散的三个步骤，以及它们的作业预淀积:为整个扩散过程建立浓度梯度、炉温一般800~10000c推进：将由预淀积引入的杂质作为扩散源，在高温下进行扩散。目的是为了控制表面浓度和扩散深度1000~12500c激活：稍为升高炉温，使杂质原子与晶格中的硅原子键合5.离子注入的优缺点离子注入的优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限离子注入的主要缺点：a）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）6注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）6.重要的离子输入参数剂量、射程7.剂量和能量的公式Q=（It）/（enA）I为束流，单位是库仑每秒（安培）t为注入时间，单位是秒e是电子电荷，等于1.6x10-19库仑n是离子电荷（比如B+等于1）A是注入面积，单位是cm28.离子输入设备的5个主要子系统离子源、引出电极（吸极）和离子分析器、加速管、扫描系统、工艺室9.退火的目的是什么？高温退火和RTA哪个更优越退火能够加热被注入硅片，修复晶格缺陷还能使杂质原子移动到晶格点，将其激活RTA更优越，此方法不会导致杂质的扩散，快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者间取得优化10.描述沟道效益。控制沟道效益的4种方法当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应4种方法：倾斜硅片、掩蔽氧化层、硅预非晶化、使用质量较大的原子11.列举10个使用离子注入的掺杂工艺深埋层、倒掺杂阱、穿通阻挡层、阈值电压调整、轻掺杂漏区（LDD）、源漏注入、多晶硅栅、沟槽电容器、超浅结、绝缘体上硅（SOI）光刻1.光刻的概念及其本质光刻指的是将图形转移到一个平面的任一复制过程光刻的本质是把临时电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上2.光刻工艺的8个基本步骤气相成底膜、旋转涂胶、软烘、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜烘焙、显影检查3.光刻胶的概念以及其目的光刻胶的概念：一种有机化合物，受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化光刻胶的目的a）将掩模版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中b）在后续工艺中，保护光刻胶下面的材料（如刻蚀或离子注入的阻挡层）4.光刻胶显影参数显影温度、显影时间、显影液量、当量浓度、清洗、排风、硅片吸盘5.正胶和负胶的显影结果正性光刻胶：曝光区域溶解于显影液，显影后图形与掩模版图形一样负性光刻胶：曝光区域不溶解于显影液，显影后图形与掩模版图形相反6.常用于光学光刻的两种紫外光源汞灯准分子激光7.反射切口、驻波的概念，抗反射涂层的作用反射切口：在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光入射到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口驻波的概念：入射光与反射光发射干涉引起、引起随光刻胶厚度变化的不均匀曝光抗反射涂层的作用：减小光反射和阻止光干涉

8.分辨率的概念以及计算1.其中『k二表示特殊应用的因子.范围是0sH.8九二光源的波长NA上曝光系统的数值孔径这个公式表示在光刻中有三个参数影响分辨光刻胶上几何图形的能力;.波长31.数值孔径NA.工艺因子k1..从早期的硅片制造以来光刻设备可分为哪五代？列举任意两种的优越点接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复光刻机、步进扫描光刻机接触式光刻机：图像失真小，图形分辨率高接近式光刻机：掩模版不与光刻胶直接接触，大大减小了沾污.可能成功代替光学光刻技术的4种光刻技术极紫外（EUV）光刻技术角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）离子束投影光刻技术（IPL）X射线光刻技术刻蚀.刻蚀的概念及基本目的刻蚀：用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程基本目的：在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形.两种基本的刻蚀工艺干法刻蚀、湿法腐蚀.等离子体的概念等离子体又叫做电浆，是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质，它广泛存在于宇宙中，常被视为是除去固、液、气外，物质存在的第四态。.选择比的概念同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。.负载和微负载效益的概念负载效应：要刻蚀硅片表面的大面积区域，则会耗尽刻蚀剂浓度使刻蚀速率慢下来；如果刻蚀的面积比较小，则刻蚀会快些微负载效应（深宽比相关刻蚀（ARDE））——具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要上匕具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢.干法刻蚀的应用介质：氧化物和氮化硅硅：多晶硅栅和单晶硅槽金属：铝和钨.湿法腐蚀相比干法刻蚀的优点对材料具有高的选择比不会对器件带来等离子体损伤淀积.淀积膜的过程的三个不同阶段a）晶核形成，成束的稳定小晶核形成b）聚集成束，也称为岛生长c）形成连续的膜.化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？化学气相淀积（CVD）的概念：通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺高温分解、光分解、还原反应、氧化反应、氧化还原反应.CVD中质量传输限制和表面反应控制限制的概念质量传输限制：a）CVD反应的速率不可能超过反应气体传输到硅片上的速率b）无论温度如何，若传输到硅片表面加速反应的反应气体的量都不足。在此情况下，CVD工艺通常是受质量传输所限制的表面反应控制限制：a）在更低的反应温度和压力下，驱动表面反应的能量更小，表面反应速度会降低b）反应物到达表面的速度将超过表面化学反应的速度c）这种情况下，淀积速度是受化学反应速度限制的.APCVDTEOS-O3方法淀积SiO2的反应方程式；用PECVD制备SiO2反应方程式；LPCVD淀积多晶硅和PECVD淀积氮化硅的化学反应方程式APCVDTEOS-O3方法:Si（C2H5O4）+8O3——>SiO2+10H2O+8CO2PECVD：SiH4（气态）+2N2O（气态）——>SiO2（固态）+2N2（气态）+2H2（气态）LPCVD:多晶硅：SiH4（气态）——>Si（固态）+2H2（气态）氮化硅：35612H2（气态）+4NH3（气态）——>Si3N4（固态）+6HCl（气态）+6H2（气态）.HDPCVD工艺的五个步骤a）离子诱导淀积：指离子被托出等离子体并淀积形成间隙填充的现象b）溅射刻蚀:具有一定能量的Ar和因为硅片偏置被吸引到薄膜的反应离子轰击表面并刻蚀原子c）再次淀积：原子从间隙的底部被剥离，通常会再次淀积到侧壁上d）热中性CVD:这对热能驱动的一些淀积反应有很小的贡献；e）反射：离子反射出侧壁，然后淀积，是另一种贡献.外延的概念，以及IC制作中一般采用的三种外延方法外延：在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层三种外延方法:气相外延（VPE）金属有机CVD（MOCVD）分子束外延（MBE）.介质材料的3个主要用途，其中哪个的发展趋势是高K哪个是低K?层间介质（ILD）低K栅氧化层高K器件隔离.随着特征尺寸的减少，门延迟与互连延迟分别怎么变化？门延迟降低、互连延迟增大金属化.金属化，互连，接触，通孔的概念金属化：应用化学或物理处理方法在绝缘介质薄膜上淀积金属薄膜随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程互连（interconnect）：由导电材料，如铝、多晶硅或铜制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分接触（contact）硅芯片内的器件与第一层金属之间在硅表面的连接通孔（via）穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口.硅芯片制造业中各种金属和金属合金铝、铝铜合金、铜、阻挡层金属、硅化物、金属填充塞.IC互连金属化引入铜的优点a）电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电阻率从铝的2.65mW-cm减小到铜的1.678mW-cm；减少RC的信号延迟，增加芯片速度b）功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗c）更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层d）良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题e）更少的工艺步骤：用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤20%to30%的潜力.自对准金属硅化物的形成工艺剖面图恻堵氧化层场氧化层1:Si。，淀积说明:用PECVD淀积内层氧化硅到希望的厚度，这里没有关键的间隙填充，因此PECVD是可以接受的口

53确定互连图形Photoresist说明:光刻确定氧化硅槽图形，带胶口在确定图形之前将通孔窗口放在槽里。4:淀积保留介质的Si。说明,为保留层间介质，PECVD氧化硅淀6：刻蚀互连槽和通孔说明:在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在W层口穿过S1M层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口.说明:7;淀积阻挡金属层说明:在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的P¥D淀积铝（耶）和氮化锂扩散层口

说明:9,淀积铜填充说明： 用电化学淀积（ECD）.淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽.9,淀积铜填充说明： 用电化学淀积（ECD）.淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽./铜层8;淀积铜种子层铜种子层说明:用CVD.淀积连续的铜种子层,种子层必须是均匀的并且没有针孔.10：用CRIP清除额外的铜说明:用CMP清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备.最后的表面是一个金属镶嵌在介质内,形成电路的平面结构口器件技术简介说明:用CMP清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备.最后的表面是一个金属镶嵌在介质内,形成电路的平面结构口器件技术简介.无源元件和有源元件分别含哪些？无源元件：电阻、电容有源元件：二极管、晶体管.增强型和耗尽型MOSFET的区别DramMOSFET双nMOS二主徽片邈麴於DramMOSFET双nMOS二主徽片邈麴於n-typesilkonsubstrateCMOS集成电路制造工艺.亚微米CMOSIC制造厂可分成哪六个独立的生产区离子注入、抛光扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺）、光刻、刻蚀、薄膜、离子注入、抛光.以双阱工艺的CMOS反相器为例，CMOS制作的具体步骤，以及前六个步骤的剖面图；或在完整剖面图上表示各个步骤的位置

A以双叶工艺的CMOS反相器为例工双阱1艺浅槽隔离工艺， 多晶程栅结构工艺.轻掺杂漏(LDD)注入工艺.侧塔的形成. 源/漏(S/D)注入工艺工装触乱的形成.局部互连工艺.通孔1和金属塞1的形成.金属1互连的形成.通贮和金属塞2的形成.全属2互连的形成.制作金属3直到制作压点及合金.参数测试STI工艺的三个步骤及剖面图槽刻蚀氧化物填充氧化物平坦化硅片测试.各种薄膜厚度的典型测试技术椭偏仪：非破坏、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明的薄膜X射线荧光技术：主要用于单层薄膜的测量光声技术：可用于测量金属薄层.掺杂浓度的